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2SK2688-01S-TE24R

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    2SK2688-01S-TE24R

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  • 北京元坤偉業(yè)科技有限公司
    北京元坤偉業(yè)科技有限公司

    聯(lián)系人：劉先生

    電話：010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址：北京市海淀區(qū)中關村大街32號和盛嘉業(yè)大廈10層1008室

    資質：營業(yè)執(zhí)照

  • 4000

  • FUJITSU

  • SOT263

  • 09/10+

  • -

  • 全新原裝100%正品保證質量

  • 2SK2688-01S-TE24R
    2SK2688-01S-TE24R

    2SK2688-01S-TE24R

  • 北京元坤偉業(yè)科技有限公司
    北京元坤偉業(yè)科技有限公司

    聯(lián)系人：劉先生

    電話：010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址：北京市海淀區(qū)中關村大街32號和盛嘉業(yè)大廈10層1008室

    資質：營業(yè)執(zhí)照

  • 4000

  • FUJITSU

  • SOT263

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  • -

  • 全新原裝100%正品保證質量

  • 2SK2688-01S-TE24R
    2SK2688-01S-TE24R

    2SK2688-01S-TE24R

  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

    聯(lián)系人：唐先生

    電話：0755-8322569219129381337（微信同號）

    地址：廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。

  • 865000

  • FUJI

  • TO263

  • 最新批號

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  • 一級代理.原裝特價現貨

  • 2SK2688-01S-TE24R SOT263
    2SK2688-01S-TE24R SOT263

    2SK2688-01S-TE24R SOT263

  • 深圳市桂鵬科技有限公司
    深圳市桂鵬科技有限公司

    聯(lián)系人：田小姐/高先生/李小姐

    電話：0755-828102988281039882810298

    地址：深圳市羅湖區(qū)寶安南路國都大廈-國麗15D（地王大廈周邊）

    資質：營業(yè)執(zhí)照

  • 82810298

  • FUJITSU

  • SMD

  • 15+

  • -

  • 深圳現貨★原廠品質★提供PCB板配單業(yè)務

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2SK2688-01S-TE24R 技術參數
  • 2SK2632LS 功能描述:MOSFET N-CH 800V 2.5A TO-220FI 制造商:sanyo semiconductor (u.s.a) corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓（Vdss）:800V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:2.5A（Ta） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:4.8 歐姆 @ 1.3A，15V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:15nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:550pF @ 20V 功率 - 最大值:2W 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商器件封裝:TO-220FI（LS） 標準包裝:100 2SK2625ALS 功能描述:MOSFET N-CH 600V 5A TO-220FI 制造商:sanyo semiconductor (u.s.a) corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓（Vdss）:600V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:4.4A（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:2 歐姆 @ 2.5A，15V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:20nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:700pF @ 20V 功率 - 最大值:2W 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商器件封裝:TO-220FI（LS） 標準包裝:100 2SK2624ALS 功能描述:MOSFET N-CH 600V 3.5A TO-220FI 制造商:sanyo semiconductor (u.s.a) corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓（Vdss）:600V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:3.5A（Ta） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:2.6 歐姆 @ 1.8A，15V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:15nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:550pF @ 20V 功率 - 最大值:2W 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商器件封裝:TO-220FI（LS） 標準包裝:100 2SK2593JQL 功能描述:JFET N-CH 30MA 125MW SSMINI-3 制造商:panasonic electronic components 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):過期 FET 類型:N 溝道 電壓 - 擊穿（V（BR）GSS）:- 漏源極電壓（Vdss）:55V 不同 Vds（Vgs=0）時的電流 - 漏極（Idss）:1mA @ 10V 漏極電流（Id） - 最大值:30mA 不同 Id 時的電壓 - 截止（VGS 關）:5V @ 10μA 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:6.5pF @ 10V 電阻 - RDS（開）:- 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-89，SOT-490 供應商器件封裝:SS迷你型3-F1 功率 - 最大值:125mW 標準包裝:1 2SK2593GQL 功能描述:JFET N-CH 30MA 125MW SSMINI-3 制造商:panasonic electronic components 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):過期 FET 類型:N 溝道 電壓 - 擊穿（V（BR）GSS）:- 漏源極電壓（Vdss）:55V 不同 Vds（Vgs=0）時的電流 - 漏極（Idss）:1mA @ 10V 漏極電流（Id） - 最大值:30mA 不同 Id 時的電壓 - 截止（VGS 關）:5V @ 10μA 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:6.5pF @ 10V 電阻 - RDS（開）:- 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-89，SOT-490 供應商器件封裝:SS迷你型3-F3 功率 - 最大值:125mW 標準包裝:1 2SK2845(TE16L1,Q) 2SK2847(F) 2SK2848 2SK2854(TE12L,F) 2SK2866(F) 2SK2883(TE24L,Q) 2SK2887TL 2SK2916(F) 2SK2917(F) 2SK2943 2SK2962(T6CANO,A,F 2SK2962(T6CANO,F,M 2SK2962(TE6,F,M) 2SK2962,F(J 2SK2962,T6F(J 2SK2962,T6F(M 2SK2962,T6WNLF(J 2SK2962,T6WNLF(M
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