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BSP61115

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  • 型號
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  • BSP61115
    BSP61115

    BSP61115

    現(xiàn)貨
  • 深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
    深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司

    聯(lián)系人：譚玉麗

    電話：19129491949(手機優(yōu)先微信同號)0755-83267816

    地址：深圳市福田區(qū)華強北街道華強北路1016號寶華大廈A座2028室

  • 12800

  • NXP

  • SOT224

  • 1723+

  • -

  • ★★原盒原裝原標簽，現(xiàn)貨庫存商★★

  • BSP61115
    BSP61115

    BSP61115

    現(xiàn)貨
  • 深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
    深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司

    聯(lián)系人：雷春艷

    電話：19129493934（手機優(yōu)先微信同號）0755-83266697

    地址：深圳市福田區(qū)華強北街道華強北路1016號寶華大廈A座2028室

    資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照

  • 12800

  • NXP

  • SOT224

  • 1723+

  • -

  • ★★原盒原裝原標簽，現(xiàn)貨庫存商★★

  • BSP61115
    BSP61115

    BSP61115

  • 深圳市深美諾電子科技有限公司
    深圳市深美諾電子科技有限公司

    聯(lián)系人：李燕兵

    電話：82525918

    地址：深圳市福田區(qū)華強北路上步工業(yè)區(qū)101棟5樓517-532室

    資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照

  • 6000

  • NXP

  • SOT224

  • 22+

  • -

  • 全新原裝現(xiàn)貨供應

  • 1/1頁 40條/頁 共5條 
  • 1
BSP61115 PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準
  • 制造商
  • NXP Semiconductors
  • 功能描述
  • DARLINGTON TRANSISTOR PNP -6
  • 制造商
  • NXP Semiconductors
  • 功能描述
  • TRANS PNP 80V 0.5A SOT223
BSP61115 技術(shù)參數(shù)
  • BSP61,115 功能描述:TRANS PNP DARL 60V 1A SOT223 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽車級，AEC-Q101 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):在售 晶體管類型:PNP - 達林頓 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:1A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:60V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:1.3V @ 500μA，500mA 電流 - 集電極截止（最大值）:50nA 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:2000 @ 500mA，10V 功率 - 最大值:1.25W 頻率 - 躍遷:200MHz 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-261-4，TO-261AA 供應商器件封裝:SOT-223 基本零件編號:BSP61 標準包裝:1 BSP60H6327XTSA1 功能描述:TRANS PNP DARL 45V 1A SOT223 制造商:infineon technologies 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):上次購買時間 晶體管類型:PNP - 達林頓 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:1A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:45V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:1.8V @ 1mA，1A 電流 - 集電極截止（最大值）:10μA 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:2000 @ 500mA，10V 功率 - 最大值:1.5W 頻率 - 躍遷:200MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-261-4，TO-261AA 供應商器件封裝:PG-SOT223-4 標準包裝:1,000 BSP60E6327HTSA1 功能描述:TRANS PNP DARL 45V 1A SOT-223 制造商:infineon technologies 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):過期 晶體管類型:PNP - 達林頓 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:1A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:45V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:1.8V @ 1mA，1A 電流 - 集電極截止（最大值）:10μA 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:2000 @ 500mA，10V 功率 - 最大值:1.5W 頻率 - 躍遷:200MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-261-4，TO-261AA 供應商器件封裝:PG-SOT223-4 標準包裝:1,000 BSP603S2LHUMA1 功能描述:MOSFET N-CH 55V 5.2A SOT-223 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓（Vdss）:55V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:5.2A（Ta） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:33 毫歐 @ 2.6A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 50μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:42nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:1390pF @ 25V 功率 - 最大值:1.8W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-261-4，TO-261AA 供應商器件封裝:PG-SOT223-4 標準包裝:4,000 BSP60,115 功能描述:TRANS PNP DARL 45V 1A SOT223 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽車級，AEC-Q101 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):在售 晶體管類型:PNP - 達林頓 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:1A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:45V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:1.3V @ 500μA，500mA 電流 - 集電極截止（最大值）:50nA 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:2000 @ 500mA，10V 功率 - 最大值:1.25W 頻率 - 躍遷:200MHz 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-261-4，TO-261AA 供應商器件封裝:SOT-223 基本零件編號:BSP60 標準包裝:1 BSP62E6327HTSA1 BSP62H6327XTSA1 BSP716NH6327XTSA1 BSP742R BSP742RI BSP742RIXUMA1 BSP742RXUMA1 BSP742T BSP742TXUMA1 BSP752R BSP752RXUMA2 BSP752T BSP752TXUMA1 BSP75GQTA BSP75GQTC BSP75GTA BSP75NHUMA1 BSP75NNT
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