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APT30GP60JDQ1

APT30GP60JDQ1
現(xiàn)貨
集好芯城
集好芯城
聯(lián)系人：陳先生13360533550
電話：0755-838679890755-82795565
地址：深圳公司：深圳市福田區(qū)華富路航都大廈11F
資質：營業(yè)執(zhí)照
11656
APT
MODULE
22+
-
原廠原裝現(xiàn)貨

APT30GP60JDQ1
深圳市億聯(lián)芯電子科技有限公司
深圳市億聯(lián)芯電子科技有限公司
聯(lián)系人：吳經理
電話：18138401919
地址：深圳市福田區(qū)賽格科技園4棟中7樓7B30
69880
APT
MODULE
2021+
-
★★正規(guī)渠道★原廠正品最新貨源現(xiàn)貨供應★...

APT30GP60JDQ1
標準國際(香港)有限公司
標準國際(香港)有限公司
聯(lián)系人：朱小姐
電話：83617149
地址：新華強廣場2樓Q2B036室?|?公司: 深圳市福田區(qū)華強北路賽格廣場58樓5813室
資質：營業(yè)執(zhí)照
6
Microsemi Power Products
2016+
-
公司現(xiàn)貨！只做原裝！

APT30GP60JDQ1
無錫固電半導體股份有限公司
無錫固電半導體股份有限公司
聯(lián)系人：劉小姐
電話：15961889150
地址：江蘇省無錫市新區(qū)新梅路68號
資質：營業(yè)執(zhí)照
1000
isc/固電半導體
ISOTOP，SOT-227
24+
-
國產品牌，替代進口

APT30GP60JDQ1
北京元坤偉業(yè)科技有限公司
北京元坤偉業(yè)科技有限公司
聯(lián)系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀區(qū)中關村大街32號和盛嘉業(yè)大廈10層1008室
資質：營業(yè)執(zhí)照
5000
APT
模塊
-
假一罰十，百分百原裝正品

APT30GP60JDQ1
深圳市興合盛科技發(fā)展有限公司
深圳市興合盛科技發(fā)展有限公司
聯(lián)系人：銷售經理：馬先生
電話：0755-8335078918923859456
地址：深圳市福田區(qū)華強北街道華航社區(qū)中航路都會B座10012M
資質：營業(yè)執(zhí)照
26550
APT
正品封裝
23+
-
正規(guī)商現(xiàn)貨供應

APT30GP60JDQ1
深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
聯(lián)系人：雷春艷
電話：19129493934（手機優(yōu)先微信同號）0755-83266697
地址：深圳市福田區(qū)華強北街道華強北路1016號寶華大廈A座2028室
資質：營業(yè)執(zhí)照
30
MICROSEMI
1521+
-
全新原裝現(xiàn)貨

APT30GP60JDQ1
林沃田信息技術(深圳)有限公司
林沃田信息技術(深圳)有限公司
聯(lián)系人：岳先生田小姐
電話：0755-8278116013760181591
地址：深圳市福田區(qū)福田街道福南社區(qū)深南中路 3037號南光捷佳大廈2906
資質：營業(yè)執(zhí)照
60510
Microsemi Corporation
IGBT 600V 67A 245W S
22+
-

APT30GP60JDQ1
深圳市華芯盛世科技有限公司
深圳市華芯盛世科技有限公司
聯(lián)系人：唐先生
電話：0755-8322569219129381337（微信同號）
地址：廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。
86530
APT
MODULE
最新批號
-
代理此型號，原裝正品現(xiàn)貨??！

APT30GP60JDQ1
深圳市一線半導體有限公司
深圳市一線半導體有限公司
聯(lián)系人：謝小姐/鐘先生/陳先生/陳小姐
電話：0755-88608801多線17727932378
地址：深圳市福田區(qū)華強北華強花園B9F
9600
ISOTOP?/FONT>
APT(MICROSEMI)
17+
-
原裝正品。優(yōu)勢供應

APT30GP60JDQ1
深圳市鴻昌盛電子科技有限公司銷售一部
深圳市鴻昌盛電子科技有限公司銷售一部
聯(lián)系人：朱小姐
電話：13428937514
地址：深圳市福田區(qū)華強北路賽格廣場58樓5813
資質：營業(yè)執(zhí)照
2360
Microsemi
模塊
14+
-
全新原裝現(xiàn)貨，

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APT30GP60JDQ1 PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準

