AUIRFU024N

配單專家企業(yè)名單

型號(hào)
供應(yīng)商
數(shù)量
廠商
封裝
批號(hào)
價(jià)格
說(shuō)明
操作

AUIRFU024N
深圳市琦凌凱科技有限公司
深圳市琦凌凱科技有限公司
聯(lián)系人：彭先生
電話：1331648214918276240346
地址：深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北街道荔村社區(qū)振興路120號(hào)賽格科技園4棟中10層10A19
資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照
6000
I
I-PAK
22+
-
十年配單，只做原裝

AUIRFU024N
無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司
無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司
聯(lián)系人：劉小姐
電話：15961889150
地址：江蘇省無(wú)錫市新區(qū)新梅路68號(hào)
資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照
1000
isc/固電半導(dǎo)體
IPAK/TO-251
24+
-
國(guó)產(chǎn)品牌，替代進(jìn)口

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AUIRFU024N 技術(shù)參數(shù)

AUIRFSL8409 功能描述:MOSFET N-CH 40V 195A TO-262 制造商:infineon technologies 系列:HEXFET? 包裝:管件零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:40V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:195A（Tc）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:1.2 毫歐 @ 100A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:3.9V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:450nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:14240pF @ 25V 功率 - 最大值:375W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-262-3短引線，I2Pak 供應(yīng)商器件封裝:TO-262 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 AUIRFSL6535 功能描述:MOSFET NCH 300V 19A TO262 制造商:infineon technologies 系列:汽車級(jí)，AEC-Q101，HEXFET? 包裝:管件零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:300V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:19A（Tc）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:185 毫歐 @ 11A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 150μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:57nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:2340pF @ 25V 功率 - 最大值:210W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-262-3，長(zhǎng)引線，I2Pak，TO-262AA 供應(yīng)商器件封裝:TO-262-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 AUIRFSL4310 功能描述:MOSFET N-CH 100V 75A TO262 制造商:infineon technologies 系列:HEXFET? 包裝:管件零件狀態(tài):最後搶購(gòu) FET 類型:N 溝道技術(shù):MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:100V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:75A（Tc）不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）:250nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）:7670pF @ 50V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:300W（Tc）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:7 毫歐 @ 75A，10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:通孔供應(yīng)商器件封裝:TO-262 封裝/外殼:TO-262-3，長(zhǎng)引線，I2Pak，TO-262AA 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 AUIRFSL4115 功能描述:MOSFET N CH 150V 99A TO262 制造商:infineon technologies 系列:HEXFET? 包裝:管件零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:150V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:99A（Tc）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:12.1 毫歐 @ 62A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:120nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:5270pF @ 50V 功率 - 最大值:375W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-262-3，長(zhǎng)引線，I2Pak，TO-262AA 供應(yīng)商器件封裝:TO-262 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 AUIRFSA8409-7TRL 功能描述:MOSFET NCH 40V 523A D2PAK 制造商:infineon technologies 系列:汽車級(jí)，AEC-Q101，HEXFET? 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:40V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:523A（Tc）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:0.69 毫歐 @ 100A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:3.9V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:460nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:13975pF @ 25V 功率 - 最大值:375W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-263-7，D2Pak（6 引線+接片）供應(yīng)商器件封裝:D2PAK（7-Lead）標(biāo)準(zhǔn)包裝:800 AUIRFZ24NSTRL AUIRFZ24NSTRR AUIRFZ34N AUIRFZ44N AUIRFZ44NS AUIRFZ44VZS AUIRFZ44VZSTRL AUIRFZ44Z AUIRFZ44ZS AUIRFZ44ZSTRL AUIRFZ46NL AUIRFZ48N AUIRFZ48Z AUIRFZ48ZS AUIRG4BC30S-S AUIRG4BC30SSTRL AUIRG4BC30U-S AUIRG4BC30USTRL