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BSS123/

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  • BSS123/IM2001
    BSS123/IM2001

    BSS123/IM2001

  • 深圳市億聯(lián)芯電子科技有限公司
    深圳市億聯(lián)芯電子科技有限公司

    聯(lián)系人:吳經(jīng)理

    電話:18138401919

    地址:深圳市福田區(qū)賽格科技園4棟中7樓7B30

  • 69880

  • INGREY

  • SOT23-3L

  • 2021+

  • -
  • ★★正規(guī)渠道★原廠正品最新貨源現(xiàn)貨供應★...

  • BSS123/SA
    BSS123/SA

    BSS123/SA

  • 北京首天偉業(yè)科技有限公司
    北京首天偉業(yè)科技有限公司

    聯(lián)系人:劉先生

    電話:010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址: 廣東省深圳市福田區(qū)華強北街道電子科技大廈C座23E

    資質(zhì):營業(yè)執(zhí)照

  • 5000

  • SIEMENS

  • 全新原裝現(xiàn)貨

  • 05+

  • -
  • 假一罰十,百分百原裝正品

  • BSS123/BSS123LT1G
    BSS123/BSS123LT1G

    BSS123/BSS123LT1G

  • 深圳市華創(chuàng)歐科技有限公司
    深圳市華創(chuàng)歐科技有限公司

    聯(lián)系人:朱先生

    電話:2394575513590206539

    地址:深圳市福田區(qū)華強北上步工業(yè)區(qū)201棟4樓4A68-2室

  • 30000

  • ON

  • SOT-23

  • 2022+

  • -
  • 原裝正品,公司現(xiàn)貨庫存假一罰十,電話:0...

  • 1/1頁 40條/頁 共3條 
  • 1
BSS123/ PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實際PDF為準
BSS123/ 技術參數(shù)
  • BSS123,215 功能描述:MOSFET N-CH 100V 150MA SOT-23 制造商:nexperia usa inc. 系列:TrenchMOS?? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術:MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):100V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):150mA(Ta) 驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2.8V @ 1mA Vgs(最大值):±20V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值):40pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散(最大值):250mW(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):6 歐姆 @ 120mA,10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 供應商器件封裝:TO-236AB(SOT23) 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 標準包裝:1 BSS123 E6433 功能描述:MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓(Vdss):100V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):170mA(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):6 歐姆 @ 170mA,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):1.8V @ 50μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):2.67nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):69pF @ 25V 功率 - 最大值:360mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供應商器件封裝:PG-SOT23-3 標準包裝:10,000 BSS123 功能描述:MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓(Vdss):100V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):170mA(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):6 歐姆 @ 170mA,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):2.5nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):73pF @ 25V 功率 - 最大值:360mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供應商器件封裝:SOT-23-3 標準包裝:1 BSS119NH6433XTMA1 功能描述:MOSFET N-CH 100V 0.19A SOT-23 制造商:infineon technologies 系列:* 零件狀態(tài):有效 標準包裝:10,000 BSS119NH6327XTSA1 功能描述:MOSFET N-CH 100V 0.19A SOT-23 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極,4.5V 驅動 漏源極電壓(Vdss):100V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):190mA(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):6 歐姆 @ 190mA,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2.3V @ 13μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):0.6nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):20.9pF @ 25V 功率 - 最大值:500mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供應商器件封裝:PG-SOT23-3 標準包裝:1 BSS123L6433HTMA1 BSS123L7874XT BSS123LT1 BSS123LT1G BSS123LT3 BSS123LT3G BSS123NH6327XTSA1 BSS123NH6433XTMA1 BSS123TA BSS123TC BSS123W BSS123W-7 BSS123W-7-F BSS123WQ-7-F BSS-125-01-C-D-A BSS-125-01-F-D BSS-125-01-F-D-A BSS-125-01-H-D
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