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功能描述
IGBT 600V 67A 245W SOT227
RoHS
是
類別
半導體模塊 >> IGBT
系列
POWER MOS 7®
標準包裝
10
系列
GenX3™
IGBT 類型
PT
配置
單一
電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）
600V
Vge, Ic時的最大Vce（開）
1.4V @ 15V，100A
電流 - 集電極 (Ic)（最大）
430A
電流 - 集電極截止（最大）
100µA
Vce 時的輸入電容 (Cies)
31nF @ 25V
功率 - 最大
1000W
輸入
標準
NTC 熱敏電阻
無
安裝類型
底座安裝
封裝/外殼
SOT-227-4，miniBLOC
供應商設備封裝
SOT-227B

APT30GP60JDQ1 技術參數(shù)

APT30GP60BG 功能描述:IGBT PT 600V 100A 463W Through Hole TO-247 [B] 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 7? 包裝:管件零件狀態(tài):Not For New Designs IGBT 類型:PT 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:600V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:100A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):100A 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:2.7V @ 15V，30A 功率 - 最大值:463W 開關能量:260μJ（開），250μJ（關）輸入類型:標準柵極電荷:90nC 25°C 時 Td（開/關）值:13ns/55ns 測試條件:400V，30A，5 歐姆，15V 反向恢復時間（trr）:- 封裝/外殼:TO-247-3 安裝類型:通孔供應商器件封裝:TO-247 [B] 標準包裝:1 APT30GP60BDQ1G 功能描述:IGBT PT 600V 100A 463W Through Hole TO-247 [B] 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 7? 包裝:管件零件狀態(tài):Not For New Designs IGBT 類型:PT 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:600V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:100A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):120A 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:2.7V @ 15V，30A 功率 - 最大值:463W 開關能量:260μJ（開），250μJ（關）輸入類型:標準柵極電荷:90nC 25°C 時 Td（開/關）值:13ns/55ns 測試條件:400V，30A，5 歐姆，15V 反向恢復時間（trr）:- 封裝/外殼:TO-247-3 安裝類型:通孔供應商器件封裝:TO-247 [B] 標準包裝:1 APT30GP60B2DLG 功能描述:IGBT 600V 100A 463W TMAX 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:管件零件狀態(tài):在售 IGBT 類型:PT 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:600V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:100A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):120A 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:2.7V @ 15V，30A 功率 - 最大值:463W 開關能量:260μJ（開），250μJ（關）輸入類型:標準柵極電荷:90nC 25°C 時 Td（開/關）值:13ns/55ns 測試條件:400V，30A，5 歐姆，15V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-247-3 供應商器件封裝:T-MAX? 標準包裝:1 APT30GN60BG 功能描述:IGBT Trench Field Stop 600V 63A 203W Through Hole TO-247 [B] 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:管件零件狀態(tài):有效 IGBT 類型:溝槽型場截止電壓 - 集射極擊穿（最大值）:600V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:63A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):90A 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:1.9V @ 15V，30A 功率 - 最大值:203W 開關能量:525μJ（開），700μJ（關）輸入類型:標準柵極電荷:165nC 25°C 時 Td（開/關）值:12ns/155ns 測試條件:400V，30A，4.3 歐姆，15V 反向恢復時間（trr）:- 封裝/外殼:TO-247-3 安裝類型:通孔供應商器件封裝:TO-247 [B] 標準包裝:1 APT30GN60BDQ2G 功能描述:IGBT Trench Field Stop 600V 63A 203W Through Hole TO-247 [B] 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:管件零件狀態(tài):有效 IGBT 類型:溝槽型場截止電壓 - 集射極擊穿（最大值）:600V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:63A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):90A 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:1.9V @ 15V，30A 功率 - 最大值:203W 開關能量:525μJ（開），700μJ（關）輸入類型:標準柵極電荷:165nC 25°C 時 Td（開/關）值:12ns/155ns 測試條件:400V，30A，4.3 歐姆，15V 反向恢復時間（trr）:- 封裝/外殼:TO-247-3 安裝類型:通孔供應商器件封裝:TO-247 [B] 標準包裝:1 APT30M40JVR APT30M60J APT30M70BVFRG APT30M70BVRG APT30M70SVRG APT30M85BVFRG APT30M85BVRG APT30N60BC6 APT30N60KC6 APT30S20BCTG APT30S20BG APT30S20SG APT30SCD120B APT30SCD120S APT30SCD65B APT31M100B2 APT31M100L APT31N60BCSG