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APT12080LVFRG

配單專家企業(yè)名單
  • 型號
  • 供應商
  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝
  • 批號
  • 價格
  • 說明
  • 操作
  • APT12080LVFRG
    APT12080LVFRG

    APT12080LVFRG

  • 深圳市鵬展勝電子有限公司
    深圳市鵬展勝電子有限公司

    聯(lián)系人：林先生

    電話：135-3814-2003

    地址：深圳市福田區(qū)華強北街道佳和大廈A座2801

    資質：營業(yè)執(zhí)照

  • 500

  • n/a

  • 原廠原裝

  • 18+

  • -

  • 專營原裝正品，價錢實惠，有現(xiàn)貨，聯(lián)系電話...

  • APT12080LVFRG
    APT12080LVFRG

    APT12080LVFRG

  • 深圳市琦凌凱科技有限公司
    深圳市琦凌凱科技有限公司

    聯(lián)系人：彭先生

    電話：1331648214918276240346

    地址：深圳市福田區(qū)華強北街道荔村社區(qū)振興路120號賽格科技園4棟中10層10A19

    資質：營業(yè)執(zhí)照

  • 6000

  • APTMICROSEMI

  • TO-264L

  • 22+

  • -

  • 十年配單，只做原裝

  • APT12080LVFRG
    APT12080LVFRG

    APT12080LVFRG

  • 深圳市一線半導體有限公司
    深圳市一線半導體有限公司

    聯(lián)系人：謝小姐/鐘先生/陳先生/陳小姐

    電話：0755-88608801多線17727932378

    地址：深圳市福田區(qū)華強北華強花園B9F

  • 9600

  • TO-264 [L]

  • APT(MICROSEMI)

  • 17+

  • -

  • 原裝正品。優(yōu)勢供應

  • 1/1頁 40條/頁 共3條 
  • 1
APT12080LVFRG PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準
  • 功能描述
  • MOSFET N-CH 1200V 16A TO-264
  • RoHS
  • 是
  • 類別
  • 分離式半導體產(chǎn)品 >> FET - 單
  • 系列
  • POWER MOS V®
  • 標準包裝
  • 1,000
  • 系列
  • MESH OVERLAY™
  • FET 型
  • MOSFET N 通道，金屬氧化物
  • FET 特點
  • 邏輯電平門
  • 漏極至源極電壓(Vdss)
  • 200V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
  • 18A
  • 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
  • 180 毫歐 @ 9A，10V
  • Id 時的 Vgs(th)（最大）
  • 4V @ 250µA
  • 閘電荷(Qg) @ Vgs
  • 72nC @ 10V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds
  • 1560pF @ 25V
  • 功率 - 最大
  • 40W
  • 安裝類型
  • 通孔
  • 封裝/外殼
  • TO-220-3 整包
  • 供應商設備封裝
  • TO-220FP
  • 包裝
  • 管件
APT12080LVFRG 技術參數(shù)
  • APT12067JLL 功能描述:MOSFET N-CH 1200V 17A SOT227 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 7? 包裝:散裝 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術:MOSFET（金屬氧化物） 漏源電壓（Vdss）:1200V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:17A（Tc） 驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 2.5mA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:290nC @ 10V Vgs（最大值）:±30V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:6200pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:460W（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:570 毫歐 @ 10A，10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:底座安裝 供應商器件封裝:SOT-227 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 標準包裝:1 APT12067JFLL 功能描述:MOSFET N-CH 1200V 17A SOT-227 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 7? 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓（Vdss）:1200V（1.2kV） 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:17A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:670 毫歐 @ 8.5A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 2.5mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:150nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:4420pF @ 25V 功率 - 最大值:463W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應商器件封裝:ISOTOP? 標準包裝:10 APT12067B2LLG 功能描述:MOSFET N-CH 1200V 18A T-MAX 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 7? 包裝:散裝 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術:MOSFET（金屬氧化物） 漏源電壓（Vdss）:1200V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:18A（Tc） 驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 2.5mA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:150nC @ 10V Vgs（最大值）:±30V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:4420pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:565W（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:670 毫歐 @ 9A，10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:通孔 供應商器件封裝:T-MAX? [B2] 封裝/外殼:TO-247-3 變式 標準包裝:1 APT12067B2FLLG 功能描述:MOSFET N-CH 1200V 18A T-MAX 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 7? 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓（Vdss）:1200V（1.2kV） 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:18A（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:670 毫歐 @ 9A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 2.5mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:150nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:4420pF @ 25V 功率 - 最大值:565W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 變式 供應商器件封裝:T-MAX? [B2] 標準包裝:30 APT12057LFLLG 功能描述:MOSFET N-CH 1200V 22A TO-264 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 7? 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓（Vdss）:1200V（1.2kV） 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:22A（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:570 毫歐 @ 11A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 2.5mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:185nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:5155pF @ 25V 功率 - 最大值:690W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-264-3，TO-264AA 供應商器件封裝:TO-264 [L] 標準包裝:1 APT1211WAW APT1211WAY APT1212 APT1212A APT1212AX APT1212AZ APT1212W APT1212WA APT1212WAW APT1212WAY APT1221 APT1221A APT1221AX APT1221AZ APT1221S APT1221SX APT1221SZ APT1221W
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