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BFR 35AP

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  • BFR 35AP E6327
    BFR 35AP E6327

    BFR 35AP E6327

  • 北京首天偉業(yè)科技有限公司
    北京首天偉業(yè)科技有限公司

    聯(lián)系人：劉先生

    電話：010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址： 廣東省深圳市福田區(qū)華強北街道電子科技大廈C座23E

    資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照

  • 5000

  • Infineon Technologies

  • 標準封裝

  • 15+

  • -

  • 百分百原裝假一罰十

  • BFR 35AP E6327
    BFR 35AP E6327

    BFR 35AP E6327

  • 深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
    深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司

    聯(lián)系人：雷春艷

    電話：19129493934（手機優(yōu)先微信同號）0755-83266697

    地址：深圳市福田區(qū)華強北街道華強北路1016號寶華大廈A座2028室

    資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照

  • 9500

  • INFINEON

  • 1521+

  • -

  • 全新原裝現(xiàn)貨

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  • 1
BFR 35AP PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準
BFR 35AP 技術(shù)參數(shù)
  • BFR 340T E6327 功能描述:RF Transistor NPN 9V 10mA 14GHz 60mW Surface Mount PG-SC-75 制造商:infineon technologies 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):停產(chǎn) 晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:9V 頻率 - 躍遷:14GHz 噪聲系數(shù)（dB，不同 f 時的典型值）:1.15dB @ 1.8GHz 增益:15dB 功率 - 最大值:60mW 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:60 @ 5mA，3V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:10mA 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-75，SOT-416 供應(yīng)商器件封裝:PG-SC-75 標準包裝:3,000 BFR 193W E6327 功能描述:RF Transistor NPN 12V 80mA 8GHz 580mW Surface Mount PG-SOT323-3 制造商:infineon technologies 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):過期 晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:12V 頻率 - 躍遷:8GHz 噪聲系數(shù)（dB，不同 f 時的典型值）:1dB ~ 1.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz 增益:10.5dB ~ 16dB 功率 - 最大值:580mW 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:70 @ 30mA，8V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:80mA 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-70，SOT-323 供應(yīng)商器件封裝:PG-SOT323-3 標準包裝:1 BFR 193L3 E6327 功能描述:RF Transistor NPN 12V 80mA 8GHz 580mW Surface Mount PG-TSLP-3 制造商:infineon technologies 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:12V 頻率 - 躍遷:8GHz 噪聲系數(shù)（dB，不同 f 時的典型值）:1dB ~ 1.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz 增益:12.5dB ~ 19dB 功率 - 最大值:580mW 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:70 @ 30mA，8V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:80mA 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-101，SOT-883 供應(yīng)商器件封裝:PG-TSLP-3 標準包裝:1 BFR 193 E6327 功能描述:RF Transistor NPN 12V 80mA 8GHz 580mW Surface Mount PG-SOT23-3 制造商:infineon technologies 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:12V 頻率 - 躍遷:8GHz 噪聲系數(shù)（dB，不同 f 時的典型值）:1dB ~ 1.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz 增益:10dB ~ 15dB 功率 - 最大值:580mW 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:70 @ 30mA，8V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:80mA 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商器件封裝:PG-SOT23-3 標準包裝:1 BFR 183W E6327 功能描述:RF Transistor NPN 12V 65mA 8GHz 450mW Surface Mount PG-SOT323-3 制造商:infineon technologies 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):過期 晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:12V 頻率 - 躍遷:8GHz 噪聲系數(shù)（dB，不同 f 時的典型值）:0.9dB ~ 1.4dB @ 900MHz ~ 1.8GHz 增益:18.5dB 功率 - 最大值:450mW 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:70 @ 15mA，8V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:65mA 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-70，SOT-323 供應(yīng)商器件封裝:PG-SOT323-3 標準包裝:1 BFR 740L3 E6327 BFR 740L3RH E6327 BFR 92P E6327 BFR 92W E6327 BFR 93A E6327 BFR 93AW E6327 BFR 949L3 E6327 BFR 949T E6327 BFR.3K.100.NAS BFR106,215 BFR106E6327HTSA1 BFR10SL3P1 BFR10SL3S1 BFR10SL4P1 BFR10SL4S1 BFR12S3P1 BFR12SA10P1 BFR14S-1P-1
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