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BSP19 E6327

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    BSP19 E6327

    BSP19 E6327

  • 深圳市億聯(lián)芯電子科技有限公司
    深圳市億聯(lián)芯電子科技有限公司

    聯(lián)系人:吳經理

    電話:18138401919

    地址:深圳市福田區(qū)賽格科技園4棟中7樓7B30

  • 69880

  • INFINEON

  • SOT-223

  • 2021+

  • -
  • ★★正規(guī)渠道★原廠正品最新貨源現(xiàn)貨供應★...

  • BSP19 E6327
    BSP19 E6327

    BSP19 E6327

  • 深圳市奧偉斯科技有限公司
    深圳市奧偉斯科技有限公司

    聯(lián)系人:江小姐 ADS觸摸芯片一級代理

    電話:0755-83254770

    地址:深南中路3006號佳和華強大廈A座7樓整層

    資質:營業(yè)執(zhí)照

  • 15000

  • INFINEON

  • SOT-223

  • 18+

  • -
  • 原裝,優(yōu)勢庫存

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  • 1
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BSP19 E6327 技術參數(shù)
  • BSP18-3K 功能描述:Terminal Butt Splice, Inline, Individual Openings Connector Crimp 16-22 AWG Red 制造商:panduit corp 系列:Pan-Term? 包裝:卷 零件狀態(tài):有效 端子類型:對接接頭,直插式,單獨開口 進線數(shù):2 端接:壓接 線規(guī):16-22 AWG 絕緣:完全絕緣 特性:銅焊縫 顏色:紅 標準包裝:3,000 BSP179H6327XTSA1 功能描述:MOSFET N-CH 400V 0.21A SOT-223 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:耗盡模式 漏源極電壓(Vdss):400V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):210mA(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):18 歐姆 @ 210mA,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):1V @ 94μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):6.8nC @ 5V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):135pF @ 25V 功率 - 最大值:1.8W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-261-4,TO-261AA 供應商器件封裝:PG-SOT223-4 標準包裝:1,000 BSP171PL6327HTSA1 功能描述:MOSFET P-CH 60V 1.9A SOT-223 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET P 通道,金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓(Vdss):60V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):1.9A(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):300 毫歐 @ 1.9A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2V @ 460μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):20nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):460pF @ 25V 功率 - 最大值:1.8W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-261-4,TO-261AA 供應商器件封裝:PG-SOT223-4 標準包裝:1 BSP171PH6327XTSA1 功能描述:MOSFET P-CH 60V 1.9A SOT223 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET P 通道,金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓(Vdss):60V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):1.9A(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):300 毫歐 @ 1.9A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2V @ 460μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):20nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):460pF @ 25V 功率 - 最大值:1.8W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-261-4,TO-261AA 供應商器件封裝:PG-SOT223-4 標準包裝:1 BSP171PE6327T 功能描述:MOSFET P-CH 60V 1.9A SOT223 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET P 通道,金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓(Vdss):60V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):1.9A(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):300 毫歐 @ 1.9A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2V @ 460μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):20nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):460pF @ 25V 功率 - 最大值:1.8W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-261-4,TO-261AA 供應商器件封裝:PG-SOT223-4 標準包裝:1 BSP254A,126 BSP295E6327 BSP295E6327T BSP295H6327XTSA1 BSP295L6327HTSA1 BSP296 E6433 BSP296E6327 BSP296L6327HTSA1 BSP296L6433HTMA1 BSP296NH6327XTSA1 BSP296NH6433XTMA1 BSP297 E6327 BSP297H6327XTSA1 BSP297L6327HTSA1 BSP298 E6327 BSP298H6327XUSA1 BSP298L6327HUSA1 BSP299 E6327
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