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ATP218

配單專家企業(yè)名單
  • 型號
  • 供應(yīng)商
  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝
  • 批號
  • 價格
  • 說明
  • 操作
  • ATP218
    ATP218

    ATP218

  • 深圳市琦凌凱科技有限公司
    深圳市琦凌凱科技有限公司

    聯(lián)系人：彭先生

    電話：1331648214918276240346

    地址：深圳市福田區(qū)華強北街道荔村社區(qū)振興路120號賽格科技園4棟中10層10A19

    資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照

  • 6000

  • Ons

  • IPAK-5TP-5H

  • 22+

  • -

  • 十年配單，只做原裝

  • ATP218-TL-H
    ATP218-TL-H

    ATP218-TL-H

  • 深圳市歐和寧電子有限公司
    深圳市歐和寧電子有限公司

    聯(lián)系人：李先生

    電話：0755-292759351581559886118576729816

    地址：廣東省 深圳市 福田區(qū) 華強北賽格科技園6C18室

  • 39800

  • ON

  • TO-252

  • 新年份

  • -

  • 一級代理全新原裝現(xiàn)貨特價！

  • ATP218-TL-H
    ATP218-TL-H

    ATP218-TL-H

  • 深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
    深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司

    聯(lián)系人：何芝

    電話：19129491934(手機優(yōu)先微信同號)0755-82865099

    地址：深圳市福田區(qū)華強北街道華強北路1016號寶華大廈A座2028室

    資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照

  • 6550

  • ON

  • ROHS

  • 201311+

  • -

  • 原裝正品，現(xiàn)貨庫存！400-800-03...

  • ATP218
    ATP218

    ATP218

  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

    聯(lián)系人：唐先生

    電話：0755-8322569219129381337（微信同號）

    地址：廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。

  • 865000

  • ON

  • TO-252

  • 最新批號

  • -

  • 一級代理.原裝特價現(xiàn)貨！

  • 1/1頁 40條/頁 共14條 
  • 1
ATP218 PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準
  • 制造商
  • SANYO
  • 制造商全稱
  • Sanyo Semicon Device
  • 功能描述
  • General-Purpose Switching Device Applications
ATP218 技術(shù)參數(shù)
  • ATP216-TL-H 功能描述:MOSFET N-CH 50V 35A ATPAK 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):上次購買時間 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極，1.8V 驅(qū)動 漏源極電壓（Vdss）:50V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:35A（Ta） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:23 毫歐 @ 18A，4.5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:30nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:2700pF @ 20V 功率 - 最大值:40W 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:ATPAK（2 引線 + 接片） 供應(yīng)商器件封裝:ATPAK 標準包裝:3,000 ATP214-TL-H 功能描述:MOSFET N-CH 60V 75A ATPAK 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):停產(chǎn) FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極，4V 驅(qū)動 漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:75A（Ta） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:8.1 毫歐 @ 38A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:96nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:4850pF @ 20V 功率 - 最大值:60W 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:ATPAK（2 引線 + 接片） 供應(yīng)商器件封裝:ATPAK 標準包裝:3,000 ATP213-TL-H 功能描述:MOSFET N-CH 60V 50A ATPAK 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極，4V 驅(qū)動 漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:50A（Ta） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:16 毫歐 @ 25A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:58nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:3150pF @ 20V 功率 - 最大值:50W 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:ATPAK（2 引線 + 接片） 供應(yīng)商器件封裝:ATPAK 標準包裝:1 ATP212-TL-H 功能描述:MOSFET N-CH 60V 35A ATPAK 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極，4V 驅(qū)動 漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:35A（Ta） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:23 毫歐 @ 18A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:34.5nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:1820pF @ 20V 功率 - 最大值:40W 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:ATPAK（2 引線 + 接片） 供應(yīng)商器件封裝:ATPAK 標準包裝:1 ATP212-S-TL-H 功能描述:MOSFET N-CH 60V 35A ATPAK 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):上次購買時間 FET 類型:- FET 功能:- 漏源極電壓（Vdss）:- 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:- 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:- 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:- 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:- 功率 - 最大值:- 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:ATPAK（2 引線 + 接片） 供應(yīng)商器件封裝:ATPAK 標準包裝:3,000 ATP4PS-CKIT ATP602-TL-H ATP613-TL-H ATPANCOORDINATOR-EK ATPH18500150SET ATPH18500200SET ATPH18650200SET ATPH18650250SET ATPH33MAHA ATPL00B-AZU-Y ATPL00BDK-99 ATPL00BSK-99 ATPL100A-AZU-Y ATPL100AEK ATPL100DK-99 ATPL100SK-99 ATPL10SFLT-99 ATPL210A-A1U-Y
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