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BSP225115

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    BSP225115

    BSP225115

  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

    聯(lián)系人：唐先生

    電話：0755-8322569219129381337（微信同號）

    地址：廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。

  • 865000

  • NXP

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    BSP225115

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  • 深圳市澳億芯電子科技有限公司
    深圳市澳億芯電子科技有限公司

    聯(lián)系人：廖R

    電話：13163738578

    地址：龍崗區(qū)坂田五和大道山海大廈c 棟707

  • 100

  • NEXPERIA

  • C08-場效應(yīng)管

  • 2103

  • -

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  • 1
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  • 制造商
  • NXP Semiconductors
  • 功能描述
  • MOSFET P-CH 250V 225MA SOT223
BSP225115 技術(shù)參數(shù)
  • BSP225,115 功能描述:MOSFET P-CH 250V 0.225A SOT223 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):在售 FET 類型:P 溝道 技術(shù):MOSFET（金屬氧化物） 漏源電壓（Vdss）:250V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:225mA（Ta） 驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.8V @ 1mA Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:90pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:1.5W（Ta） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:15 歐姆 @ 200mA，10V 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 供應(yīng)商器件封裝:SOT-223 封裝/外殼:TO-261-4，TO-261AA 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BSP220,115 功能描述:MOSFET P-CH 200V 0.225A SOT223 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):在售 FET 類型:P 溝道 技術(shù):MOSFET（金屬氧化物） 漏源電壓（Vdss）:200V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:225mA（Ta） 驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.8V @ 1mA Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:90pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:1.5W（Ta） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:12 歐姆 @ 200mA，10V 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 供應(yīng)商器件封裝:SOT-223 封裝/外殼:TO-261-4，TO-261AA 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BSP19TA 功能描述:TRANS NPN 350V 0.5A SOT-223 制造商:diodes incorporated 系列:- 包裝:Digi-Reel? 零件狀態(tài):過期 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:500mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:350V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:500mV @ 4mA，50mA 電流 - 集電極截止（最大值）:20nA（ICBO） 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:50 @ 100mA，5V 功率 - 最大值:2W 頻率 - 躍遷:70MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-261-4，TO-261AA 供應(yīng)商器件封裝:SOT-223 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BSP19AT1G 功能描述:TRANS NPN 350V 0.1A SOT223 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):過期 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:100mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:350V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:500mV @ 4mA，50mA 電流 - 集電極截止（最大值）:20nA（ICBO） 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:40 @ 20mA，10V 功率 - 最大值:800mW 頻率 - 躍遷:70MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-261-4，TO-261AA 供應(yīng)商器件封裝:SOT-223 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BSP19AT1 功能描述:TRANS NPN 350V 0.1A SOT223 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):過期 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:100mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:350V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:500mV @ 4mA，50mA 電流 - 集電極截止（最大值）:20nA（ICBO） 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:40 @ 20mA，10V 功率 - 最大值:800mW 頻率 - 躍遷:70MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-261-4，TO-261AA 供應(yīng)商器件封裝:SOT-223 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 BSP296E6327 BSP296L6327HTSA1 BSP296L6433HTMA1 BSP296NH6327XTSA1 BSP296NH6433XTMA1 BSP297 E6327 BSP297H6327XTSA1 BSP297L6327HTSA1 BSP298 E6327 BSP298H6327XUSA1 BSP298L6327HUSA1 BSP299 E6327 BSP299H6327XUSA1 BSP299L6327HUSA1 BSP300 E6327 BSP300H6327XUSA1 BSP300L6327HUSA1 BSP304A,126
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