BSP171P-E6327

配單專家企業(yè)名單

型號(hào)
供應(yīng)商
數(shù)量
廠商
封裝
批號(hào)
價(jià)格
說(shuō)明
操作

BSP171P-E6327
深圳市英科美電子有限公司
深圳市英科美電子有限公司
聯(lián)系人：張先生
電話：0755-23903058
地址：深圳市福田區(qū)振興路西101號(hào)華勻大廈1棟7F
16800
INFINEON/英飛凌
SOT223
22+
-
每一片都來(lái)自原廠，正品保證

BSP171P-E6327
深圳市煌盛達(dá)科技有限公司
深圳市煌盛達(dá)科技有限公司
聯(lián)系人：王小姐
電話：13823538694
地址：平湖華南城華利嘉
資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照
12000
INFINEON
原廠原封
20+
-
原裝庫(kù)存，全新進(jìn)口，可電13689551...

BSP171P-E6327
深圳市華芯盛世科技有限公司
深圳市華芯盛世科技有限公司
聯(lián)系人：唐先生
電話：0755-8322569219129381337（微信同號(hào)）
地址：廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。
876500
INFINEON
原廠封裝
最新批號(hào)
-
代理此型號(hào)，原裝正品現(xiàn)貨??！

BSP171P-E6327
深圳市湘達(dá)電子有限公司
深圳市湘達(dá)電子有限公司
聯(lián)系人：朱平
電話：0755-83229772-83202753
地址：辦公地址幫我改成深圳市福田區(qū)紅荔路上步工業(yè)區(qū)201棟東座4樓F02室
835
INFINEON
原廠
21+
-
百分百進(jìn)口原裝現(xiàn)貨，價(jià)格有優(yōu)勢(shì)。

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BSP171P-E6327 技術(shù)參數(shù)

BSP171PE6327 功能描述:MOSFET P-CH 60V 1.9A SOT223 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):過(guò)期 FET 類型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:1.9A（Ta）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:300 毫歐 @ 1.9A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 460μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:20nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:460pF @ 25V 功率 - 最大值:1.8W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-261-4，TO-261AA 供應(yīng)商器件封裝:PG-SOT223-4 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BSP170PL6327HTSA1 功能描述:MOSFET P-CH 60V 1.9A SOT-223 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):過(guò)期 FET 類型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:1.9A（Ta）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:300 毫歐 @ 1.9A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:14nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:410pF @ 25V 功率 - 最大值:1.8W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-261-4，TO-261AA 供應(yīng)商器件封裝:PG-SOT223-4 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BSP170PH6327XTSA1 功能描述:MOSFET P-CH 60V 1.9A SOT223 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:1.9A（Ta）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:300 毫歐 @ 1.9A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:14nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:410pF @ 25V 功率 - 最大值:1.8W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-261-4，TO-261AA 供應(yīng)商器件封裝:PG-SOT223-4 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BSP170PE6327T 功能描述:MOSFET P-CH 60V 1.9A SOT223 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):停產(chǎn) FET 類型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:1.9A（Ta）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:300 毫歐 @ 1.9A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:14nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:410pF @ 25V 功率 - 最大值:1.8W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-261-4，TO-261AA 供應(yīng)商器件封裝:PG-SOT223-4 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BSP170PE6327 功能描述:MOSFET P-CH 60V 1.9A SOT223 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):過(guò)期 FET 類型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:1.9A（Ta）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:300 毫歐 @ 1.9A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:14nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:410pF @ 25V 功率 - 最大值:1.8W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-261-4，TO-261AA 供應(yīng)商器件封裝:PG-SOT223-4 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BSP220,115 BSP225,115 BSP230,135 BSP250,115 BSP250,135 BSP254A,126 BSP295E6327 BSP295E6327T BSP295H6327XTSA1 BSP295L6327HTSA1 BSP296 E6433 BSP296E6327 BSP296L6327HTSA1 BSP296L6433HTMA1 BSP296NH6327XTSA1 BSP296NH6433XTMA1 BSP297 E6327 BSP297H6327XTSA1