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AOD8S50

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AOD8S50 技術(shù)參數(shù)
  • AOD8N25 功能描述:MOSFET N CH 250V 8A TO252 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):停產(chǎn) FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):250V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):8A(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):560 毫歐 @ 1.5A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):4.3V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):7.2nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):306pF @ 25V 功率 - 最大值:78W 工作溫度:-50°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63 供應(yīng)商器件封裝:TO-252,(D-Pak) 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 AOD7S65 功能描述:MOSFET N-CH 650V 7A TO252 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:aMOS?? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):650V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):7A(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):650 毫歐 @ 3.5A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):9.2nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):434pF @ 100V 功率 - 最大值:89W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63 供應(yīng)商器件封裝:TO-252,(D-Pak) 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 AOD7S60 功能描述:MOSFET N-CH 600V TO252 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:aMOS?? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):600V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):7A(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):600 毫歐 @ 3.5A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):3.9V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):8.2nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):372pF @ 100V 功率 - 最大值:83W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63 供應(yīng)商器件封裝:TO-252,(D-Pak) 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 AOD7N65 功能描述:MOSFET N-CH 650V 7A TO252 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):650V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):7A(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):1.56 歐姆 @ 3.5A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):4.5V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):24nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):1180pF @ 25V 功率 - 最大值:178W 工作溫度:-50°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63 供應(yīng)商器件封裝:TO-252,(D-Pak) 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 AOD7N60 功能描述:MOSFET N-CH 600V 7A TO252 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):停產(chǎn) FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):600V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):7A(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):1.3 歐姆 @ 3.5A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):4.5V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):24nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):1170pF @ 25V 功率 - 最大值:178W 工作溫度:-50°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63 供應(yīng)商器件封裝:TO-252,(D-Pak) 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 AOH3106 AOH3110 AOH3254 AOI11S60 AOI1N60 AOI1N60L AOI206_002 AOI208 AOI2210 AOI2606 AOI2610 AOI2610E AOI2614 AOI294A AOI296A AOI2N60 AOI2N60A AOI403
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