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2SJ416-TD

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  • 2SJ416-TD(JJ)
    2SJ416-TD(JJ)

    2SJ416-TD(JJ)

  • 深圳市中平科技有限公司
    深圳市中平科技有限公司

    聯(lián)系人：賴先生

    電話：0755-8394638513632637322

    地址：深圳市福田區(qū)深南中路2070號電子科技大廈A座27樓2702號

    資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照

  • 18652

  • SANYO

  • SOT89

  • 2024+

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  • 正宗原裝現(xiàn)貨

  • 2SJ416-TD-E
    2SJ416-TD-E

    2SJ416-TD-E

  • 深圳市深美諾電子科技有限公司
    深圳市深美諾電子科技有限公司

    聯(lián)系人：李燕兵

    電話：82525918

    地址：深圳市福田區(qū)華強北路上步工業(yè)區(qū)101棟5樓517-532室

    資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照

  • 6000

  • SANYO

  • SOT89

  • 22+

  • -

  • 全新原裝現(xiàn)貨供應(yīng)

  • 2SJ416-TD-E
    2SJ416-TD-E

    2SJ416-TD-E

  • 深圳市晶美隆科技有限公司
    深圳市晶美隆科技有限公司

    聯(lián)系人：李林

    電話：0755-8251939113714584659李先生（可開13%增票，3

    地址：深圳市福田區(qū)華強北電子科技大夏A座36樓C09

    資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照

  • 15862

  • SANYO

  • SOT89

  • 23+

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  • 全新原裝正品現(xiàn)貨熱賣

  • 2SJ416-TD-E
    2SJ416-TD-E

    2SJ416-TD-E

  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

    聯(lián)系人：唐先生

    電話：0755-8322569219129381337（微信同號）

    地址：廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。

  • 865000

  • SANYO/ON

  • SOT89

  • 最新批號

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2SJ416-TD 技術(shù)參數(shù)
  • 2SJ380(F) 功能描述:MOSFET P-CH 100V 12A TO220NIS 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極，4V 驅(qū)動 漏源極電壓（Vdss）:100V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:12A（Ta） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:210 毫歐 @ 6A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:48nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:1100pF @ 10V 功率 - 最大值:35W 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商器件封裝:TO-220NIS 標準包裝:50 2SJ377(TE16R1,NQ) 功能描述:MOSFET P-CH 60V 5A PW-MOLD 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):停產(chǎn) FET 類型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極，4V 驅(qū)動 漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:5A（Ta） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:190 毫歐 @ 2.5A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:22nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:630pF @ 10V 功率 - 最大值:20W 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 供應(yīng)商器件封裝:PW-MOLD 標準包裝:1 2SJ360(TE12L,F) 功能描述:MOSFET P-CH 60V 1A SC-62 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極，4V 驅(qū)動 漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:1A（Ta） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:730 毫歐 @ 500mA，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:6.5nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:155pF @ 10V 功率 - 最大值:500mW 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-243AA 供應(yīng)商器件封裝:PW-MINI 標準包裝:1,000 2SJ360(F) 功能描述:MOSFET P-CH 60V 1A SC-62 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極，4V 驅(qū)動 漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:1A（Ta） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:730 毫歐 @ 500mA，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:6.5nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:155pF @ 10V 功率 - 最大值:500mW 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-243AA 供應(yīng)商器件封裝:PW-MINI 標準包裝:100 2SJ305TE85LF 功能描述:MOSFET P-CH 30V 0.2A S-MINI 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:200mA（Ta） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:4歐姆 @ 50mA，2.5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:- 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:92pF @ 3V 功率 - 最大值:200mW 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商器件封裝:SC-59 標準包裝:1 2SJ649-AZ 2SJ650 2SJ651 2SJ652 2SJ652-1E 2SJ652-RA11 2SJ655 2SJ656 2SJ661-1E 2SJ661-DL-1E 2SJ661-DL-E 2SJ665-DL-E 2SJ668(TE16L1,NQ) 2SJ673-AZ 2SJ681(Q) 2SJ683-TL-E 2SJ687-ZK-E1-AY 2SK01980RL
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