APTM50HM75FTG

配單專家企業(yè)名單

型號
供應(yīng)商
數(shù)量
廠商
封裝
批號
價格
說明
操作

APTM50HM75FTG
深圳市瑞智芯科技有限公司
深圳市瑞智芯科技有限公司
聯(lián)系人：朱先生
電話：0755-82999903
地址：深圳市福田區(qū)中航路42號中航北苑大廈C座6C3
1000
MICROCHIP
17+
-
瑞智芯只有原裝

APTM50HM75FTG
深圳市思諾康科技有限公司
深圳市思諾康科技有限公司
聯(lián)系人：張小姐/Vivianvi
電話：0755-83276452
地址：坂田坂雪崗大道中興路105號儒駿大廈5樓503室
9900
Microchip Technology
SP4
23+
-
微芯專營優(yōu)勢產(chǎn)品

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1

您是不是要找： APTM50HM75SCTG APTM50HM75STG APTM50SKM17G APTM50SKM19G APTM50SKM35TG APTM50SKM38TG APTM50TAM65FPG APTM50TDUM65PG APTM50UM09FAG

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功能描述
MOSFET MODULE FULL BRIDGE SP4
RoHS
是
類別
半導體模塊 >> FET
系列
-
標準包裝
10
系列
*

APTM50HM75FTG 技術(shù)參數(shù)

APTM50HM75FT3G 功能描述:MOSFET 4N-CH 500V 46A SP3 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):有效 FET 類型:4 個 N 通道（H 橋） FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:500V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:46A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:90 毫歐 @ 23A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 2.5mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:123nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:5600pF @ 25V 功率 - 最大值:357W 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:底座安裝封裝/外殼:SP3 供應(yīng)商器件封裝:SP3 標準包裝:1 APTM50HM65FTG 功能描述:MOSFET 4N-CH 500V 51A SP4 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):有效 FET 類型:4 個 N 通道（H 橋） FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:500V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:51A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:78 毫歐 @ 25.5A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 2.5mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:140nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:7000pF @ 25V 功率 - 最大值:390W 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:底座安裝封裝/外殼:SP4 供應(yīng)商器件封裝:SP4 標準包裝:1 APTM50HM65FT3G 功能描述:MOSFET 4N-CH 500V 51A SP3 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):有效 FET 類型:4 個 N 通道（H 橋） FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:500V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:51A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:78 毫歐 @ 25.5A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 2.5mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:140nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:7000pF @ 25V 功率 - 最大值:390W 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:底座安裝封裝/外殼:SP3 供應(yīng)商器件封裝:SP3 標準包裝:1 APTM50HM38FG 功能描述:MOSFET 4N-CH 500V 90A SP6 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):有效 FET 類型:4 個 N 通道（H 橋） FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:500V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:90A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:45 毫歐 @ 45A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 5mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:246nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:11200pF @ 25V 功率 - 最大值:694W 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:底座安裝封裝/外殼:SP6 供應(yīng)商器件封裝:SP6 標準包裝:1 APTM50HM35FG 功能描述:MOSFET 4N-CH 500V 99A SP6 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):有效 FET 類型:4 個 N 通道（H 橋） FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:500V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:99A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:39 毫歐 @ 49.5A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 5mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:280nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:14000pF @ 25V 功率 - 最大值:781W 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:底座安裝封裝/外殼:SP6 供應(yīng)商器件封裝:SP6 標準包裝:1 APTM50UM13SAG APTM50UM19SG APTM50UM25SG APTM60A11FT1G APTM60A23FT1G APTM60H23FT1G APTMC120AM08CD3AG APTMC120AM09CT3AG APTMC120AM12CT3AG APTMC120AM16CD3AG APTMC120AM20CT1AG APTMC120AM25CT3AG APTMC120AM55CT1AG APTMC120HM17CT3AG APTMC120HR11CT3AG APTMC120HR11CT3G APTMC120HRM40CT3AG APTMC120HRM40CT3G