ALD118W

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說明
操作

ALD118W
北京元坤偉業(yè)科技有限公司
北京元坤偉業(yè)科技有限公司
聯(lián)系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀區(qū)中關(guān)村大街32號和盛嘉業(yè)大廈10層1008室
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
5000
NAIS
原廠封裝
15+
-
原裝正品，假一罰十

ALD118W
深圳市華芯盛世科技有限公司
深圳市華芯盛世科技有限公司
聯(lián)系人：唐先生
電話：0755-8322569219129381337（微信同號）
地址：廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。
8650000
NAIS
原廠封裝
最新批號
-
一級代理.原裝特價現(xiàn)貨！

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功能描述
通用繼電器 1 Form A 3A 277VAC 3A 30VDC 18V
RoHS
否
制造商
Omron Electronics
觸點形式
1 Form A (SPST-NO)
觸點電流額定值
150 A
線圈電壓
24 VDC
線圈電阻
144 Ohms
線圈電流
167 mA
切換電壓
400 V
安裝風(fēng)格
Chassis
觸點材料

ALD118W 技術(shù)參數(shù)

ALD118 功能描述:General Purpose Relay SPST-NO (1 Form A) 18VDC Coil Through Hole 制造商:panasonic electric works 系列:ALD 包裝:管件零件狀態(tài):過期繼電器類型:通用線圈類型:無鎖存線圈電流:11.1mA 線圈電壓:18VDC 觸頭外形:SPST-NO（1 A 型）額定接觸（電流）:3A 開關(guān)電壓:277VAC，30VDC - 最大導(dǎo)通電壓（最大值）:13.5 VDC 關(guān)閉電壓（最小值）:0.9 VDC 工作時間:10ms 釋放時間:10ms 特性:- 安裝類型:通孔端子類型:PC 引腳觸頭材料:銀鎳（AgNi）線圈功率:200 mW 線圈電阻:1.62 千歐工作溫度:-40°C ~ 70°C 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 ALD114935SAL 功能描述:MOSFET 2N-CH 10.6V 8SOIC 制造商:advanced linear devices inc. 系列:EPAD? 包裝:管件零件狀態(tài):有效 FET 類型:2 N 溝道（雙）配對 FET 功能:耗盡模式漏源極電壓（Vdss）:10.6V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:12mA，3mA 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:540 歐姆 @ 0V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:3.45V @ 1μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:- 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:2.5pF @ 5V 功率 - 最大值:500mW 工作溫度:0°C ~ 70°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）供應(yīng)商器件封裝:8-SOIC 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 ALD114935PAL 功能描述:MOSFET 2N-CH 10.6V 8DIP 制造商:advanced linear devices inc. 系列:EPAD? 包裝:管件零件狀態(tài):有效 FET 類型:2 N 溝道（雙）配對 FET 功能:耗盡模式漏源極電壓（Vdss）:10.6V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:12mA，3mA 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:540 歐姆 @ 0V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:3.45V @ 1μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:- 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:2.5pF @ 5V 功率 - 最大值:500mW 工作溫度:0°C ~ 70°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:8-DIP（0.300"，7.62mm）供應(yīng)商器件封裝:8-PDIP 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 ALD114913SAL 功能描述:MOSFET 2N-CH 10.6V 8SOIC 制造商:advanced linear devices inc. 系列:EPAD? 包裝:管件零件狀態(tài):有效 FET 類型:2 N 溝道（雙）配對 FET 功能:耗盡模式漏源極電壓（Vdss）:10.6V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:12mA，3mA 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:500 歐姆 @ 2.7V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1.26V @ 1μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:- 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:2.5pF @ 5V 功率 - 最大值:500mW 工作溫度:0°C ~ 70°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）供應(yīng)商器件封裝:8-SOIC 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 ALD114913PAL 功能描述:MOSFET 2N-CH 10.6V 8DIP 制造商:advanced linear devices inc. 系列:EPAD? 包裝:管件零件狀態(tài):有效 FET 類型:2 N 溝道（雙）配對 FET 功能:耗盡模式漏源極電壓（Vdss）:10.6V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:12mA，3mA 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:500 歐姆 @ 2.7V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1.26V @ 1μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:- 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:2.5pF @ 5V 功率 - 最大值:500mW 工作溫度:0°C ~ 70°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:8-DIP（0.300"，7.62mm）供應(yīng)商器件封裝:8-PDIP 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 ALD12A48N-6L ALD12A48N-L ALD12A48N-SL ALD12A48-SL ALD13Y48-6L ALD13Y48-L ALD13Y48N-6L ALD13Y48N-L ALD13Y48N-SL ALD13Y48-SL ALD14H ALD1502PAL ALD1502SAL ALD15K48-6L ALD15K48-L ALD15K48N-6L ALD15K48N-L ALD15K48N-SL