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AON6400L

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  • AON6400L
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  • 深圳市澳億芯電子科技有限公司
    深圳市澳億芯電子科技有限公司

    聯(lián)系人:李先生

    電話:13760200702

    地址:深圳市龍崗區(qū)坂田街道五和大道山海商業(yè)廣場C棟706

    資質(zhì):營業(yè)執(zhí)照

  • 48000

  • AO

  • QFN

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  • AON6400L
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  • 深圳市晶美隆科技有限公司
    深圳市晶美隆科技有限公司

    聯(lián)系人:李林

    電話:0755-8251939113714584659李先生(可開13%增票,3

    地址:深圳市福田區(qū)華強北電子科技大夏A座36樓C09

    資質(zhì):營業(yè)執(zhí)照

  • 15862

  • AOS/萬代

  • DFN

  • 23+

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  • AON6400L
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  • 深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
    深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司

    聯(lián)系人:雷春艷

    電話:19129493934(手機優(yōu)先微信同號)0755-83266697

    地址:深圳市福田區(qū)華強北街道華強北路1016號寶華大廈A座2028室

    資質(zhì):營業(yè)執(zhí)照

  • 1250

  • AOS

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  • 全新原裝現(xiàn)貨

  • AON6400L
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  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

    聯(lián)系人:唐先生

    電話:0755-8322569219129381337(微信同號)

    地址:廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。

  • 865000

  • AOS

  • 原廠封裝

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AON6400L 技術(shù)參數(shù)
  • AON6400 功能描述:MOSFET N-CH 30V 85A 8DFN 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):停產(chǎn) FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):30V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):31A(Ta),85A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):1.4 毫歐 @ 20A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2.2V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):170nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):8300pF @ 15V 功率 - 最大值:2.3W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerSMD,扁平引線 供應(yīng)商器件封裝:8-DFN(5x6) 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 AON6384 功能描述:MOSFET N-CHANNEL 30V 83A 8DFN 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術(shù):MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):30V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):83A(Tc) 驅(qū)動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2.2V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?(Qg)(最大值):35nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值):1330pF @ 15V FET 功能:- 功率耗散(最大值):36W(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):3.3 毫歐 @ 20A,10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 供應(yīng)商器件封裝:8-DFN(5x6) 封裝/外殼:8-PowerSMD,扁平引線 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 AON6382 功能描述:MOSFET N-CHANNEL 30V 85A 8DFN 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術(shù):MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):30V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):85A(Tc) 驅(qū)動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2.2V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?(Qg)(最大值):65nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值):3100pF @ 15V FET 功能:- 功率耗散(最大值):50W(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):1.85 毫歐 @ 20A,10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 供應(yīng)商器件封裝:8-DFN(5x6) 封裝/外殼:8-PowerSMD,扁平引線 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 AON6380 功能描述:MOSFET N-CH 30V 24V 8DFN 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:* 零件狀態(tài):在售 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 AON6372 功能描述:MOSFET N-CH 30V DFN 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):最後搶購 FET 類型:N 溝道 技術(shù):MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):30V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):47A(Tc) 驅(qū)動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2.2V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?(Qg)(最大值):12.8nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值):830pF @ 15V FET 功能:- 功率耗散(最大值):26W(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):7.2 毫歐 @ 20A,10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 供應(yīng)商器件封裝:8-DFN(5x6) 封裝/外殼:8-PowerSMD,扁平引線 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 AON6411 AON6411_001 AON6413 AON6414A AON6414AL AON6414G AON6416 AON6418 AON6424 AON6424A AON6426 AON6428_103 AON6428L AON6435 AON6442 AON6444 AON6448 AON6450
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