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APT1201R5SVFR

配單專家企業(yè)名單
  • 型號(hào)
  • 供應(yīng)商
  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝
  • 批號(hào)
  • 價(jià)格
  • 說(shuō)明
  • 操作
  • APT1201R5SVFR
    APT1201R5SVFR

    APT1201R5SVFR

  • 深圳市中平科技有限公司
    深圳市中平科技有限公司

    聯(lián)系人:賴先生

    電話:0755-8394638513632637322

    地址:深圳市福田區(qū)深南中路2070號(hào)電子科技大廈A座27樓2702號(hào)

    資質(zhì):營(yíng)業(yè)執(zhí)照

  • 12940

  • APT

  • 直插/貼片

  • 2024+

  • -
  • 頂級(jí)代理原裝現(xiàn)貨假一賠十

  • APT1201R5SVFR
    APT1201R5SVFR

    APT1201R5SVFR

  • 北京元坤偉業(yè)科技有限公司
    北京元坤偉業(yè)科技有限公司

    聯(lián)系人:劉先生

    電話:010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址:北京市海淀區(qū)中關(guān)村大街32號(hào)和盛嘉業(yè)大廈10層1008室

    資質(zhì):營(yíng)業(yè)執(zhí)照

  • 5000

  • APT

  • TO

  • 07/08+

  • -
  • 假一罰十,百分百原裝正品

  • APT1201R5SVFR
    APT1201R5SVFR

    APT1201R5SVFR

  • 北京元坤偉業(yè)科技有限公司
    北京元坤偉業(yè)科技有限公司

    聯(lián)系人:劉先生

    電話:010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址:北京市海淀區(qū)中關(guān)村大街32號(hào)和盛嘉業(yè)大廈10層1008室

    資質(zhì):營(yíng)業(yè)執(zhí)照

  • 5000

  • APT

  • 原廠封裝

  • 15+

  • -
  • 原裝正品,假一罰十

  • APT1201R5SVFR
    APT1201R5SVFR

    APT1201R5SVFR

  • 深圳市一線半導(dǎo)體有限公司
    深圳市一線半導(dǎo)體有限公司

    聯(lián)系人:謝小姐/鐘先生/陳先生/陳小姐

    電話:0755-88608801多線17727932378

    地址:深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北華強(qiáng)花園B9F

  • 9600

  • D3 [S]

  • APT(MICROSEMI)

  • 17+

  • -
  • 原裝正品。優(yōu)勢(shì)供應(yīng)

  • 1/1頁(yè) 40條/頁(yè) 共12條 
  • 1
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  • 制造商
  • ADPOW
  • 制造商全稱
  • Advanced Power Technology
  • 功能描述
  • POWER MOS V
APT1201R5SVFR 技術(shù)參數(shù)
  • APT1201R4BFLLG 功能描述:MOSFET N-CH 1200V 9A TO-247 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 7? 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):1200V(1.2kV) 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):9A(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):1.5 歐姆 @ 4.5A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):5V @ 1mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):75nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):2030pF @ 25V 功率 - 最大值:300W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-247 [B] 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APT11N80KC3G 功能描述:MOSFET N-CH 800V 11A TO-220 制造商:microsemi corporation 系列:CoolMOS?? 包裝:管件 零件狀態(tài):過(guò)期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):800V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):11A(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):450 毫歐 @ 7.1A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):3.9V @ 680μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):60nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):1585pF @ 25V 功率 - 最大值:156W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-220 [K] 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 APT11N80BC3G 功能描述:MOSFET N-CH 800V 11A TO-247 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):800V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):11A(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):450 毫歐 @ 7.1A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):3.9V @ 680μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):60nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):1585pF @ 25V 功率 - 最大值:156W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-247 [B] 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APT11GF120KRG 功能描述:IGBT NPT 1200V 25A 156W Through Hole TO-220 [K] 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):過(guò)期 IGBT 類型:NPT 電壓 - 集射極擊穿(最大值):1200V 電流 - 集電極(Ic)(最大值):25A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):44A 不同?Vge,Ic 時(shí)的?Vce(on):3V @ 15V,8A 功率 - 最大值:156W 開關(guān)能量:300μJ(開),285μJ(關(guān)) 輸入類型:標(biāo)準(zhǔn) 柵極電荷:65nC 25°C 時(shí) Td(開/關(guān))值:7ns/100ns 測(cè)試條件:800V,8A,10 歐姆,15V 反向恢復(fù)時(shí)間(trr):- 封裝/外殼:TO-220-3 安裝類型:通孔 供應(yīng)商器件封裝:TO-220 [K] 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 APT11GF120BRDQ1G 功能描述:IGBT NPT 1200V 25A 156W Through Hole TO-247 [B] 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):過(guò)期 IGBT 類型:NPT 電壓 - 集射極擊穿(最大值):1200V 電流 - 集電極(Ic)(最大值):25A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):24A 不同?Vge,Ic 時(shí)的?Vce(on):3V @ 15V,8A 功率 - 最大值:156W 開關(guān)能量:300μJ(開),285μJ(關(guān)) 輸入類型:標(biāo)準(zhǔn) 柵極電荷:65nC 25°C 時(shí) Td(開/關(guān))值:7ns/100ns 測(cè)試條件:800V,8A,10 歐姆,15V 反向恢復(fù)時(shí)間(trr):- 封裝/外殼:TO-247-3 安裝類型:通孔 供應(yīng)商器件封裝:TO-247 [B] 標(biāo)準(zhǔn)包裝:30 APT12067JFLL APT12067JLL APT1211 APT1211A APT1211AX APT1211AZ APT1211S APT1211SX APT1211SZ APT1211W APT1211WA APT1211WAW APT1211WAY APT1212 APT1212A APT1212AX APT1212AZ APT1212W
配單專家
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