2SK2399(Q)

配單專家企業(yè)名單

型號
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數(shù)量
廠商
封裝
批號
價格
說明
操作

2SK2399(Q)
深圳市華芯盛世科技有限公司
深圳市華芯盛世科技有限公司
聯(lián)系人：唐先生
電話：0755-8322569219129381337（微信同號）
地址：廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。
856420
TOSHIBA
原廠封裝
最新批號
-
代理此型號，原裝正品現(xiàn)貨??！

2SK2399(Q)
深圳市鴻昌盛電子科技有限公司
深圳市鴻昌盛電子科技有限公司
聯(lián)系人：陳小姐
電話：13428937514
地址：門市: 新華強廣場2樓公司: 深圳市福田區(qū)華強北路賽格廣場58樓5813室
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
525
TOSHIBA
2010
-
公司現(xiàn)貨!只做原裝!

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功能描述
MOSFET N-Ch 100V 5A 0.17 ohm
RoHS
否
制造商
STMicroelectronics
晶體管極性
N-Channel
汲極/源極擊穿電壓
650 V
閘/源擊穿電壓
25 V
漏極連續(xù)電流
130 A
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）
0.014 Ohms
配置
Single
最大工作溫度
安裝風(fēng)格
Through Hole
封裝 / 箱體
Max247
封裝
Tube

2SK2399(Q) 技術(shù)參數(shù)

2SK2394-7-TB-E 功能描述:JFET N-CH 50MA 200MW CP 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):有效 FET 類型:N 溝道電壓 - 擊穿（V（BR）GSS）:- 漏源極電壓（Vdss）:15V 不同 Vds（Vgs=0）時的電流 - 漏極（Idss）:16mA @ 5V 漏極電流（Id） - 最大值:50mA 不同 Id 時的電壓 - 截止（VGS 關(guān)）:300mV @ 100μA 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:10pF @ 5V 電阻 - RDS（開）:- 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商器件封裝:3-CP 功率 - 最大值:200mW 標準包裝:3,000 2SK2394-6-TB-E 功能描述:JFET N-CH 50MA 200MW CP 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):有效 FET 類型:N 溝道電壓 - 擊穿（V（BR）GSS）:- 漏源極電壓（Vdss）:15V 不同 Vds（Vgs=0）時的電流 - 漏極（Idss）:10mA @ 5V 漏極電流（Id） - 最大值:50mA 不同 Id 時的電壓 - 截止（VGS 關(guān)）:300mV @ 100μA 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:10pF @ 5V 電阻 - RDS（開）:- 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商器件封裝:3-CP 功率 - 最大值:200mW 標準包裝:3,000 2SK23800QL 功能描述:JFET N-CH 1MA 125MW SSMINI-3 制造商:panasonic electronic components 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):過期 FET 類型:N 溝道電壓 - 擊穿（V（BR）GSS）:- 漏源極電壓（Vdss）:40V 不同 Vds（Vgs=0）時的電流 - 漏極（Idss）:50μA @ 10V 漏極電流（Id） - 最大值:1mA 不同 Id 時的電壓 - 截止（VGS 關(guān)）:1.3V @ 1μA 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:1pF @ 10V 電阻 - RDS（開）:- 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SC-89，SOT-490 供應(yīng)商器件封裝:SS迷你型3-F2 功率 - 最大值:125mW 標準包裝:3,000 2SK2376(Q) 功能描述:MOSFET N-CH 60V 45A TO220FL 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:管件零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極，4V 驅(qū)動漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:45A（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:17 毫歐 @ 25A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:110nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:3350pF @ 10V 功率 - 最大值:100W 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-220-3（SMT）標片供應(yīng)商器件封裝:TO-220FL 標準包裝:50 2SK2315TYTR-E 功能描述:MOSFET N-CH 60V 2A 4-UPAK 制造商:renesas electronics america 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極，2.5V 驅(qū)動漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:2A（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:450 毫歐 @ 1A，4V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:- 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:173pF @ 10V 功率 - 最大值:1W 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-243AA 供應(yīng)商器件封裝:UPAK 標準包裝:1,000 2SK2625ALS 2SK2632LS 2SK2701A 2SK2713 2SK2715TL 2SK2719(F) 2SK2731T146 2SK2740 2SK2744(F) 2SK275100L 2SK2803 2SK2845(TE16L1,Q) 2SK2847(F) 2SK2848 2SK2854(TE12L,F) 2SK2866(F) 2SK2883(TE24L,Q) 2SK2887TL