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BSS80CTA

配單專家企業(yè)名單
  • 型號
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  • 廠商
  • 封裝
  • 批號
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  • 說明
  • 操作
  • BSS80CTA
    BSS80CTA

    BSS80CTA

  • 北京元坤偉業(yè)科技有限公司
    北京元坤偉業(yè)科技有限公司

    聯(lián)系人：劉先生

    電話：010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址：北京市海淀區(qū)中關(guān)村大街32號和盛嘉業(yè)大廈10層1008室

    資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照

  • 5000

  • ZETEX

  • ★全新★

  • 〓最新批號

  • -

  • 假一罰十，百分百原裝正品

  • BSS80CTA
    BSS80CTA

    BSS80CTA

  • 深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
    深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司

    聯(lián)系人：雷春艷

    電話：19129493934（手機優(yōu)先微信同號）0755-83266697

    地址：深圳市福田區(qū)華強北街道華強北路1016號寶華大廈A座2028室

    資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照

  • 15000

  • ZETEX/DIO

  • SOT23

  • 2013+rohs

  • -

  • 全新原裝現(xiàn)貨

  • BSS80CTA
    BSS80CTA

    BSS80CTA

  • 深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
    深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司

    聯(lián)系人：何芝

    電話：19129491934(手機優(yōu)先微信同號)0755-82865099

    地址：深圳市福田區(qū)華強北街道華強北路1016號寶華大廈A座2028室

    資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照

  • 5000

  • ZETEX

  • 標(biāo)準(zhǔn)封裝

  • 13+

  • -

  • 全新原裝，現(xiàn)貨，價優(yōu)！

  • 1/1頁 40條/頁 共14條 
  • 1
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  • 功能描述
  • 兩極晶體管 - BJT -
  • RoHS
  • 否
  • 制造商
  • STMicroelectronics
  • 配置
  • 晶體管極性
  • PNP
  • 集電極—基極電壓 VCBO
  • 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO
  • - 40 V
  • 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO
  • - 6 V
  • 集電極—射極飽和電壓
  • 最大直流電集電極電流
  • 增益帶寬產(chǎn)品fT
  • 直流集電極/Base Gain hfe Min
  • 100 A
  • 最大工作溫度
  • 安裝風(fēng)格
  • SMD/SMT
  • 封裝 / 箱體
  • PowerFLAT 2 x 2
BSS80CTA 技術(shù)參數(shù)
  • BSS806NL6327HTSA1 功能描述:MOSFET N-CH 20V 2.3A SOT23 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極，1.8V 驅(qū)動 漏源極電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:2.3A（Ta） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:57 毫歐 @ 2.3A，2.5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:750mV @ 11μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:1.7nC @ 2.5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:529pF @ 10V 功率 - 最大值:500mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商器件封裝:PG-SOT23-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 BSS806NH6327XTSA1 功能描述:MOSFET N-CH 20V 2.3A SOT23 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術(shù):MOSFET（金屬氧化物） 漏源電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:2.3A（Ta） 驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.8V，2.5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:750mV @ 11μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:1.7nC @ 2.5V Vgs（最大值）:±8V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:529pF @ 10V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:500mW（Ta） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:57 毫歐 @ 2.3A，2.5V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 供應(yīng)商器件封裝:PG-SOT23-3 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BSS806NEH6327XTSA1 功能描述:MOSFET N-CH 20V 2.3A SOT23 制造商:infineon technologies 系列:汽車級，AEC-Q101，HEXFET? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術(shù):MOSFET (Metal Oxide) 漏源極電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:2.3A（Ta） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:57 毫歐 @ 2.3A，2.5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:0.75V @ 11μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:1.7nC @ 2.5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:529pF @ 10V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:* 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商器件封裝:PG-SOT23-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BSS806N H6327 功能描述:MOSFET N-CH 20V 2.3A SOT23 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極，1.8V 驅(qū)動 漏源極電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:2.3A（Ta） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:57 毫歐 @ 2.3A，2.5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:750mV @ 11μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:1.7nC @ 2.5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:529pF @ 10V 功率 - 最大值:500mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商器件封裝:PG-SOT23-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BSS79C 功能描述:TRANS NPN 40V 0.8A SOT-23 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):過期 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:800mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:40V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:1V @ 50mA，500mA 電流 - 集電極截止（最大值）:10nA（ICBO） 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:100 @ 150mA，10V 功率 - 最大值:350mW 頻率 - 躍遷:250MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商器件封裝:SOT-23-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 BSS84,215 BSS84_D87Z BSS8402DW-7 BSS8402DW-7-F BSS8402DWQ-7 BSS84-7 BSS84-7-F BSS84AK,215 BSS84AK-BR BSS84AKM,315 BSS84AKMB,315 BSS84AKS,115 BSS84AKS/ZLX BSS84AKT,115 BSS84AKV,115 BSS84AKVL BSS84AKW,115 BSS84AKW-BX
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