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2SK3612-01S-TE24R

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  • 2SK3612-01S-TE24R
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  • 深圳市澳億芯電子科技有限公司
    深圳市澳億芯電子科技有限公司

    聯(lián)系人：李先生

    電話：13760200702

    地址：深圳市龍崗區(qū)坂田街道五和大道山海商業(yè)廣場(chǎng)C棟706

    資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照

  • 14000

  • FUJI

  • SOT263

  • 假一賠十！

  • -

  • 絕對(duì)原裝現(xiàn)貨?。?/p>

  • 2SK3612-01S-TE24R
    2SK3612-01S-TE24R

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  • 深圳市深美諾電子科技有限公司
    深圳市深美諾電子科技有限公司

    聯(lián)系人：李燕兵

    電話：82525918

    地址：深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北路上步工業(yè)區(qū)101棟5樓517-532室

    資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照

  • 6000

  • FUJI

  • SOT263

  • 22+

  • -

  • 全新原裝現(xiàn)貨供應(yīng)

  • 2SK3612-01S-TE24R
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  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

    聯(lián)系人：唐先生

    電話：0755-8322569219129381337（微信同號(hào)）

    地址：廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。

  • 865000

  • FUJI

  • TO263

  • 最新批號(hào)

  • -

  • 一級(jí)代理.原裝特價(jià)現(xiàn)貨！

  • 2SK3612-01S-TE24R
    2SK3612-01S-TE24R

    2SK3612-01S-TE24R

  • 深圳市硅宇電子有限公司
    深圳市硅宇電子有限公司

    聯(lián)系人：唐先生

    電話：134242936540755-83690762

    地址：深圳市福田區(qū)福虹路世界貿(mào)易廣場(chǎng)A座1503

    資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照

  • 4536

  • FUJI

  • TO263

  • 1301+

  • -

  • 原裝現(xiàn)貨/特價(jià)

  • 2SK3612-01S-TE24R
    2SK3612-01S-TE24R

    2SK3612-01S-TE24R

  • 深圳市柏新電子科技有限公司
    深圳市柏新電子科技有限公司

    聯(lián)系人：林小姐//方先生

    電話：0755-88377780010-58488628

    地址：深圳市福田區(qū)深南中路2070號(hào)電子科技大廈C座27E2 , 北京辦事處：北京海春路中發(fā)大廈60淀區(qū)知

  • 3000

  • FUJI

  • TO263

  • 2012+

  • -

  • 只做原裝正品

  • 2SK3612-01S-TE24R
    2SK3612-01S-TE24R

    2SK3612-01S-TE24R

  • 深圳市華金瑞電子有限公司
    深圳市華金瑞電子有限公司

    聯(lián)系人：劉

    電話：15323844149

    地址：中航路華強(qiáng)電子世界三店佳和電子市場(chǎng)

  • 800

  • FUJI

  • TO-263原盤

  • 05PB

  • -

  • 100%原裝！優(yōu)勢(shì)現(xiàn)貨庫(kù)存

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2SK3612-01S-TE24R 技術(shù)參數(shù)
  • 2SK3566(STA4,Q,M) 功能描述:MOSFET N-CH 900V 2.5A TO-220SIS 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:900V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:2.5A（Ta） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:6.4 歐姆 @ 1.5A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:12nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:470pF @ 25V 功率 - 最大值:40W 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商器件封裝:TO-220SIS 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 2SK3565(Q,M) 功能描述:MOSFET N-CH 900V 5A TO-220SIS 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:900V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:5A（Ta） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:2.5 歐姆 @ 3A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:28nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:1150pF @ 25V 功率 - 最大值:45W 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商器件封裝:TO-220SIS 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 2SK3564(STA4,Q,M) 功能描述:MOSFET N-CH 900V 3A TO-220SIS 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:900V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:3A（Ta） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:4.3 歐姆 @ 1.5A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:17nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:700pF @ 25V 功率 - 最大值:40W 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商器件封裝:TO-220SIS 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 2SK3557-7-TB-E 功能描述:FET RF 15V 1KHZ 3CP 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 晶體管類型:N 通道 JFET 頻率:1kHz 增益:- 電壓 - 測(cè)試:5V 額定電流:50mA 噪聲系數(shù):1dB 電流 - 測(cè)試:1mA 功率 - 輸出:- 電壓 - 額定:15V 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商器件封裝:3-CP 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 2SK3557-6-TB-E 功能描述:FET RF 15V 1KHZ 3CP 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 晶體管類型:N 通道 JFET 頻率:1kHz 增益:- 電壓 - 測(cè)試:5V 額定電流:50mA 噪聲系數(shù):1dB 電流 - 測(cè)試:1mA 功率 - 輸出:200mW 電壓 - 額定:15V 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商器件封裝:3-CP 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 2SK3702 2SK3703 2SK3703-1E 2SK3704 2SK3707 2SK3707-1E 2SK3708 2SK3709 2SK3710 2SK3711 2SK3720-5-TB-E 2SK3737-5-TL-E 2SK3738-TL-E 2SK3745LS 2SK3745LS-1E 2SK3746 2SK3746-1E 2SK3747
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