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APT47GA90JD40

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  • APT47GA90JD40
    APT47GA90JD40

    APT47GA90JD40

  • 深圳市科思奇電子科技有限公司
    深圳市科思奇電子科技有限公司

    聯(lián)系人:林小姐/歐陽先生

    電話:0755-832450508278593918923762408微信同號

    地址:深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)501棟1109-1110室

    資質(zhì):營業(yè)執(zhí)照

  • 6000

  • MICROSEMI

  • 原廠原裝

  • 23+

  • -
  • 只做原裝正品

  • APT47GA90JD40
    APT47GA90JD40

    APT47GA90JD40

  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

    聯(lián)系人:唐先生

    電話:0755-8322569219129381337(微信同號)

    地址:廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。

  • 86530

  • MICROSEMI

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  • 最新批號

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  • 代理此型號,原裝正品現(xiàn)貨?。?/p>

  • APT47GA90JD40
    APT47GA90JD40

    APT47GA90JD40

  • 深圳市億聯(lián)芯電子科技有限公司
    深圳市億聯(lián)芯電子科技有限公司

    聯(lián)系人:吳經(jīng)理

    電話:18138401919

    地址:深圳市福田區(qū)賽格科技園四棟中6樓6K31

  • 69880

  • MICROSEMI

  • MODULE

  • 2021+

  • -
  • ★★正規(guī)渠道★原廠正品最新貨源現(xiàn)貨供應★...

  • APT47GA90JD40
    APT47GA90JD40

    APT47GA90JD40

  • 深圳市興合盛科技發(fā)展有限公司
    深圳市興合盛科技發(fā)展有限公司

    聯(lián)系人:銷售經(jīng)理:馬先生

    電話:0755-8335078918923859456

    地址:深圳市福田區(qū)華強北街道華航社區(qū)中航路都會B座10012M

    資質(zhì):營業(yè)執(zhí)照

  • 26550

  • MICROSEMI

  • 正品封裝

  • 23+

  • -
  • 正規(guī)商現(xiàn)貨供應

  • APT47GA90JD40
    APT47GA90JD40

    APT47GA90JD40

  • 深圳市澳億芯電子科技有限公司
    深圳市澳億芯電子科技有限公司

    聯(lián)系人:廖R

    電話:13163738578

    地址:龍崗區(qū)坂田五和大道山海大廈c 棟707

  • 9000

  • MICROSEMI

  • 原廠原裝

  • 19+

  • -
  • 只做原裝正品假一賠十為客戶做到零風險

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APT47GA90JD40 PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實際PDF為準
APT47GA90JD40 技術(shù)參數(shù)
  • APT47GA60JD40 功能描述:IGBT Module PT Single 600V 87A 283W Chassis Mount ISOTOP? 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 8?? 零件狀態(tài):有效 IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集射極擊穿(最大值):600V 電流 - 集電極(Ic)(最大值):87A 功率 - 最大值:283W 不同?Vge,Ic 時的?Vce(on):2.5V @ 15V,47A 電流 - 集電極截止(最大值):275μA 不同?Vce 時的輸入電容(Cies):6.32nF @ 25V 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4,miniBLOC 供應商器件封裝:ISOTOP? 標準包裝:10 APT47F60J 功能描述:MOSFET N-CH 600V 49A SOT-227 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 8?? 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):600V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):49A 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):90 毫歐 @ 33A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):5V @ 2.5mA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):330nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):13190pF @ 25V 功率 - 最大值:540W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4,miniBLOC 供應商器件封裝:ISOTOP? 標準包裝:1 APT46GA90JD40 功能描述:IGBT Module PT Single 900V 87A 284W Chassis Mount ISOTOP? 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 8?? 零件狀態(tài):有效 IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集射極擊穿(最大值):900V 電流 - 集電極(Ic)(最大值):87A 功率 - 最大值:284W 不同?Vge,Ic 時的?Vce(on):3.1V @ 15V,47A 電流 - 集電極截止(最大值):350μA 不同?Vce 時的輸入電容(Cies):4.17nF @ 25V 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4,miniBLOC 供應商器件封裝:ISOTOP? 標準包裝:1 APT45M100J 功能描述:MOSFET N-CH 1000V 45A SOT-227 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓(Vdss):1000V(1kV) 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):45A 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):180 毫歐 @ 33A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):5V @ 2.5mA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):570nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):18500pF @ 25V 功率 - 最大值:960W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4,miniBLOC 供應商器件封裝:SOT-227 標準包裝:1 APT45GR65SSCD10 功能描述:IGBT NPT 650V 118A 543W Surface Mount D3Pak 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 IGBT 類型:NPT 電壓 - 集射極擊穿(最大值):650V 電流 - 集電極(Ic)(最大值):118A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):224A 不同?Vge,Ic 時的?Vce(on):2.4V @ 15V,45A 功率 - 最大值:543W 開關(guān)能量:* 輸入類型:標準 柵極電荷:203nC 25°C 時 Td(開/關(guān))值:15ns/100ns 測試條件:433V,45A,4.3 歐姆,15V 反向恢復時間(trr):80ns 封裝/外殼:TO-263-3,D2Pak(2 引線+接片),TO-263AB 安裝類型:表面貼裝 供應商器件封裝:D3Pak 標準包裝:1 APT5010B2LLG APT5010JLLU2 APT5010JLLU3 APT5010JVRU2 APT5010JVRU3 APT5010LFLLG APT5010LLLG APT5012JN APT5014BLLG APT5014SLLG APT5014SLLG/TR APT5016BFLLG APT5016BLLG APT5018BLLG APT5020BN APT5020BNFR APT5022BNG APT5024BLLG
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