AO4421(UMW)

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型號(hào)
供應(yīng)商
數(shù)量
廠商
封裝
批號(hào)
價(jià)格
說明
操作

AO4421(UMW)
北京京北通宇電子元件有限公司
北京京北通宇電子元件有限公司
聯(lián)系人：王
電話：13969210552
地址：中國上海
2000
UMW(友臺(tái)半導(dǎo)體)
con
24+
-
監(jiān)控器/智能機(jī)器人/平衡車/無人機(jī)/智能...

AO4421(UMW)
深圳市德力誠信科技有限公司
深圳市德力誠信科技有限公司
聯(lián)系人：王小姐
電話：13969210552
地址：深圳市福田區(qū)深南中路3031號(hào)漢國中心3204室
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
2000
UMW(友臺(tái)半導(dǎo)體)
con
24+
-
監(jiān)控器/智能機(jī)器人/平衡車/無人機(jī)/智能...

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AO4421(UMW) 技術(shù)參數(shù)

AO4421 功能描述:MOSFET P-CH 60V 6.2A 8SOIC 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:6.2A（Ta）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:40 毫歐 @ 6.2A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:3V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:55nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:2900pF @ 30V 功率 - 最大值:3.1W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）供應(yīng)商器件封裝:8-SOIC 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 AO4420A 功能描述:MOSFET N CH 30V 13.7A 8SOIC 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:13.7A（Ta）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:10.5 毫歐 @ 13.7A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:36nC @ 4.5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:4050pF @ 15V 功率 - 最大值:3.1W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）供應(yīng)商器件封裝:8-SOIC 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 AO4419L 功能描述:MOSFET P-CH 30V 9.7A 8SOIC 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:9.7A（Ta）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:20 毫歐 @ 9.7A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2.7V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:32nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:1900pF @ 15V 功率 - 最大值:3.1W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）供應(yīng)商器件封裝:8-SO 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 AO4419_003 功能描述:MOSFET P-CH 30V 9.7A 8SOIC 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:9.7A（Ta）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:20 毫歐 @ 9.7A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2.7V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:32nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:1900pF @ 15V 功率 - 最大值:3.1W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）供應(yīng)商器件封裝:8-SO 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 AO4419 功能描述:MOSFET P-CH 30V 9.7A 8SOIC 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:9.7A（Ta）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:20 毫歐 @ 9.7A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2.7V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:32nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:1900pF @ 15V 功率 - 最大值:3.1W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）供應(yīng)商器件封裝:8-SOIC 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 AO4435_103 AO4435L_102 AO4437 AO4437L AO4438 AO4438_101 AO4440 AO4441 AO4442 AO4443 AO4444 AO4446 AO4447 AO4447A AO4448 AO4448L AO4449 AO4449L