AUIRFS3207ZTRL

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AUIRFS3207ZTRL
深圳市華盛錦科技有限公司
深圳市華盛錦科技有限公司
聯(lián)系人：雷小姐
電話：0755-2391507123915070（承諾只售原裝正品，終端BOM配單一站式服務(wù)）
地址：華強(qiáng)街道賽格廣場(chǎng)55樓5566室
資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照
69860
IR
2020+
-
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功能描述
MOSFET 75V 170A 4.1 mOhm Automotive MOSFET
RoHS
否
制造商
STMicroelectronics
晶體管極性
N-Channel
汲極/源極擊穿電壓
650 V
閘/源擊穿電壓
25 V
漏極連續(xù)電流
130 A
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）
0.014 Ohms
配置
Single
最大工作溫度
安裝風(fēng)格
Through Hole
封裝 / 箱體
Max247
封裝
Tube

AUIRFS3207ZTRL 技術(shù)參數(shù)

AUIRFS3207Z 功能描述:MOSFET N-CH 75V 170A D2PAK 制造商:infineon technologies 系列:HEXFET? 包裝:管件零件狀態(tài):停產(chǎn) FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:75V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:120A（Tc）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:4.1 毫歐 @ 75A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 150μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:170nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:6920pF @ 50V 功率 - 最大值:300W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線+接片），TO-263AB 供應(yīng)商器件封裝:D2PAK 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 AUIRFS3206TRL 功能描述:MOSFET N-CH 60V 210A D2PAK 制造商:infineon technologies 系列:HEXFET? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):停產(chǎn) FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:120A（Tc）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:3 毫歐 @ 75A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 150μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:170nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:6540pF @ 50V 功率 - 最大值:300W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線+接片），TO-263AB 供應(yīng)商器件封裝:D2PAK 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 AUIRFS3206 功能描述:MOSFET N-CH 60V 210A D2PAK 制造商:infineon technologies 系列:HEXFET? 包裝:管件零件狀態(tài):停產(chǎn) FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:120A（Tc）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:3 毫歐 @ 75A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 150μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:170nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:6540pF @ 50V 功率 - 最大值:300W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線+接片），TO-263AB 供應(yīng)商器件封裝:D2PAK 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 AUIRFS3107TRL 功能描述:MOSFET N-CH 75V 230A D2PAK 制造商:infineon technologies 系列:HEXFET? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓（Vdss）:75V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:195A（Tc）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:3 毫歐 @ 140A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:240nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:9370pF @ 50V 功率 - 最大值:370W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線+接片），TO-263AB 供應(yīng)商器件封裝:D2PAK 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 AUIRFS3107-7P 功能描述:MOSFET N-CH 75V 230A D2PAK-7P 制造商:infineon technologies 系列:HEXFET? 包裝:管件零件狀態(tài):停產(chǎn) FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:75V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:240A（Tc）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:2.6 毫歐 @ 160A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:240nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:9200pF @ 50V 功率 - 最大值:370W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-263-7，D2Pak（6 引線+接片）供應(yīng)商器件封裝:D2PAK（7-Lead）標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 AUIRFS4115 AUIRFS4115-7P AUIRFS4115-7TRL AUIRFS4115TRL AUIRFS4127 AUIRFS4127TRL AUIRFS4310 AUIRFS4310TRL AUIRFS4310Z AUIRFS4310ZTRL AUIRFS4410Z AUIRFS4610 AUIRFS6535 AUIRFS6535TRL AUIRFS8403 AUIRFS8403TRL AUIRFS8405 AUIRFS8405TRL