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AUIRG4BC30S-S

配單專家企業(yè)名單
  • 型號
  • 供應(yīng)商
  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝
  • 批號
  • 價格
  • 說明
  • 操作
  • AUIRG4BC30S-S
    AUIRG4BC30S-S

    AUIRG4BC30S-S

  • 深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
    深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司

    聯(lián)系人:雷春艷

    電話:19129493934(手機優(yōu)先微信同號)0755-83266697

    地址:深圳市福田區(qū)華強北街道華強北路1016號寶華大廈A座2028室

    資質(zhì):營業(yè)執(zhí)照

  • 5000

  • INTERNATI

  • 1521+

  • -
  • 全新原裝現(xiàn)貨

  • AUIRG4BC30S-SL
    AUIRG4BC30S-SL

    AUIRG4BC30S-SL

  • 深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
    深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司

    聯(lián)系人:何芝

    電話:19129491934(手機優(yōu)先微信同號)0755-82865099

    地址:深圳市福田區(qū)華強北街道華強北路1016號寶華大廈A座2028室

    資質(zhì):營業(yè)執(zhí)照

  • 2350

  • IR

  • TO-262

  • 201315+

  • -
  • 原裝正品,現(xiàn)貨庫存!400-800-03...

  • AUIRG4BC30S-S
    AUIRG4BC30S-S

    AUIRG4BC30S-S

  • 深圳市琦凌凱科技有限公司
    深圳市琦凌凱科技有限公司

    聯(lián)系人:彭先生

    電話:1331648214918276240346

    地址:深圳市福田區(qū)華強北街道荔村社區(qū)振興路120號賽格科技園4棟中10層10A19

    資質(zhì):營業(yè)執(zhí)照

  • 6000

  • IR

  • D2PAK

  • 22+

  • -
  • 十年配單,只做原裝

  • AUIRG4BC30S-S
    AUIRG4BC30S-S

    AUIRG4BC30S-S

  • 深圳市德力誠信科技有限公司
    深圳市德力誠信科技有限公司

    聯(lián)系人:王小姐

    電話:13305449939

    地址:上海市靜安區(qū)恒豐路568號恒匯國際大廈903室

  • 452896

  • INFINEON

  • con

  • 24+

  • -
  • 現(xiàn)貨常備京北通宇商城可查價格

  • AUIRG4BC30S-S
    AUIRG4BC30S-S

    AUIRG4BC30S-S

  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

    聯(lián)系人:唐先生

    電話:0755-8322569219129381337(微信同號)

    地址:廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。

  • 865000

  • INFINEON

  • 原廠封裝

  • 最新批號

  • -
  • 一級代理.原裝特價現(xiàn)貨!

  • AUIRG4BC30S-S
    AUIRG4BC30S-S

    AUIRG4BC30S-S

  • 中山市翔美達電子科技有限公司
    中山市翔美達電子科技有限公司

    聯(lián)系人:朱小姐

    電話:155020706551802218672813590991023

    地址:火炬開發(fā)區(qū)中山港大道99號金盛廣場1棟613室

  • 9000

  • 英飛凌

  • SOP

  • 20+

  • -
  • 公司全新原裝正品,QQ153058080...

  • 1/1頁 40條/頁 共18條 
  • 1
AUIRG4BC30S-S PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實際PDF為準(zhǔn)
  • 功能描述
  • IGBT 晶體管 600V AUTO DC-1 KHZ DISCRETE IGBT
  • RoHS
  • 制造商
  • Fairchild Semiconductor
  • 配置
  • 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO
  • 650 V
  • 集電極—射極飽和電壓
  • 2.3 V
  • 柵極/發(fā)射極最大電壓
  • 20 V
  • 在25 C的連續(xù)集電極電流
  • 150 A
  • 柵極—射極漏泄電流
  • 400 nA
  • 功率耗散
  • 187 W
  • 最大工作溫度
  • 封裝 / 箱體
  • TO-247
  • 封裝
  • Tube
AUIRG4BC30S-S 技術(shù)參數(shù)
  • AUIRFZ48ZS 功能描述:MOSFET N-CH 55V 61A D2PAK 制造商:infineon technologies 系列:HEXFET? 包裝:管件 零件狀態(tài):停產(chǎn) FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):55V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):61A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):11 毫歐 @ 37A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):64nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):1720pF @ 25V 功率 - 最大值:91W 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-263-3,D2Pak(2 引線+接片),TO-263AB 供應(yīng)商器件封裝:D2PAK 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 AUIRFZ48Z 功能描述:MOSFET N-CH 55V 61A TO220AB 制造商:infineon technologies 系列:HEXFET? 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):55V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):61A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):11 毫歐 @ 37A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):64nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):1720pF @ 25V 功率 - 最大值:91W 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-220 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 AUIRFZ48N 功能描述:MOSFET N CH 55V 69A TO-220AB 制造商:infineon technologies 系列:HEXFET? 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):55V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):69A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):14 毫歐 @ 40A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 100μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):63nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):1900pF @ 25V 功率 - 最大值:160W 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-220AB 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 AUIRFZ46NL 功能描述:MOSFET N-CH 55V 53A TO-262 制造商:infineon technologies 系列:HEXFET? 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):55V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):39A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):16.5 毫歐 @ 28A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):72nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):1696pF @ 25V 功率 - 最大值:3.8W 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-262-3,長引線,I2Pak,TO-262AA 供應(yīng)商器件封裝:TO-262 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 AUIRFZ44ZSTRL 功能描述:MOSFET N-CH 55V 51A D2PAK 制造商:infineon technologies 系列:HEXFET? 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):55V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):51A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):13.9 毫歐 @ 31A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):43nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):1420pF @ 25V 功率 - 最大值:80W 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-263-3,D2Pak(2 引線+接片),TO-263AB 供應(yīng)商器件封裝:D2PAK 標(biāo)準(zhǔn)包裝:800 AUIRGF66524D0 AUIRGF76524D0 AUIRGP35B60PD AUIRGP35B60PD-E AUIRGP4062D AUIRGP4062D1 AUIRGP4062D1-E AUIRGP4062D-E AUIRGP4063D AUIRGP4063D-E AUIRGP4066D1 AUIRGP4066D1-E AUIRGP50B60PD1 AUIRGP50B60PD1E AUIRGP65A40D0 AUIRGP65G40D0 AUIRGP66524D0 AUIRGP76524D0
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