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AUIRLR3915TR

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  • AUIRLR3915TRPBF
    AUIRLR3915TRPBF

    AUIRLR3915TRPBF

  • 深圳市深美諾電子科技有限公司
    深圳市深美諾電子科技有限公司

    聯(lián)系人：李燕兵

    電話：82525918

    地址：深圳市福田區(qū)華強北路上步工業(yè)區(qū)101棟5樓517-532室

    資質：營業(yè)執(zhí)照

  • 6000

  • I

  • TO-252

  • 22+

  • -

  • 全新原裝現(xiàn)貨供應

  • AUIRLR3915TR
    AUIRLR3915TR

    AUIRLR3915TR

  • 北京元坤偉業(yè)科技有限公司
    北京元坤偉業(yè)科技有限公司

    聯(lián)系人：劉先生

    電話：010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址：北京市海淀區(qū)中關村大街32號和盛嘉業(yè)大廈10層1008室

    資質：營業(yè)執(zhí)照

  • 638850

  • IR

  • TO-252

  • 最新批次

  • -

  • OEM渠道，價格超越代理！

  • AUIRLR3915TRR
    AUIRLR3915TRR

    AUIRLR3915TRR

  • 深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
    深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司

    聯(lián)系人：雷春艷

    電話：19129493934（手機優(yōu)先微信同號）0755-83266697

    地址：深圳市福田區(qū)華強北街道華強北路1016號寶華大廈A座2028室

    資質：營業(yè)執(zhí)照

  • 5000

  • INTERNATI

  • 1521+

  • -

  • 全新原裝現(xiàn)貨

  • AUIRLR3915TR
    AUIRLR3915TR

    AUIRLR3915TR

  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

    聯(lián)系人：唐先生

    電話：0755-8322569219129381337（微信同號）

    地址：廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。

  • 865000

  • IR

  • 原廠封裝

  • 最新批號

  • -

  • 代理此型號，原裝正品公司現(xiàn)貨！

  • 1/1頁 40條/頁 共18條 
  • 1
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  • 功能描述
  • MOSFET 55V, 61A, 14 mOhm Auto Lgc Lvl MOSFET
  • RoHS
  • 否
  • 制造商
  • STMicroelectronics
  • 晶體管極性
  • N-Channel
  • 汲極/源極擊穿電壓
  • 650 V
  • 閘/源擊穿電壓
  • 25 V
  • 漏極連續(xù)電流
  • 130 A
  • 電阻汲極/源極 RDS（導通）
  • 0.014 Ohms
  • 配置
  • Single
  • 最大工作溫度
  • 安裝風格
  • Through Hole
  • 封裝 / 箱體
  • Max247
  • 封裝
  • Tube
AUIRLR3915TR 技術參數(shù)
  • AUIRLR3915 功能描述:MOSFET N-CH 55V 61A DPAK 制造商:infineon technologies 系列:HEXFET? 包裝:管件 零件狀態(tài):停產 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓（Vdss）:55V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:30A（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:14 毫歐 @ 30A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:3V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:92nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:1870pF @ 25V 功率 - 最大值:120W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 供應商器件封裝:D-PAK（TO-252AA） 標準包裝:75 AUIRLR3705Z 功能描述:MOSFET N-CH 55V 42A DPAK 制造商:infineon technologies 系列:HEXFET? 包裝:管件 零件狀態(tài):停產 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓（Vdss）:55V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:42A（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:8 毫歐 @ 42A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:3V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:66nC @ 5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:2900pF @ 25V 功率 - 最大值:130W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 供應商器件封裝:D-Pak 標準包裝:75 AUIRLR3636 功能描述:MOSFET N-CH 60V 99A DPAK 制造商:infineon technologies 系列:HEXFET? 包裝:管件 零件狀態(tài):停產 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:50A（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:6.8 毫歐 @ 50A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 100μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:49nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:3779pF @ 50V 功率 - 最大值:143W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 供應商器件封裝:D-Pak 標準包裝:75 AUIRLR3410TRL 功能描述:MOSFET N-CH 100V 17A DPAK 制造商:infineon technologies 系列:汽車級，AEC-Q101，HEXFET? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術:MOSFET (Metal Oxide) 漏源極電壓（Vdss）:100V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:17A（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:105 毫歐 @ 10A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:34nC @ 5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:800pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:* 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 供應商器件封裝:D-Pak 標準包裝:1 AUIRLR3410TR 功能描述:MOSFET N-CH 100V 17A DPAK 制造商:infineon technologies 系列:HEXFET? 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術:MOSFET（金屬氧化物） 漏源電壓（Vdss）:100V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:17A（Tc） 驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:4V，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:34nC @ 5V Vgs（最大值）:±16V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:800pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:79W（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:105 毫歐 @ 10A，10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 供應商器件封裝:D-Pak 封裝/外殼:TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63 標準包裝:2,000 AUIRLS4030-7P AUIRLS4030-7TRL AUIRLS4030TRL AUIRLS8409-7P AUIRLS8409-7TRL AUIRLSL3036 AUIRLU024Z AUIRLU2905 AUIRLU3110Z AUIRLU3114Z AUIRLZ24NS AUIRLZ24NSTRL AUIRLZ44Z AUIRLZ44ZL AUIRLZ44ZS AUIRLZ44ZSTRL AUIRS1170STR AUIRS2003S
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