APTMC60TL11CT3AG

配單專家企業(yè)名單

型號
供應(yīng)商
數(shù)量
廠商
封裝
批號
價格
說明
操作

APTMC60TL11CT3AG
深圳市瑞智芯科技有限公司
深圳市瑞智芯科技有限公司
聯(lián)系人：朱先生
電話：0755-82999903
地址：深圳市福田區(qū)中航路42號中航北苑大廈C座6C3
1000
MICROCHIP
17+
-
瑞智芯只有原裝

APTMC60TL11CT3AG
深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
聯(lián)系人：雷春艷
電話：19129493934（手機(jī)優(yōu)先微信同號）0755-83266697
地址：深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北街道華強(qiáng)北路1016號寶華大廈A座2028室
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
15
MICROSEMI
1521+
-
全新原裝現(xiàn)貨

APTMC60TL11CT3AG
深圳市思諾康科技有限公司
深圳市思諾康科技有限公司
聯(lián)系人：張小姐/Vivianvi
電話：0755-83276452
地址：坂田坂雪崗大道中興路105號儒駿大廈5樓503室
9900
Microchip Technology
SP3
23+
-
微芯專營優(yōu)勢產(chǎn)品

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您是不是要找： APTMC60TLM14CAG APTMC60TLM55CT3AG APTML1002U60R020T3AG APTML100U60R020T1AG APTML102UM09R004T3AG APTML10UM09R004T1AG APTML202UM18R010T3AG APTML20UM18R010T1AG APTML502UM90R020T3AG

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制造商
Microsemi Corporation
功能描述
POWER MOD MOSFET INV SP3
制造商
Microsemi Corporation
功能描述
Three level inverter 1200V 98mOhm SiC Power Module MOSFET
制造商
Microsemi Corporation
功能描述
SILICON CARBIDE POWER TRANSISTORS/MODULES

APTMC60TL11CT3AG 技術(shù)參數(shù)

APTMC170AM60CT1AG 功能描述:MOSFET 2N-CH 1700V 53A SP1 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):有效 FET 類型:2 N 溝道（相角） FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:1700V（1.7kV）電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:53A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:60 毫歐 @ 50A，20V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.3V @ 2.5mA（標(biāo)準(zhǔn)）不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:190nC @ 20V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:3080pF @ 1000V 功率 - 最大值:350W 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:底座安裝封裝/外殼:SP1 供應(yīng)商器件封裝:SP1 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APTMC170AM30CT1AG 功能描述:MOSFET 2N-CH 1700V 106A SP1 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):有效 FET 類型:2 N 溝道（相角） FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:1700V（1.7kV）電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:106A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:30 毫歐 @ 100A，20V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.3V @ 5mA（標(biāo)準(zhǔn)）不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:380nC @ 20V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:6160pF @ 1000V 功率 - 最大值:700W 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:底座安裝封裝/外殼:SP1 供應(yīng)商器件封裝:SP1 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APTMC120TAM34CT3AG 功能描述:POWER MODULE - SIC MOSFET 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件狀態(tài):在售 FET 類型:6 N-溝道（3 相橋） FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源電壓（Vdss）:1200V（1.2kV）電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:74A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:34 毫歐 @ 50A，20V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 15mA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:161nC @ 5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:2788pF @ 1000V 功率 - 最大值:375W 工作溫度:-40°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:底座安裝封裝/外殼:模塊供應(yīng)商器件封裝:SP3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APTMC120TAM33CTPAG 功能描述:MOSFET 6N-CH 1200V 78A SP6-P 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):有效 FET 類型:6 N-溝道（3 相橋） FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:1200V（1.2kV）電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:78A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:33 毫歐 @ 60A，20V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.2V @ 3mA（標(biāo)準(zhǔn)）不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:148nC @ 20V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:2850pF @ 1000V 功率 - 最大值:370W 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:底座安裝封裝/外殼:SP6 供應(yīng)商器件封裝:SP6-P 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APTMC120TAM17CTPAG 功能描述:MOSFET 6N-CH 1200V 147A SP6P 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):有效 FET 類型:6 N-溝道（3 相橋） FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:1200V（1.2kV）電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:147A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:17 毫歐 @ 100A，20V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.4V @ 20mA（標(biāo)準(zhǔn)）不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:322nC @ 20V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:5600pF @ 1000V 功率 - 最大值:625W 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:底座安裝封裝/外殼:SP6 供應(yīng)商器件封裝:SP6-P 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APTML50UM90R020T1AG APTML602U12R020T3AG APTML60U12R020T1AG APTR3216CGCK APTR3216EC APTR3216MGC APTR3216PBC/A APTR3216QBC/D APTR3216QWF/D APTR3216SECK APTR3216SGC APTR3216SRCPRV APTR3216SURCK APTR3216SYCK APTR3216YC APTR3216ZGC APTR3216ZGCK APTRG8A120G