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APT12060B2VR

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  • APT12060B2VR
    APT12060B2VR

    APT12060B2VR

  • 北京元坤偉業(yè)科技有限公司
    北京元坤偉業(yè)科技有限公司

    聯系人:劉先生

    電話:010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址:北京市海淀區(qū)中關村大街32號和盛嘉業(yè)大廈10層1008室

    資質:營業(yè)執(zhí)照

  • 5000

  • APT

  • 原廠封裝

  • 15+

  • -
  • 原裝正品,假一罰十

  • APT12060B2VR
    APT12060B2VR

    APT12060B2VR

  • 北京元坤偉業(yè)科技有限公司
    北京元坤偉業(yè)科技有限公司

    聯系人:劉先生

    電話:010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址:北京市海淀區(qū)中關村大街32號和盛嘉業(yè)大廈10層1008室

    資質:營業(yè)執(zhí)照

  • 5000

  • APT

  • TO

  • 07/08+

  • -
  • 假一罰十,百分百原裝正品

  • APT12060B2VR
    APT12060B2VR

    APT12060B2VR

  • 深圳市中平科技有限公司
    深圳市中平科技有限公司

    聯系人:賴先生

    電話:0755-8394638513632637322

    地址:深圳市福田區(qū)深南中路2070號電子科技大廈A座27樓2702號

    資質:營業(yè)執(zhí)照

  • 12972

  • APT

  • 直插/貼片

  • 2024+

  • -
  • 一級代理商原裝現貨

  • APT12060B2VR
    APT12060B2VR

    APT12060B2VR

  • 深圳市一線半導體有限公司
    深圳市一線半導體有限公司

    聯系人:謝小姐/鐘先生/陳先生/陳小姐

    電話:0755-88608801多線17727932378

    地址:深圳市福田區(qū)華強北華強花園B9F

  • 9600

  • APT

  • 價格優(yōu)勢

  • 17+

  • -
  • 原裝正品。優(yōu)勢供應

  • 1/1頁 40條/頁 共12條 
  • 1
APT12060B2VR PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實際PDF為準
  • 制造商
  • ADPOW
  • 制造商全稱
  • Advanced Power Technology
  • 功能描述
  • Power MOS V is a new generation of high voltage N-Channel enhancement mode power MOSFETs.
APT12060B2VR 技術參數
  • APT12057LFLLG 功能描述:MOSFET N-CH 1200V 22A TO-264 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 7? 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):1200V(1.2kV) 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):22A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):570 毫歐 @ 11A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):5V @ 2.5mA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):185nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):5155pF @ 25V 功率 - 最大值:690W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-264-3,TO-264AA 供應商器件封裝:TO-264 [L] 標準包裝:1 APT12057JLL 功能描述:MOSFET N-CH 1200V 19A SOT227 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 7? 包裝:散裝 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術:MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):1200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):19A(Tc) 驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):5V @ 2.5mA 不同 Vgs 時的柵極電荷?(Qg)(最大值):290nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值):6200pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散(最大值):520W(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):570 毫歐 @ 10A,10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:底座安裝 供應商器件封裝:SOT-227 封裝/外殼:SOT-227-4,miniBLOC 標準包裝:1 APT12057B2LLG 功能描述:MOSFET N-CH 1200V 22A T-MAX 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 7? 包裝:散裝 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術:MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):1200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):22A(Tc) 驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):5V @ 2.5mA 不同 Vgs 時的柵極電荷?(Qg)(最大值):290nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值):6200pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散(最大值):690W(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):570 毫歐 @ 11A,10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:通孔 供應商器件封裝:T-MAX? [B2] 封裝/外殼:TO-247-3 標準包裝:1 APT12057B2FLLG 功能描述:MOSFET N-CH 1200V 22A T-MAX 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 7? 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):1200V(1.2kV) 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):22A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):570 毫歐 @ 11A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):5V @ 2.5mA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):185nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):5155pF @ 25V 功率 - 最大值:690W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 變式 供應商器件封裝:T-MAX? [B2] 標準包裝:30 APT1204R7KFLLG 功能描述:MOSFET N-CH 1200V 3.5A TO-220 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 7? 包裝:管件 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):1200V(1.2kV) 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):3.5A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):4.7 歐姆 @ 1.75A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):5V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):31nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):715pF @ 25V 功率 - 最大值:135W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 供應商器件封裝:TO-220 [K] 標準包裝:50 APT1211SX APT1211SZ APT1211W APT1211WA APT1211WAW APT1211WAY APT1212 APT1212A APT1212AX APT1212AZ APT1212W APT1212WA APT1212WAW APT1212WAY APT1221 APT1221A APT1221AX APT1221AZ
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