您好,歡迎來到買賣IC網 登錄 | 免費注冊
您現(xiàn)在的位置:買賣IC網 > A字母型號搜索 >

AOX6512

配單專家企業(yè)名單
  • 型號
  • 供應商
  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝
  • 批號
  • 價格
  • 說明
  • 操作
  • 1/1頁 40條/頁 共40條 
  • 1
AOX6512 PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實際PDF為準
AOX6512 技術參數(shù)
  • AOWF9N70 功能描述:MOSFET N-CH 700V 9A TO262F 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):700V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):9A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):1.2 歐姆 @ 4.5A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4.5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):35nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):1630pF @ 25V 功率 - 最大值:28W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-262-3,長引線,I2Pak,TO-262AA 供應商器件封裝:* 標準包裝:1,000 AOWF8N50 功能描述:MOSFET N-CH 500V 8A TO262F 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):500V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):8A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):850 毫歐 @ 4A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4.5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):28nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):1042pF @ 25V 功率 - 最大值:27.8W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-262-3,長引線,I2Pak,TO-262AA 供應商器件封裝:TO-262F 標準包裝:1,000 AOWF7S65 功能描述:MOSFET N-CH 650V 7A TO262F 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:aMOS?? 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):650V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):7A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):650 毫歐 @ 3.5A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):9.2nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):434pF @ 100V 功率 - 最大值:25W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-262-3,長引線,I2Pak,TO-262AA 供應商器件封裝:* 標準包裝:1,000 AOWF7S60 功能描述:MOSFET N-CH 600V 7A TO262F 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:aMOS?? 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):600V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):7A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):600 毫歐 @ 3.5A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):3.9V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):8.2nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):372pF @ 100V 功率 - 最大值:25W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-262-3,長引線,I2Pak,TO-262AA 供應商器件封裝:* 標準包裝:1,000 AOWF4S60 功能描述:MOSFET N-CH 600V 4A TO262F 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:aMOS?? 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):600V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):4A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):900 毫歐 @ 2A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4.1V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):6nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):263pF @ 100V 功率 - 最大值:25W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-262-3,長引線,I2Pak,TO-262AA 供應商器件封裝:* 標準包裝:1,000 AOZ1014AI AOZ1014DI AOZ1015AI AOZ1016AI AOZ1016AIL AOZ1017AI AOZ1019AI AOZ1020AI AOZ1020AIL AOZ1021AI AOZ1021AIL AOZ1021HAIL_2 AOZ1022DI AOZ1022DI-01 AOZ1022PI AOZ1024DI AOZ1024DI_2 AOZ1024DI_5
配單專家

在采購AOX6512進貨過程中,您使用搜索有什么問題和建議?點此反饋

友情提醒:為規(guī)避購買AOX6512產品風險,建議您在購買AOX6512相關產品前務必確認供應商資質及產品質量。

免責聲明:以上所展示的AOX6512信息由會員自行提供,AOX6512內容的真實性、準確性和合法性由發(fā)布會員負責。買賣IC網不承擔任何責任。

買賣IC網 (hkdtupc.cn) 版權所有?2006-2019
深圳市碩贏互動信息技術有限公司 | 粵公網安備 44030402000118號 | 粵ICP備14064281號