BSP145 E6327

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型號(hào)
供應(yīng)商
數(shù)量
廠商
封裝
批號(hào)
價(jià)格
說明
操作

BSP145 E6327
深圳市億聯(lián)芯電子科技有限公司
深圳市億聯(lián)芯電子科技有限公司
聯(lián)系人：吳經(jīng)理
電話：18138401919
地址：深圳市福田區(qū)賽格科技園4棟中7樓7B30
69880
INFINEON
SOT-223
2021+
-
★★正規(guī)渠道★原廠正品最新貨源現(xiàn)貨供應(yīng)★...

BSP145 E6327
深圳市奧偉斯科技有限公司
深圳市奧偉斯科技有限公司
聯(lián)系人：江小姐 ADS觸摸芯片一級(jí)代理
電話：0755-83254770
地址：深南中路3006號(hào)佳和華強(qiáng)大廈A座7樓整層
資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照
15000
INFINEON
SOT-223
18+
-
原裝,優(yōu)勢(shì)庫(kù)存

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BSP145 E6327 技術(shù)參數(shù)

BSP14-3K 功能描述:Terminal Butt Splice, Inline, Individual Openings Connector Crimp 14-18 AWG Blue 制造商:panduit corp 系列:Pan-Term? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):在售端子類型:對(duì)接接頭，直插式，單獨(dú)開口進(jìn)線數(shù):2 端接:壓接線規(guī):14-18 AWG 絕緣:完全絕緣特性:銅焊縫顏色:藍(lán)色標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BSP135L6906HTSA1 功能描述:MOSFET N-CH 600V 120MA SOT-223 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:耗盡模式漏源極電壓（Vdss）:600V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:120mA（Ta）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:45 歐姆 @ 120mA，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:1V @ 94μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:4.9nC @ 5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:146pF @ 25V 功率 - 最大值:1.8W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-261-4，TO-261AA 供應(yīng)商器件封裝:PG-SOT223-4 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 BSP135L6433HTMA1 功能描述:MOSFET N-CH 600V 120MA SOT-223 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:耗盡模式漏源極電壓（Vdss）:600V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:120mA（Ta）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:45 歐姆 @ 120mA，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:1V @ 94μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:4.9nC @ 5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:146pF @ 25V 功率 - 最大值:1.8W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-261-4，TO-261AA 供應(yīng)商器件封裝:PG-SOT223-4 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BSP135L6327HTSA1 功能描述:MOSFET N-CH 600V 120MA SOT-223 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:耗盡模式漏源極電壓（Vdss）:600V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:120mA（Ta）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:45 歐姆 @ 120mA，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:1V @ 94μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:4.9nC @ 5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:146pF @ 25V 功率 - 最大值:1.8W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-261-4，TO-261AA 供應(yīng)商器件封裝:PG-SOT223-4 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 BSP135H6906XTSA1 功能描述:MOSFET N-CH 600V 120MA SOT223 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:耗盡模式漏源極電壓（Vdss）:600V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:120mA（Ta）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:45 歐姆 @ 120mA，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:1V @ 94μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:4.9nC @ 5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:146pF @ 25V 功率 - 最大值:1.8W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-261-4，TO-261AA 供應(yīng)商器件封裝:PG-SOT223-4 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 BSP170PE6327T BSP170PH6327XTSA1 BSP170PL6327HTSA1 BSP171PE6327 BSP171PE6327T BSP171PH6327XTSA1 BSP171PL6327HTSA1 BSP179H6327XTSA1 BSP18-3K BSP19,115 BSP19AT1 BSP19AT1G BSP19TA BSP220,115 BSP225,115 BSP230,135 BSP250,115 BSP250,135