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AUIRFR4104TRPBF

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  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

    聯(lián)系人:唐先生

    電話:0755-8322569219129381337(微信同號(hào))

    地址:廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。

  • 865000

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  • TO-252

  • 最新批號(hào)

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  • AUIRFR4104TRPBF
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  • 深圳市德江源電子有限公司
    深圳市德江源電子有限公司

    聯(lián)系人:張先生

    電話:8296641615986789713

    地址:深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北街道振華路100號(hào)深紡大廈C座1A層1A621室

    資質(zhì):營(yíng)業(yè)執(zhí)照

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  • AUIRFR4104TRPBF
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  • 深圳市華盛錦科技有限公司
    深圳市華盛錦科技有限公司

    聯(lián)系人:張先生/雷小姐

    電話:0755-83795896

    地址:深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北街道賽格廣場(chǎng)55樓5566室

    資質(zhì):營(yíng)業(yè)執(zhí)照

  • 36500

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  • TO252

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  • ★原廠授權(quán)★價(jià)超代理★

  • AUIRFR4104TRPBF
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  • 深圳市華盛錦科技有限公司
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    聯(lián)系人:張先生/雷小姐

    電話:0755-8279802015814679726(承諾只售原裝正品,終端BOM配單一站式服務(wù))

    地址:華強(qiáng)街道賽格廣場(chǎng)55樓5566室

    資質(zhì):營(yíng)業(yè)執(zhí)照

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AUIRFR4104TRPBF 技術(shù)參數(shù)
  • AUIRFR4104 功能描述:MOSFET N-CH 40V 42A DPAK 制造商:infineon technologies 系列:HEXFET? 包裝:管件 零件狀態(tài):停產(chǎn) FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):40V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):42A(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):5.5 毫歐 @ 42A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):89nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):2950pF @ 25V 功率 - 最大值:140W 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63 供應(yīng)商器件封裝:D-Pak 標(biāo)準(zhǔn)包裝:75 AUIRFR3806TRL 功能描述:MOSFET N-CH 60V 43A DPAK 制造商:infineon technologies 系列:HEXFET? 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):60V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):43A(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):15.8 毫歐 @ 25A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):4V @ 50μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):30nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):1150pF @ 50V 功率 - 最大值:71W 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63 供應(yīng)商器件封裝:D-PAK(TO-252AA) 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 AUIRFR3806 功能描述:MOSFET N-CH 60V 43A DPAK 制造商:infineon technologies 系列:HEXFET? 包裝:管件 零件狀態(tài):停產(chǎn) FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):60V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):43A(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):15.8 毫歐 @ 25A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):4V @ 50μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):30nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):1150pF @ 50V 功率 - 最大值:71W 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63 供應(yīng)商器件封裝:D-PAK(TO-252AA) 標(biāo)準(zhǔn)包裝:75 AUIRFR3710Z 功能描述:MOSFET N-CH 100V 42A DPAK 制造商:infineon technologies 系列:HEXFET? 包裝:管件 零件狀態(tài):停產(chǎn) FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):100V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):42A(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):18 毫歐 @ 33A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):100nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):2930pF @ 25V 功率 - 最大值:140W 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63 供應(yīng)商器件封裝:D-Pak 標(biāo)準(zhǔn)包裝:75 AUIRFR3607 功能描述:MOSFET N-CH 75V 80A DPAK 制造商:infineon technologies 系列:HEXFET? 包裝:管件 零件狀態(tài):停產(chǎn) FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):75V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):56A(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):9 毫歐 @ 46A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):4V @ 100μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):84nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):3070pF @ 50V 功率 - 最大值:140W 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63 供應(yīng)商器件封裝:D-Pak 標(biāo)準(zhǔn)包裝:75 AUIRFR48Z AUIRFR48ZTRL AUIRFR5305 AUIRFR5305TRL AUIRFR540Z AUIRFR540ZTRL AUIRFR5410 AUIRFR5410TRL AUIRFR5505 AUIRFR5505TRL AUIRFR6215 AUIRFR6215TRL AUIRFR8401 AUIRFR8401TRL AUIRFR8403 AUIRFR8403TRL AUIRFR8405 AUIRFR8405TRL
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