BSP170 E6327

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BSP170 E6327
深圳市億聯(lián)芯電子科技有限公司
深圳市億聯(lián)芯電子科技有限公司
聯(lián)系人：吳經(jīng)理
電話：18138401919
地址：深圳市福田區(qū)賽格科技園4棟中7樓7B30
69880
INFINEON
SOT-223
2021+
-
★★正規(guī)渠道★原廠正品最新貨源現(xiàn)貨供應★...

BSP170 E6327
深圳市奧偉斯科技有限公司
深圳市奧偉斯科技有限公司
聯(lián)系人：江小姐 ADS觸摸芯片一級代理
電話：0755-83254770
地址：深南中路3006號佳和華強大廈A座7樓整層
資質：營業(yè)執(zhí)照
15000
INFINEON
SOT-223
18+
-
原裝,優(yōu)勢庫存

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BSP170 E6327 技術參數(shù)

BSP16T1G 功能描述:TRANS PNP 300V 0.1A SOT-223 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效晶體管類型:PNP 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:100mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:300V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:2V @ 5mA，50mA 電流 - 集電極截止（最大值）:50μA 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:30 @ 50mA，10V 功率 - 最大值:1.5W 頻率 - 躍遷:15MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-261-4，TO-261AA 供應商器件封裝:SOT-223 標準包裝:1 BSP16T1 功能描述:TRANS PNP 300V 0.1A SOT-223 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):過期晶體管類型:PNP 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:100mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:300V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:2V @ 5mA，50mA 電流 - 集電極截止（最大值）:50μA 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:30 @ 50mA，10V 功率 - 最大值:1.5W 頻率 - 躍遷:15MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-261-4，TO-261AA 供應商器件封裝:SOT-223 標準包裝:1,000 BSP149L6906HTSA1 功能描述:MOSFET N-CH 200V 660MA SOT-223 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:耗盡模式漏源極電壓（Vdss）:200V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:660mA（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:1.8 歐姆 @ 660mA，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1V @ 400μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:14nC @ 5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:430pF @ 25V 功率 - 最大值:1.8W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-261-4，TO-261AA 供應商器件封裝:PG-SOT223-4 標準包裝:1,000 BSP149L6327HTSA1 功能描述:MOSFET N-CH 200V 660MA SOT-223 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:耗盡模式漏源極電壓（Vdss）:200V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:660mA（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:1.8 歐姆 @ 660mA，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1V @ 400μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:14nC @ 5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:430pF @ 25V 功率 - 最大值:1.8W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-261-4，TO-261AA 供應商器件封裝:PG-SOT223-4 標準包裝:1 BSP149H6906XTSA1 功能描述:MOSFET N-CH 200V 660MA SOT-223 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:耗盡模式漏源極電壓（Vdss）:200V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:660mA（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:1.8 歐姆 @ 660mA，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1V @ 400μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:14nC @ 5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:430pF @ 25V 功率 - 最大值:1.8W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-261-4，TO-261AA 供應商器件封裝:PG-SOT223-4 標準包裝:1 BSP18-3K BSP19,115 BSP19AT1 BSP19AT1G BSP19TA BSP220,115 BSP225,115 BSP230,135 BSP250,115 BSP250,135 BSP254A,126 BSP295E6327 BSP295E6327T BSP295H6327XTSA1 BSP295L6327HTSA1 BSP296 E6433 BSP296E6327 BSP296L6327HTSA1