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A2T26H300-24SR3

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  • 深圳市大源實(shí)業(yè)科技有限公司
    深圳市大源實(shí)業(yè)科技有限公司

    聯(lián)系人:李女士

    電話:1530261991513762584085

    地址:深圳市龍崗區(qū)五和大道山海商業(yè)廣場(chǎng)C座707室

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A2T26H300-24SR3 技術(shù)參數(shù)
  • A2T26H165-24SR3 功能描述:RF Mosfet LDMOS (Dual) 28V 400mA 2.5GHz 14.7dB 32W NI-780S-4L2L 制造商:freescale semiconductor - nxp 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):有效 晶體管類型:LDMOS(雙) 頻率:2.5GHz 增益:14.7dB 電壓 - 測(cè)試:28V 額定電流:- 噪聲系數(shù):- 電流 - 測(cè)試:400mA 功率 - 輸出:32W 電壓 - 額定:65V 封裝/外殼:NI-780S-4L2L 供應(yīng)商器件封裝:NI-780S-4L2L 標(biāo)準(zhǔn)包裝:250 A2T26H160-24SR3 功能描述:RF Mosfet LDMOS (Dual) 28V 350mA 2.58GHz 15.5dB 28W NI-780S-4L2L 制造商:freescale semiconductor - nxp 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):有效 晶體管類型:LDMOS(雙) 頻率:2.58GHz 增益:15.5dB 電壓 - 測(cè)試:28V 額定電流:- 噪聲系數(shù):- 電流 - 測(cè)試:350mA 功率 - 輸出:28W 電壓 - 額定:65V 封裝/外殼:NI-780S-4L2L 供應(yīng)商器件封裝:NI-780S-4L2L 標(biāo)準(zhǔn)包裝:250 A2T23H300-24SR6 功能描述:RF Mosfet LDMOS (Dual) 28V 750mA 2.3GHz 14.9dB 66W NI-1230-4LS2L 制造商:freescale semiconductor - nxp 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 晶體管類型:LDMOS(雙) 頻率:2.3GHz 增益:14.9dB 電壓 - 測(cè)試:28V 額定電流:- 噪聲系數(shù):- 電流 - 測(cè)試:750mA 功率 - 輸出:66W 電壓 - 額定:65V 封裝/外殼:NI-1230-4LS2L 供應(yīng)商器件封裝:NI-1230-4LS2L 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 A2T23H200W23SR6 功能描述:AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTO 制造商:nxp usa inc. 系列:- 零件狀態(tài):在售 晶體管類型:LDMOS 頻率:2.3GHz ~ 2.4GHz 增益:15.5dB 電壓 - 測(cè)試:28V 額定電流:10μA 噪聲系數(shù):- 電流 - 測(cè)試:500mA 功率 - 輸出:51W 電壓 - 額定:65V 封裝/外殼:ACP-1230S-4L2S 供應(yīng)商器件封裝:ACP-1230S-4L2S 標(biāo)準(zhǔn)包裝:150 A2T23H160-24SR3 功能描述:RF Mosfet LDMOS (Dual) 28V 350mA 2.3GHz 17.7dB 28W NI-780S-4L2L 制造商:freescale semiconductor - nxp 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):有效 晶體管類型:LDMOS(雙) 頻率:2.3GHz 增益:17.7dB 電壓 - 測(cè)試:28V 額定電流:- 噪聲系數(shù):- 電流 - 測(cè)試:350mA 功率 - 輸出:28W 電壓 - 額定:65V 封裝/外殼:NI-780S-4L2L 供應(yīng)商器件封裝:NI-780S-4L2L 標(biāo)準(zhǔn)包裝:250 A-3 A300 A300A A301 A301-100-F3 A30110204 A30110204MP A30110207 A301103 A30110307 A301104 A30110404 A30110404MT A30110407 A30110407MP A301105 A30110507MP A30110604
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