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AUIRG4BC30U-SL

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  • 深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
    深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司

    聯(lián)系人:何芝

    電話:19129491934(手機優(yōu)先微信同號)0755-82865099

    地址:深圳市福田區(qū)華強北街道華強北路1016號寶華大廈A座2028室

    資質(zhì):營業(yè)執(zhí)照

  • 2350

  • IR

  • TO-262

  • 201315+

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  • 原裝正品,現(xiàn)貨庫存!400-800-03...

  • AUIRG4BC30U-SL
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  • 深圳市芯睿晨科技有限公司
    深圳市芯睿晨科技有限公司

    聯(lián)系人:李小姐/肖先生

    電話:0755-8257149682571956

    地址:賽格廣場69樓6900

    資質(zhì):營業(yè)執(zhí)照

  • 8035

  • IR

  • TO-262

  • 21+

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  • 1/1頁 40條/頁 共4條 
  • 1
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AUIRG4BC30U-SL 技術(shù)參數(shù)
  • AUIRG4BC30U-S 功能描述:IGBT 600V 23A 100W D2PAK 制造商:infineon technologies 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):在售 IGBT 類型:- 電壓 - 集射極擊穿(最大值):600V 電流 - 集電極(Ic)(最大值):23A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):92A 不同?Vge,Ic 時的?Vce(on):2.1V @ 15V,12A 功率 - 最大值:100W 開關(guān)能量:360μJ 輸入類型:標準 柵極電荷:50nC 25°C 時 Td(開/關(guān))值:17ns/78ns 測試條件:480V,12A,23 歐姆,15V 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-263-3,D2Pak(2 引線 + 接片),TO-263AB 供應(yīng)商器件封裝:D2PAK 基本零件編號:* 標準包裝:1,000 AUIRG4BC30SSTRL 功能描述:IGBT 600V 34A 100W Surface Mount D2PAK 制造商:infineon technologies 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):有效 IGBT 類型:- 電壓 - 集射極擊穿(最大值):600V 電流 - 集電極(Ic)(最大值):34A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):68A 不同?Vge,Ic 時的?Vce(on):1.6V @ 15V,18A 功率 - 最大值:100W 開關(guān)能量:260μJ(開),3.45mJ(關(guān)) 輸入類型:標準 柵極電荷:50nC 25°C 時 Td(開/關(guān))值:22ns/540ns 測試條件:480V,18A,23 歐姆,15V 反向恢復(fù)時間(trr):- 封裝/外殼:TO-263-3,D2Pak(2 引線+接片),TO-263AB 安裝類型:表面貼裝 供應(yīng)商器件封裝:D2PAK 標準包裝:800 AUIRG4BC30S-S 功能描述:IGBT 600V 34A 100W Surface Mount D2PAK 制造商:infineon technologies 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):停產(chǎn) IGBT 類型:- 電壓 - 集射極擊穿(最大值):600V 電流 - 集電極(Ic)(最大值):34A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):68A 不同?Vge,Ic 時的?Vce(on):1.6V @ 15V,18A 功率 - 最大值:100W 開關(guān)能量:260μJ(開),3.45mJ(關(guān)) 輸入類型:標準 柵極電荷:50nC 25°C 時 Td(開/關(guān))值:22ns/540ns 測試條件:480V,18A,23 歐姆,15V 反向恢復(fù)時間(trr):- 封裝/外殼:TO-263-3,D2Pak(2 引線+接片),TO-263AB 安裝類型:表面貼裝 供應(yīng)商器件封裝:D2PAK 標準包裝:50 AUIRFZ48ZS 功能描述:MOSFET N-CH 55V 61A D2PAK 制造商:infineon technologies 系列:HEXFET? 包裝:管件 零件狀態(tài):停產(chǎn) FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):55V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):61A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):11 毫歐 @ 37A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):64nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):1720pF @ 25V 功率 - 最大值:91W 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-263-3,D2Pak(2 引線+接片),TO-263AB 供應(yīng)商器件封裝:D2PAK 標準包裝:50 AUIRFZ48Z 功能描述:MOSFET N-CH 55V 61A TO220AB 制造商:infineon technologies 系列:HEXFET? 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):55V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):61A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):11 毫歐 @ 37A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):64nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):1720pF @ 25V 功率 - 最大值:91W 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-220 標準包裝:50 AUIRGP35B60PD AUIRGP35B60PD-E AUIRGP4062D AUIRGP4062D1 AUIRGP4062D1-E AUIRGP4062D-E AUIRGP4063D AUIRGP4063D-E AUIRGP4066D1 AUIRGP4066D1-E AUIRGP50B60PD1 AUIRGP50B60PD1E AUIRGP65A40D0 AUIRGP65G40D0 AUIRGP66524D0 AUIRGP76524D0 AUIRGPS4067D1 AUIRGPS4070D0
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