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BSM100GB123D

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  • BSM100GB123D
    BSM100GB123D

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  • 深圳市鵬展勝電子有限公司
    深圳市鵬展勝電子有限公司

    聯(lián)系人：林先生

    電話：13543333538

    地址：深圳市福田區(qū)華強北街道佳和大廈A座2801

    資質：營業(yè)執(zhí)照

  • 500

  • INFINEON

  • 原廠原裝

  • 18+

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  • 專營原裝正品，價錢實惠，有現貨，聯(lián)系電話...

  • BSM100GB123D
    BSM100GB123D

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  • 北京首天偉業(yè)科技有限公司
    北京首天偉業(yè)科技有限公司

    聯(lián)系人：劉先生

    電話：010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址： 廣東省深圳市福田區(qū)華強北街道電子科技大廈C座23E

    資質：營業(yè)執(zhí)照

  • 5000

  • N/A

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  • 假一罰十，百分百原裝正品

  • BSM100GB123D
    BSM100GB123D

    BSM100GB123D

  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

    聯(lián)系人：唐先生

    電話：0755-8322569219129381337（微信同號）

    地址：廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。

  • 8500

  • INFINEON

  • 原廠封裝

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  • BSM100GB123D
    BSM100GB123D

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  • 深圳市鴻昌盛電子科技有限公司
    深圳市鴻昌盛電子科技有限公司

    聯(lián)系人：陳小姐

    電話：13428937514

    地址：門市: 新華強廣場2樓公司: 深圳市福田區(qū)華強北路賽格廣場58樓5813室

    資質：營業(yè)執(zhí)照

  • 88

  • EUPEC

  • 模塊

  • 2010+

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  • 香港原裝現貨 3-5天

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BSM100GB123D 技術參數
  • BSM080D12P2C008 功能描述:SIC POWER MODULE-1200V-80A 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包裝:托盤 零件狀態(tài):在售 FET 類型:2 個 N 溝道（雙） FET 功能:標準 漏源極電壓（Vdss）:1200V（1.2kV） 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:80A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:- 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 13.2mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:- 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:800pF @ 10V 功率 - 最大值:600W 工作溫度:175°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:模塊 供應商器件封裝:模塊 標準包裝:1 BSM-015G-LF 功能描述:Pressure Sensor 15 PSI (103.42 kPa) Vented Gauge 0 mV ~ 79.5 mV (3V) 8-CLCC 制造商:all sensors corporation 系列:- 零件狀態(tài):過期 壓力類型:排氣式壓力計 工作壓力:15 PSI（103.42 kPa） 輸出類型:模擬電壓 輸出:0 mV ~ 79.5 mV（3V） 精度:±2% 電壓 - 電源:6V 端口尺寸:- 端口樣式:無端口 特性:- 端子類型:表面貼裝型 最高壓力:45 PSI（310.26 kPa） 工作溫度:-25°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-CLCC 供應商器件封裝:8-LCC 標準包裝:1 BSM 功能描述:9V MALE SNAP 制造商:mpd (memory protection devices) 系列:- 零件狀態(tài):有效 電池類型，功能:9V，卡入式觸點（單） 樣式:觸點，卡入式（負極） 電池尺寸:9V 電池數:- 電池系列:- 安裝類型:自定義 端子類型:- 板上高度:- 工作溫度:- 標準包裝:1,000 BSL806NL6327HTSA1 功能描述:MOSFET 2N-CH 20V 2.3A 6TSOP 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):過期 FET 類型:2 個 N 溝道（雙） FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:2.3A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:57 毫歐 @ 2.3A，2.5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:750mV @ 11μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:1.7nC @ 2.5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:259pF @ 10V 功率 - 最大值:500mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SOT-23-6 細型，TSOT-23-6 供應商器件封裝:PG-TSOP6-6 標準包裝:1 BSL806NH6327XTSA1 功能描述:MOSFET 2 N-CH 20V 2.3A TSOP6-6 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):在售 FET 類型:2 個 N 溝道（雙） FET 功能:邏輯電平柵極，1.8V 驅動 漏源電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:2.3A（Ta） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:57 毫歐 @ 2.3A，2.5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:750mV @ 11μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:1.7nC @ 2.5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:259pF @ 10V 功率 - 最大值:500mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SOT-23-6 細型，TSOT-23-6 供應商器件封裝:PG-TSOP6-6 標準包裝:3,000 BSM200GB60DLC BSM200GB60DLCHOSA1 BSM2-C BSM2-X BSM300D12P2E001 BSM30GD60DLCE3224 BSM35GD120DN2 BSM35GP120 BSM35GP120BOSA1 BSM50GB170DN2HOSA1 BSM50GB60DLCHOSA1 BSM50GD120DN2G BSM50GP120 BSM50GP120BOSA1 BSM6-L BSM6-X BSM75GB170DN2HOSA1 BSM75GB60DLCHOSA1
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