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BSP19@115

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  • BSP19@115
    BSP19@115

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  • 北京元坤偉業(yè)科技有限公司
    北京元坤偉業(yè)科技有限公司

    聯(lián)系人:劉先生

    電話:010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址:北京市海淀區(qū)中關(guān)村大街32號和盛嘉業(yè)大廈10層1008室

    資質(zhì):營業(yè)執(zhí)照

  • 638850

  • NXP

  • SOT223

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  • BSP19@115
    BSP19@115

    BSP19@115

  • 深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
    深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司

    聯(lián)系人:雷春艷

    電話:19129493934(手機優(yōu)先微信同號)0755-83266697

    地址:深圳市福田區(qū)華強北街道華強北路1016號寶華大廈A座2028室

    資質(zhì):營業(yè)執(zhí)照

  • 30000

  • NXP

  • SOT223

  • 10+

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  • 全新原裝現(xiàn)貨

  • BSP19@115
    BSP19@115

    BSP19@115

  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

    聯(lián)系人:唐先生

    電話:0755-8322569219129381337(微信同號)

    地址:廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。

  • 865000

  • NXP

  • SOT223

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  • BSP19@115

    BSP19@115

  • 深圳市澤芯微科技有限公司
    深圳市澤芯微科技有限公司

    聯(lián)系人:柯小姐

    電話:0755-8273028382732023

    地址:中航路新亞洲國利大廈A座24層12室

  • 3000

  • nxp

  • sot223

  • 10+

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BSP19@115 技術(shù)參數(shù)
  • BSP19,115 功能描述:TRANS NPN 350V 0.1A SOT223 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):在售 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極(Ic)(最大值):100mA 電壓 - 集射極擊穿(最大值):350V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):500mV @ 4mA,50mA 電流 - 集電極截止(最大值):20nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):40 @ 20mA,10V 功率 - 最大值:1.2W 頻率 - 躍遷:70MHz 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-261-4,TO-261AA 供應(yīng)商器件封裝:SOT-223 基本零件編號:BSP19 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BSP18-3K 功能描述:Terminal Butt Splice, Inline, Individual Openings Connector Crimp 16-22 AWG Red 制造商:panduit corp 系列:Pan-Term? 包裝:卷 零件狀態(tài):有效 端子類型:對接接頭,直插式,單獨開口 進線數(shù):2 端接:壓接 線規(guī):16-22 AWG 絕緣:完全絕緣 特性:銅焊縫 顏色:紅 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 BSP179H6327XTSA1 功能描述:MOSFET N-CH 400V 0.21A SOT-223 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:耗盡模式 漏源極電壓(Vdss):400V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):210mA(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):18 歐姆 @ 210mA,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):1V @ 94μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):6.8nC @ 5V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):135pF @ 25V 功率 - 最大值:1.8W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-261-4,TO-261AA 供應(yīng)商器件封裝:PG-SOT223-4 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 BSP171PL6327HTSA1 功能描述:MOSFET P-CH 60V 1.9A SOT-223 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET P 通道,金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓(Vdss):60V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):1.9A(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):300 毫歐 @ 1.9A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2V @ 460μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):20nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):460pF @ 25V 功率 - 最大值:1.8W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-261-4,TO-261AA 供應(yīng)商器件封裝:PG-SOT223-4 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BSP171PH6327XTSA1 功能描述:MOSFET P-CH 60V 1.9A SOT223 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET P 通道,金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓(Vdss):60V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):1.9A(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):300 毫歐 @ 1.9A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2V @ 460μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):20nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):460pF @ 25V 功率 - 最大值:1.8W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-261-4,TO-261AA 供應(yīng)商器件封裝:PG-SOT223-4 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BSP295E6327 BSP295E6327T BSP295H6327XTSA1 BSP295L6327HTSA1 BSP296 E6433 BSP296E6327 BSP296L6327HTSA1 BSP296L6433HTMA1 BSP296NH6327XTSA1 BSP296NH6433XTMA1 BSP297 E6327 BSP297H6327XTSA1 BSP297L6327HTSA1 BSP298 E6327 BSP298H6327XUSA1 BSP298L6327HUSA1 BSP299 E6327 BSP299H6327XUSA1
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