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A2T21H450W195SR6

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A2T21H450W195SR6 技術(shù)參數(shù)
  • A2T21H410-24SR6 功能描述:RF Mosfet LDMOS (Dual) 28V 600mA 2.17GHz 15.6dB 72W NI-1230-4LS2L 制造商:freescale semiconductor - nxp 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):有效 晶體管類型:LDMOS（雙） 頻率:2.17GHz 增益:15.6dB 電壓 - 測試:28V 額定電流:- 噪聲系數(shù):- 電流 - 測試:600mA 功率 - 輸出:72W 電壓 - 額定:65V 封裝/外殼:NI-1230-4LS2L 供應(yīng)商器件封裝:NI-1230-4LS2L 標(biāo)準(zhǔn)包裝:150 A2T21H360-24SR6 功能描述:RF Mosfet LDMOS 28V 500mA 2.14GHz 16.2dB 63W NI-1230-4LS2L 制造商:freescale semiconductor - nxp 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):有效 晶體管類型:LDMOS 頻率:2.14GHz 增益:16.2dB 電壓 - 測試:28V 額定電流:- 噪聲系數(shù):- 電流 - 測試:500mA 功率 - 輸出:63W 電壓 - 額定:65V 封裝/外殼:NI-1230-4LS2L 供應(yīng)商器件封裝:NI-1230-4LS2L 標(biāo)準(zhǔn)包裝:150 A2T21H360-23NR6 功能描述:RF TRANS 2.1GHZ 360W OM1230-4L2S 制造商:nxp usa inc. 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):在售 晶體管類型:LDMOS（雙） 頻率:2.11GHz ~ 2.2GHz 增益:16.8dB 電壓 - 測試:28V 額定電流:10μA 噪聲系數(shù):- 電流 - 測試:500mA 功率 - 輸出:373W 電壓 - 額定:65V 封裝/外殼:OM-1230-4L2L 供應(yīng)商器件封裝:OM-1230-4L2L 標(biāo)準(zhǔn)包裝:150 A2T21H140-24SR3 功能描述:RF MOSFET LDMOS DUAL 28V OM780-4 制造商:nxp usa inc. 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):在售 晶體管類型:LDMOS（雙） 頻率:2.11GHz ~ 2.17GHz 增益:17.4dB 電壓 - 測試:28V 額定電流:10μA 噪聲系數(shù):- 電流 - 測試:350mA 功率 - 輸出:169W 電壓 - 額定:65V 封裝/外殼:OM780-4 供應(yīng)商器件封裝:OM780-4 標(biāo)準(zhǔn)包裝:250 A2T21H100-25SR3 功能描述:IC RF LDMOS TRANS CELL 制造商:freescale semiconductor - nxp 系列:* 零件狀態(tài):有效 標(biāo)準(zhǔn)包裝:250 A2T26H300-24SR6 A2T27S007NT1 A2T27S020GNR1 A2T27S020NR1 A2V07H400-04NR3 A2V07H525-04NR6 A2V09H300-04NR3 A2V09H400-04NR3 A2V09H525-04NR6 A-3 A300 A300A A301 A301-100-F3 A30110204 A30110204MP A30110207 A301103
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