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2SK1829(TE85L,F)

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  • 2SK1829(TE85L,F)
    2SK1829(TE85L,F)

    2SK1829(TE85L,F)

  • 深圳市湘達(dá)電子有限公司
    深圳市湘達(dá)電子有限公司

    聯(lián)系人：朱平

    電話：0755-83229772-83202753

    地址：辦公地址 幫我改成 深圳市福田區(qū)紅荔路上步工業(yè)區(qū)201棟東座4樓F02室

  • 16486

  • TOSHIBARo

  • 原廠

  • 21+

  • -

  • 百分百進(jìn)口原裝現(xiàn)貨，價格有優(yōu)勢。

  • 2SK1829(TE85L,F)
    2SK1829(TE85L,F)

    2SK1829(TE85L,F)

  • 深圳市高創(chuàng)鑫電子科技有限公司
    深圳市高創(chuàng)鑫電子科技有限公司

    聯(lián)系人：曾小姐

    電話：0755-2330298015814019597

    地址：深圳市福田區(qū)華強北路賽格科技園4棟西10樓C052房間

    資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照

  • 150

  • Toshiba

  • MOSFET N-CHANNEL 20V

  • 21+

  • -

  • 原裝正品，假1罰100

  • 2SK1829(TE85L,F)
    2SK1829(TE85L,F)

    2SK1829(TE85L,F)

  • 深圳市科宏特電子有限公司
    深圳市科宏特電子有限公司

    聯(lián)系人：李瑞兵

    電話：18897698645

    地址：深圳市福田區(qū)深南中路華強電子世界三店佳和4C148

  • 36000000

  • Toshiba

  • 22+

  • -

  • 原裝正品

  • 1/1頁 40條/頁 共3條 
  • 1
2SK1829(TE85L,F) PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準(zhǔn)
  • 制造商
  • Toshiba America Electronic Components
  • 功能描述
  • TOS2SK1829(TE85L,F) SMALL SIGNAL TRANSIS
  • 制造商
  • Toshiba
  • 功能描述
  • Trans MOSFET N-CH 20V 0.05A 3-Pin USM T/R
  • 制造商
  • Toshiba America Electronic Components
  • 功能描述
  • MOSFET N-ch 50mA 20V USM(2.0x2.1)
  • 制造商
  • Toshiba America Electronic Components
  • 功能描述
  • MOSFET N-Channel 20V 0.05A USM3
2SK1829(TE85L,F) 技術(shù)參數(shù)
  • 2SK1828TE85LF 功能描述:MOSFET N-CH 20V 50MA S-MINI 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極，2.5V 驅(qū)動 漏源極電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:50mA（Ta） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:40歐姆 @ 10mA，2.5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1.5V @ 100μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:- 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:5.5pF @ 3V 功率 - 最大值:200mW 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商器件封裝:SC-59 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 2SK1775-E 功能描述:MOSFET N-CH 900V 8A TO-3P 制造商:renesas electronics america 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:900V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:8A（Ta） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:1.6 歐姆 @ 4A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:- 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:1730pF @ 10V 功率 - 最大值:60W 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-3P-3，SC-65-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-3P 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 2SK1518-E 功能描述:MOSFET N-CH 500V 20A TO3P 制造商:renesas electronics america 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:500V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:20A（Ta） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:270 毫歐 @ 10A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:- 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:3050pF @ 10V 功率 - 最大值:120W 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-3P-3，SC-65-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-3P 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 2SK1374G0L 功能描述:MOSFET N-CH 50V .05A SMINI-3 制造商:panasonic electronic components 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極，2.5V 驅(qū)動 漏源極電壓（Vdss）:50V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:50mA（Ta） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:50 歐姆 @ 10mA，2.5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1.1V @ 100μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:- 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:4.5pF @ 5V 功率 - 最大值:150mW 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-85 供應(yīng)商器件封裝:S迷你型3-F2 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 2SK137400L 功能描述:MOSFET N-CH 50V 50MA SMINI-3 制造商:panasonic electronic components 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極，2.5V 驅(qū)動 漏源極電壓（Vdss）:50V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:50mA（Ta） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:50 歐姆 @ 10mA，2.5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1.1V @ 100μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:- 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:4.5pF @ 5V 功率 - 最大值:150mW 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-70，SOT-323 供應(yīng)商器件封裝:S迷你型3-G1 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 2SK208-Y(TE85L,F) 2SK2094TL 2SK2095N 2SK209-BL(TE85L,F) 2SK209-GR(TE85L,F) 2SK209-Y(TE85L,F) 2SK2103T100 2SK2145-BL(TE85L,F 2SK2145-GR(TE85L,F 2SK2145-Y(TE85L,F) 2SK221100L 2SK2221-E 2SK2225-E 2SK2231(TE16L1,NQ) 2SK2231(TE16R1,NQ) 2SK2266(TE24R,Q) 2SK2299N 2SK2315TYTR-E
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