2SK2219-22-TL-E

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說明
操作

2SK2219-22-TL-E
深圳市華芯盛世科技有限公司
深圳市華芯盛世科技有限公司
聯(lián)系人：唐先生
電話：0755-8322569219129381337（微信同號）
地址：廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。
8650000
SANYO
SOT-323
最新批號
-
代理此型號，原裝正品現(xiàn)貨！??！

2SK2219-22-TL-E
深圳市澳億芯電子科技有限公司
深圳市澳億芯電子科技有限公司
聯(lián)系人：李先生
電話：13760200702
地址：深圳市龍崗區(qū)坂田街道五和大道山海商業(yè)廣場C棟706
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
5280
SANYO
SOT-323
假一賠十！
-
原裝自己現(xiàn)貨?。?/p>

2SK2219-22-TL-E
北京元坤偉業(yè)科技有限公司
北京元坤偉業(yè)科技有限公司
聯(lián)系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀區(qū)中關(guān)村大街32號和盛嘉業(yè)大廈10層1008室
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
3000
SAYNO
SOT323
05+
-

2SK2219-22-TL-E
北京元坤偉業(yè)科技有限公司
北京元坤偉業(yè)科技有限公司
聯(lián)系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀區(qū)中關(guān)村大街32號和盛嘉業(yè)大廈10層1008室
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
3000
SAYNO
SOT323
05-PB
-
全新原裝100%正品保證質(zhì)量

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2SK2219-22-TL-E 技術(shù)參數(shù)

2SK221100L 功能描述:MOSFET N-CH 30V 1A MINI-PWR 制造商:panasonic electronic components 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:1A（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:600 毫歐 @ 500mA，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:- 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:87pF @ 10V 功率 - 最大值:1W 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-243AA 供應(yīng)商器件封裝:迷你型P3-F1 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 2SK2145-Y(TE85L,F) 功能描述:MOSFET 2N-CH JFET 50V SMV 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效 FET 類型:2 個 N 溝道（雙）電壓 - 擊穿（V（BR）GSS）:- 漏源極電壓（Vdss）:- 不同 Vds（Vgs=0）時的電流 - 漏極（Idss）:1.2mA @ 10V 漏極電流（Id） - 最大值:- 不同 Id 時的電壓 - 截止（VGS 關(guān)）:200mV @ 100nA 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:13pF @ 10V 電阻 - RDS（開）:- 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SC-74A，SOT-753 供應(yīng)商器件封裝:SMV 功率 - 最大值:300mW 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 2SK2145-GR(TE85L,F 功能描述:MOSFET 2N-CH JFET 50V SMV 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效 FET 類型:2 個 N 溝道（雙）電壓 - 擊穿（V（BR）GSS）:- 漏源極電壓（Vdss）:- 不同 Vds（Vgs=0）時的電流 - 漏極（Idss）:2.6mA @ 10V 漏極電流（Id） - 最大值:- 不同 Id 時的電壓 - 截止（VGS 關(guān)）:200mV @ 100nA 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:13pF @ 10V 電阻 - RDS（開）:- 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SC-74A，SOT-753 供應(yīng)商器件封裝:SMV 功率 - 最大值:300mW 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 2SK2145-BL(TE85L,F 功能描述:JFET N-CH 50V SMV 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效 FET 類型:2 個 N 溝道（雙）電壓 - 擊穿（V（BR）GSS）:- 漏源極電壓（Vdss）:- 不同 Vds（Vgs=0）時的電流 - 漏極（Idss）:6mA @ 10V 漏極電流（Id） - 最大值:- 不同 Id 時的電壓 - 截止（VGS 關(guān)）:200mV @ 100nA 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:13pF @ 10V 電阻 - RDS（開）:- 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SC-74A，SOT-753 供應(yīng)商器件封裝:SMV 功率 - 最大值:300mW 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 2SK2103T100 功能描述:MOSFET N-CH 30V 2A SOT-89 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):停產(chǎn) FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極，4V 驅(qū)動漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:2A（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:400 毫歐 @ 1A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:- 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:230pF @ 10V 功率 - 最大值:500mW 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-243AA 供應(yīng)商器件封裝:MPT3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 2SK2394-6-TB-E 2SK2394-7-TB-E 2SK2420 2SK2463T100 2SK2503TL 2SK2504TL 2SK2507(F) 2SK2544(F) 2SK2593GQL 2SK2593JQL 2SK2624ALS 2SK2625ALS 2SK2632LS 2SK2701A 2SK2713 2SK2715TL 2SK2719(F) 2SK2731T146