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AUIRF7304QPBF

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    AUIRF7304QPBF

    現(xiàn)貨
  • 集好芯城
    集好芯城

    聯(lián)系人:張育豪 13360528695

    電話:0755-23607487

    地址:深圳市福田區(qū)華富路1006號 航都大廈11樓一層

    資質(zhì):營業(yè)執(zhí)照

  • 32520

  • INFINEON/英飛凌

  • SO-08

  • 22+

  • -
  • 原廠原裝現(xiàn)貨

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AUIRF7304QPBF 技術(shù)參數(shù)
  • AUIRF7304Q 功能描述:MOSFET 2P-CH 20V 4A 8SOIC 制造商:infineon technologies 系列:HEXFET? 包裝:管件 零件狀態(tài):過期 FET 類型:2 個 P 溝道(雙) FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓(Vdss):20V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):4.3A 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):90 毫歐 @ 2.2A,4.5V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):1.5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):22nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):610pF @ 15V 功率 - 最大值:2W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬) 供應(yīng)商器件封裝:8-SO 標準包裝:95 AUIRF7303QTR 功能描述:MOSFET 2N-CH 30V 5.3A 8SOIC 制造商:infineon technologies 系列:HEXFET? 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):有效 FET 類型:2 個 N 溝道(雙) FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓(Vdss):30V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):5.3A 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):50 毫歐 @ 2.7A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):3V @ 100μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):21nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):515pF @ 25V 功率 - 最大值:2.4W 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬) 供應(yīng)商器件封裝:8-SO 標準包裝:4,000 AUIRF7303Q 功能描述:MOSFET 2N-CH 30V 5.3A 8SOIC 制造商:infineon technologies 系列:HEXFET? 包裝:管件 零件狀態(tài):過期 FET 類型:2 個 N 溝道(雙) FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓(Vdss):30V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):5.3A 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):50 毫歐 @ 2.7A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):3V @ 100μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):21nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):515pF @ 25V 功率 - 最大值:2.4W 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬) 供應(yīng)商器件封裝:8-SO 標準包裝:95 AUIRF7207QTR 功能描述:MOSFET P-CH 20V 5.4A 8SOIC 制造商:infineon technologies 系列:HEXFET? 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET P 通道,金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓(Vdss):20V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):5.4A(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):60 毫歐 @ 5.4A,4.5V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):1.6V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):22nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):780pF @ 15V 功率 - 最大值:2.5W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬) 供應(yīng)商器件封裝:8-SO 標準包裝:4,000 AUIRF7207Q 功能描述:MOSFET P-CH 20V 5.4A 8SOIC 制造商:infineon technologies 系列:HEXFET? 包裝:管件 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET P 通道,金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓(Vdss):20V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):5.4A(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):60 毫歐 @ 5.4A,4.5V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):1.6V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):22nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):780pF @ 15V 功率 - 最大值:2.5W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬) 供應(yīng)商器件封裝:8-SO 標準包裝:95 AUIRF7341Q AUIRF7341QTR AUIRF7342Q AUIRF7342QTR AUIRF7343Q AUIRF7343QTR AUIRF7379Q AUIRF7379QTR AUIRF7416QTR AUIRF7478Q AUIRF7478QTR AUIRF7484Q AUIRF7484QTR AUIRF7640S2TR AUIRF7647S2TR AUIRF7648M2TR AUIRF7665S2TR AUIRF7669L2TR
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