您好，歡迎來(lái)到買(mǎi)賣(mài)IC網(wǎng) 登錄 | 免費(fèi)注冊(cè)
您現(xiàn)在的位置：買(mǎi)賣(mài)IC網(wǎng) > B字母型號(hào)搜索 > B字母第1518頁(yè) >

BSP135L6327HTSA1

配單專(zhuān)家企業(yè)名單
  • 型號(hào)
  • 供應(yīng)商
  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝
  • 批號(hào)
  • 價(jià)格
  • 說(shuō)明
  • 操作
  • 1/1頁(yè) 40條/頁(yè) 共5條 
  • 1
BSP135L6327HTSA1 PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實(shí)際PDF為準(zhǔn)
  • 制造商
  • Infineon Technologies AG
  • 功能描述
  • Trans MOSFET N-CH 600V 0.12A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
  • 制造商
  • Infineon Technologies AG
  • 功能描述
  • N-KANAL SMALL SIGNAL MOS - Cut TR (SOS)
  • 制造商
  • Infineon Technologies
  • 功能描述
  • Infineon Technologies BSP135L6327HTSA1 MOSFETs
  • 制造商
  • Infineon Technologies AG
  • 功能描述
  • MOSFET N-CH 600V 120MA SOT-223
BSP135L6327HTSA1 技術(shù)參數(shù)
  • BSP135H6906XTSA1 功能描述:MOSFET N-CH 600V 120MA SOT223 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):有效 FET 類(lèi)型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:耗盡模式 漏源極電壓（Vdss）:600V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:120mA（Ta） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:45 歐姆 @ 120mA，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:1V @ 94μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:4.9nC @ 5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:146pF @ 25V 功率 - 最大值:1.8W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-261-4，TO-261AA 供應(yīng)商器件封裝:PG-SOT223-4 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 BSP135H6433XTMA1 功能描述:MOSFET N-CH 600V 120MA SOT-223 制造商:infineon technologies 系列:* 零件狀態(tài):有效 標(biāo)準(zhǔn)包裝:4,000 BSP135H6327XTSA1 功能描述:MOSFET N-CH 600V 120MA SOT-223 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類(lèi)型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:耗盡模式 漏源極電壓（Vdss）:600V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:120mA（Ta） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:45 歐姆 @ 120mA，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:1V @ 94μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:4.9nC @ 5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:146pF @ 25V 功率 - 最大值:1.8W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-261-4，TO-261AA 供應(yīng)商器件封裝:SOT-223-4 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BSP135 E6906 功能描述:MOSFET N-CH 600V 120MA SOT-223 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):過(guò)期 FET 類(lèi)型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:耗盡模式 漏源極電壓（Vdss）:600V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:120mA（Ta） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:45 歐姆 @ 120mA，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:1V @ 94μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:4.9nC @ 5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:146pF @ 25V 功率 - 最大值:1.8W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-261-4，TO-261AA 供應(yīng)商器件封裝:PG-SOT223-4 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 BSP135 E6327 功能描述:MOSFET N-CH 600V 120MA SOT-223 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):停產(chǎn) FET 類(lèi)型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:耗盡模式 漏源極電壓（Vdss）:600V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:120mA（Ta） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:45 歐姆 @ 120mA，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:1V @ 94μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:4.9nC @ 5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:146pF @ 25V 功率 - 最大值:1.8W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-261-4，TO-261AA 供應(yīng)商器件封裝:PG-SOT223-4 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 BSP16T1 BSP16T1G BSP170PE6327 BSP170PE6327T BSP170PH6327XTSA1 BSP170PL6327HTSA1 BSP171PE6327 BSP171PE6327T BSP171PH6327XTSA1 BSP171PL6327HTSA1 BSP179H6327XTSA1 BSP18-3K BSP19,115 BSP19AT1 BSP19AT1G BSP19TA BSP220,115 BSP225,115
發(fā)布緊急采購(gòu)，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購(gòu)需求

(若只采購(gòu)一條型號(hào)，填寫(xiě)一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

*型號(hào) *數(shù)量 廠商 批號(hào) 封裝
添加更多采購(gòu)

我的聯(lián)系方式

*
*
*
配單專(zhuān)家

在采購(gòu)BSP135L6327HTSA1進(jìn)貨過(guò)程中，您使用搜索有什么問(wèn)題和建議？點(diǎn)此反饋

友情提醒：為規(guī)避購(gòu)買(mǎi)BSP135L6327HTSA1產(chǎn)品風(fēng)險(xiǎn)，建議您在購(gòu)買(mǎi)BSP135L6327HTSA1相關(guān)產(chǎn)品前務(wù)必確認(rèn)供應(yīng)商資質(zhì)及產(chǎn)品質(zhì)量。

免責(zé)聲明：以上所展示的BSP135L6327HTSA1信息由會(huì)員自行提供，BSP135L6327HTSA1內(nèi)容的真實(shí)性、準(zhǔn)確性和合法性由發(fā)布會(huì)員負(fù)責(zé)。買(mǎi)賣(mài)IC網(wǎng)不承擔(dān)任何責(zé)任。

買(mǎi)賣(mài)IC網(wǎng) (hkdtupc.cn) 版權(quán)所有?2006-2019
深圳市碩贏互動(dòng)信息技術(shù)有限公司 | 粵公網(wǎng)安備 44030402000118號(hào) | 粵ICP備14064281號(hào)