APTMC120HRM40CT3A

配單專家企業(yè)名單

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數(shù)量
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封裝
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價格
說明
操作

APTMC120HRM40CT3AG
深圳市思諾康科技有限公司
深圳市思諾康科技有限公司
聯(lián)系人：張小姐/Vivianvi
電話：0755-83276452
地址：坂田坂雪崗大道中興路105號儒駿大廈5樓503室
9900
Microchip Technology
Module
23+
-
微芯專營優(yōu)勢產(chǎn)品

APTMC120HRM40CT3A
無錫固電半導體股份有限公司
無錫固電半導體股份有限公司
聯(lián)系人：劉小姐
電話：15961889150
地址：江蘇省無錫市新區(qū)新梅路68號
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
1000
isc/固電半導體
E73X40-32L
24+
-
國產(chǎn)品牌，替代進口

APTMC120HRM40CT3AG
深圳市瑞智芯科技有限公司
深圳市瑞智芯科技有限公司
聯(lián)系人：朱先生
電話：0755-82999903
地址：深圳市福田區(qū)中航路42號中航北苑大廈C座6C3
1000
MICROCHIP
18+
-
瑞智芯只有原裝

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APTMC120HRM40CT3A 技術參數(shù)

APTMC120HR11CT3G 功能描述:MOSFET N-CH 1200V 20A SP3F 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):有效晶體管類型:2 N 溝道（相腳 + 雙共發(fā)射極）應用:通用電壓 - 額定:1200V（1.2kV）額定電流:26A 安裝類型:底座安裝封裝/外殼:SP3 供應商器件封裝:SP3 標準包裝:1 APTMC120HR11CT3AG 功能描述:POWER MODULE - SIC MOSFET 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件狀態(tài):在售 FET 類型:2 個 N 溝道（雙） FET 功能:標準漏源電壓（Vdss）:1200V（1.2kV）電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:26A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:98 毫歐 @ 20A，20V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:3V @ 5mA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:62nC @ 20V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:950pF @ 1000V 功率 - 最大值:125W 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:底座安裝封裝/外殼:模塊供應商器件封裝:SP3 標準包裝:1 APTMC120HM17CT3AG 功能描述:POWER MODULE - SIC MOSFET 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件狀態(tài):在售 FET 類型:4 個 N 通道 FET 功能:標準漏源電壓（Vdss）:1200V（1.2kV）電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:147A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:17 毫歐 @ 100A，20V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 30mA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:332nC @ 5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:5576pF @ 1000V 功率 - 最大值:750W 工作溫度:-40°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:底座安裝封裝/外殼:模塊供應商器件封裝:SP3 標準包裝:1 APTMC120AM55CT1AG 功能描述:MOSFET 2N-CH 1200V 55A SP1 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):有效 FET 類型:2 個 N 通道（半橋） FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:1200V（1.2kV）電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:55A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:49 毫歐 @ 40A，20V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.2V @ 2mA（標準）不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:98nC @ 20V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:1900pF @ 1000V 功率 - 最大值:250W 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:底座安裝封裝/外殼:SP1 供應商器件封裝:SP1 標準包裝:1 APTMC120AM25CT3AG 功能描述:MOSFET 2N-CH 1200V 105A SP3F 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):有效 FET 類型:2 個 N 通道（半橋） FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:1200V（1.2kV）電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:105A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:25 毫歐 @ 80A，20V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.2V @ 4mA（標準）不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:197nC @ 20V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:3800pF @ 1000V 功率 - 最大值:500W 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:底座安裝封裝/外殼:SP3 供應商器件封裝:SP3 標準包裝:1 APTMC60TLM14CAG APTMC60TLM55CT3AG APTML1002U60R020T3AG APTML100U60R020T1AG APTML102UM09R004T3AG APTML10UM09R004T1AG APTML202UM18R010T3AG APTML20UM18R010T1AG APTML502UM90R020T3AG APTML50UM90R020T1AG APTML602U12R020T3AG APTML60U12R020T1AG APTR3216CGCK APTR3216EC APTR3216MGC APTR3216PBC/A APTR3216QBC/D APTR3216QWF/D