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B65526-A2000

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  • 深圳市鴻昌盛電子科技有限公司
    深圳市鴻昌盛電子科技有限公司

    聯(lián)系人:陳小姐

    電話(huà):13428937514

    地址:門(mén)市: 新華強(qiáng)廣場(chǎng)2樓公司: 深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北路賽格廣場(chǎng)58樓5813室

    資質(zhì):營(yíng)業(yè)執(zhí)照

  • 398

  • EPCOS

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  • 1
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  • 制造商
  • EPCOS
  • 制造商全稱(chēng)
  • EPCOS
  • 功能描述
  • ER 11/5 Core
B65526-A2000 技術(shù)參數(shù)
  • B65525JY38 功能描述:FERRITE CORE ER 6.4UH T38 制造商:epcos (tdk) 系列:B65525 零件狀態(tài):有效 內(nèi)核類(lèi)型:ER 電感因數(shù)(Al):6.4μH 容差:-30%,+40% 間隙:無(wú)缺口 有效磁導(dǎo)率 (μe):5600 初始磁導(dǎo)率(μi):10000 材料:T38 磁心因數(shù)(ΣI/A) mm-1:1.1 有效長(zhǎng)度(e) mm:14.1 有效面積(Ae)mm2:12.4 最小磁心橫截面(Amin)?mm2:- 有效磁體體積(Ve) mm3:174 表面:無(wú)涂層 供應(yīng)商器件封裝:ER 11 x 5 高度:2.50mm 長(zhǎng)度:11.00mm 寬度:6.00mm 直徑:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 B65525JR97 功能描述:FERRITE CORE ER 1.2UH N97 2PCS 制造商:epcos (tdk) 系列:B65525 零件狀態(tài):在售 內(nèi)核類(lèi)型:ER 電感因數(shù)(Al):1.2μH 容差:-20%,+30% 間隙:無(wú)缺口 有效磁導(dǎo)率 (μe):1086 初始磁導(dǎo)率(μi):2300 材料:N97 磁心因數(shù)(ΣI/A) mm-1:1.1 有效長(zhǎng)度(e) mm:14.1 有效面積(Ae)mm2:12.4 有效磁體體積(Ve) mm3:174 表面:無(wú)涂層 供應(yīng)商器件封裝:ER 11 x 5 高度:2.50mm 長(zhǎng)度:11.00mm 寬度:6.00mm 直徑:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 B65525JR92 功能描述:FERRITE CORE ER 900NH N92 制造商:epcos (tdk) 系列:B65525 零件狀態(tài):有效 內(nèi)核類(lèi)型:ER 電感因數(shù)(Al):900nH 容差:-20%,+30% 間隙:無(wú)缺口 有效磁導(dǎo)率 (μe):814 初始磁導(dǎo)率(μi):1500 材料:N92 磁心因數(shù)(ΣI/A) mm-1:1.1 有效長(zhǎng)度(e) mm:14.1 有效面積(Ae)mm2:12.4 最小磁心橫截面(Amin)?mm2:- 有效磁體體積(Ve) mm3:174 表面:無(wú)涂層 供應(yīng)商器件封裝:ER 11 x 5 高度:2.50mm 長(zhǎng)度:11.00mm 寬度:6.00mm 直徑:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 B65525JR87 功能描述:FERRITE CORE ER 1.2UH N87 制造商:epcos (tdk) 系列:B65525 零件狀態(tài):有效 內(nèi)核類(lèi)型:ER 電感因數(shù)(Al):1.2μH 容差:-20%,+30% 間隙:無(wú)缺口 有效磁導(dǎo)率 (μe):1050 初始磁導(dǎo)率(μi):2200 材料:N87 磁心因數(shù)(ΣI/A) mm-1:1.1 有效長(zhǎng)度(e) mm:14.1 有效面積(Ae)mm2:12.4 最小磁心橫截面(Amin)?mm2:- 有效磁體體積(Ve) mm3:174 表面:無(wú)涂層 供應(yīng)商器件封裝:ER 11 x 5 高度:2.50mm 長(zhǎng)度:11.00mm 寬度:6.00mm 直徑:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 B65525JR49 功能描述:FERRITE CORE ER 800NH N49 制造商:epcos (tdk) 系列:B65525 零件狀態(tài):有效 內(nèi)核類(lèi)型:ER 電感因數(shù)(Al):800nH 容差:-20%,+30% 間隙:無(wú)缺口 有效磁導(dǎo)率 (μe):715 初始磁導(dǎo)率(μi):- 材料:N49 磁心因數(shù)(ΣI/A) mm-1:1.1 有效長(zhǎng)度(e) mm:14.1 有效面積(Ae)mm2:12.4 最小磁心橫截面(Amin)?mm2:- 有效磁體體積(Ve) mm3:174 表面:無(wú)涂層 供應(yīng)商器件封裝:ER 11 x 5 高度:2.50mm 長(zhǎng)度:11.00mm 寬度:6.00mm 直徑:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 B65531D0040A001 B65531D0040A033 B65531D0063A033 B65531D0100A048 B65531D0400J048 B65531D100A48 B65531D160A48 B65531D250A48 B65531D25A1 B65531D400J48 B65531D40A1 B65531D40A33 B65531D63A33 B65531DR30 B65531DR33 B65531DR48 B65531T0000R048 B65531T0100A033
配單專(zhuān)家

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