BMS400S

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型號(hào)
供應(yīng)商
數(shù)量
廠商
封裝
批號(hào)
價(jià)格
說(shuō)明
操作

BMS400S
深圳市華芯盛世科技有限公司
深圳市華芯盛世科技有限公司
聯(lián)系人：唐先生
電話：0755-8322569219129381337（微信同號(hào)）
地址：廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。
865000
BW
SMD
最新批號(hào)
-
一級(jí)代理.原裝特價(jià)現(xiàn)貨！

BMS400S
北京元坤偉業(yè)科技有限公司
北京元坤偉業(yè)科技有限公司
聯(lián)系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀區(qū)中關(guān)村大街32號(hào)和盛嘉業(yè)大廈10層1008室
資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照
6000
BW
805
15+
-
原裝正品，假一罰十

1/1頁(yè) 40條/頁(yè) 共17條
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您是不是要找： BMS-D-48 BMS-DA-48 BMS-S-48 BMS-SA-48 BMVK100ADA150ME60G BMVK100ADA330MF60G BMVK100ADA6R8MD60G BMVK160ADA100ME60G BMVK160ADA220MF60G

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BMS400S 技術(shù)參數(shù)

BMS4007-1E 功能描述:MOSFET N-CH 75V 60A TO-220ML 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:管件零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:75V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:60A（Ta）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:7.8 毫歐 @ 30A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:160nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:9700pF @ 20V 功率 - 最大值:2W 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-220-3 整包供應(yīng)商器件封裝:TO-220ML 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 BMS4007 功能描述:MOSFET N-CH 75V 60A TO-220ML 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):過(guò)期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:75V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:60A（Ta）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:7.8 毫歐 @ 30A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:160nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:9700pF @ 20V 功率 - 最大值:2W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-220-3 整包供應(yīng)商器件封裝:TO-220ML 標(biāo)準(zhǔn)包裝:100 BMS4003 功能描述:MOSFET N-CH 100V 18A TO-220ML 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):過(guò)期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:100V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:18A（Ta）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:65 毫歐 @ 9A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 1mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:11.4nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:680pF @ 20V 功率 - 最大值:2W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-220-3 整包供應(yīng)商器件封裝:TO-220ML 標(biāo)準(zhǔn)包裝:100 BMS3004-1E 功能描述:MOSFET P-CH 75V 68A TO-220F-3SG 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:管件零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極，4V 驅(qū)動(dòng) 漏源極電壓（Vdss）:75V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:68A（Ta）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:8.5 毫歐 @ 34A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:300nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:13400pF @ 20V 功率 - 最大值:2W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-220-3 整包供應(yīng)商器件封裝:TO-220F-3SG 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 BMS3003-1E 功能描述:MOSFET P-CH 60V 78A 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:管件零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極，4V 驅(qū)動(dòng) 漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:78A（Ta）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:6.5 毫歐 @ 39A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:285nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:13200pF @ 20V 功率 - 最大值:2W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-220-3 整包供應(yīng)商器件封裝:TO-220F-3SG 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 BMVK160ADA4R7MD60G BMVK250ADA150MF60G BMVK250ADA3R3MD60G BMVK250ADA6R8ME60G BMVK350ADA100MF60G BMVK350ADA2R2MD60G BMVK350ADA4R7ME60G BMVK500ADA1R0MD60G BMVK500ADA1R5MD60G BMVK500ADA2R2ME60G BMVK500ADA3R3ME60G BMVK500ADA4R7MF60G BMVK500ADA6R8MF60G BMVK500ADAR10MD60G BMVK500ADAR15MD60G BMVK500ADAR22MD60G BMVK500ADAR33MD60G BMVK500ADAR47MD60G