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BSP135/BSP135

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BSP135/BSP135 技術(shù)參數(shù)
  • BSP135 E6906 功能描述:MOSFET N-CH 600V 120MA SOT-223 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:耗盡模式 漏源極電壓(Vdss):600V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):120mA(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):45 歐姆 @ 120mA,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):1V @ 94μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):4.9nC @ 5V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):146pF @ 25V 功率 - 最大值:1.8W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-261-4,TO-261AA 供應(yīng)商器件封裝:PG-SOT223-4 標準包裝:1,000 BSP135 E6327 功能描述:MOSFET N-CH 600V 120MA SOT-223 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):停產(chǎn) FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:耗盡模式 漏源極電壓(Vdss):600V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):120mA(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):45 歐姆 @ 120mA,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):1V @ 94μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):4.9nC @ 5V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):146pF @ 25V 功率 - 最大值:1.8W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-261-4,TO-261AA 供應(yīng)商器件封裝:PG-SOT223-4 標準包裝:1,000 BSP130,115 功能描述:MOSFET N-CH 300V 350MA SC73 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術(shù):MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):300V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):350mA(Ta) 驅(qū)動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2V @ 1mA Vgs(最大值):±20V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值):120pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散(最大值):1.5W(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):6 歐姆 @ 250mA,10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 供應(yīng)商器件封裝:SOT-223 封裝/外殼:TO-261-4,TO-261AA 標準包裝:1 BSP129L6906HTSA1 功能描述:MOSFET N-CH 240V 350MA SOT-223 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:耗盡模式 漏源極電壓(Vdss):240V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):350mA(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):6 歐姆 @ 350mA,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):1V @ 108μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):5.7nC @ 5V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):108pF @ 25V 功率 - 最大值:1.8W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-261-4,TO-261AA 供應(yīng)商器件封裝:PG-SOT223-4 標準包裝:1,000 BSP129L6327HTSA1 功能描述:MOSFET N-CH 240V 350MA SOT-223 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:耗盡模式 漏源極電壓(Vdss):240V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):350mA(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):6 歐姆 @ 350mA,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):1V @ 108μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):5.7nC @ 5V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):108pF @ 25V 功率 - 最大值:1.8W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-261-4,TO-261AA 供應(yīng)商器件封裝:PG-SOT223-4 標準包裝:1,000 BSP149H6327XTSA1 BSP149H6906XTSA1 BSP149L6327HTSA1 BSP149L6906HTSA1 BSP16T1 BSP16T1G BSP170PE6327 BSP170PE6327T BSP170PH6327XTSA1 BSP170PL6327HTSA1 BSP171PE6327 BSP171PE6327T BSP171PH6327XTSA1 BSP171PL6327HTSA1 BSP179H6327XTSA1 BSP18-3K BSP19,115 BSP19AT1
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