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2SJ235S

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  • 深圳市晶美隆科技有限公司
    深圳市晶美隆科技有限公司

    聯(lián)系人：李林

    電話(huà)：0755-8251939113714584659李先生（可開(kāi)13%增票，3

    地址：深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北電子科技大夏A座36樓C09

    資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照

  • 15862

  • RENESAS

  • SOT252

  • 23+

  • -

  • 全新原裝正品現(xiàn)貨熱賣(mài)

  • 2SJ235S
    2SJ235S

    2SJ235S

  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

    聯(lián)系人：唐先生

    電話(huà)：0755-8322569219129381337（微信同號(hào)）

    地址：廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。

  • 8650000

  • RENESAS

  • TO-252

  • 最新批號(hào)

  • -

  • 一級(jí)代理.原裝特價(jià)現(xiàn)貨！

  • 2SJ235STL
    2SJ235STL

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  • 深圳市硅宇電子有限公司
    深圳市硅宇電子有限公司

    聯(lián)系人：唐先生

    電話(huà)：134242936540755-83690762

    地址：深圳市福田區(qū)福虹路世界貿(mào)易廣場(chǎng)A座1503

    資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照

  • 16000

  • RENESAS

  • SOT252

  • 15+

  • -

  • 原裝現(xiàn)貨/特價(jià)

  • 2SJ235STL
    2SJ235STL

    2SJ235STL

  • 深圳市柏新電子科技有限公司
    深圳市柏新電子科技有限公司

    聯(lián)系人：林小姐//方先生

    電話(huà)：0755-88377780010-58488628

    地址：深圳市福田區(qū)深南中路2070號(hào)電子科技大廈C座27E2 , 北京辦事處：北京海春路中發(fā)大廈60淀區(qū)知

  • 16000

  • RENESAS

  • SOT252

  • 2012+

  • -

  • 只做原裝正品

  • 2SJ235STL
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  • 深圳市時(shí)興宇電子有限公司
    深圳市時(shí)興宇電子有限公司

    聯(lián)系人：彭先生

    電話(huà)：0755-830415598397218513430523058

    地址：深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北都會(huì)大廈A座19樓19G

  • 16000

  • RENESAS

  • SOT252

  • 12+

  • -

  • 絕對(duì)公司原裝現(xiàn)貨

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  • 1
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2SJ235S 技術(shù)參數(shù)
  • 2SJ168TE85LF 功能描述:MOSFET P-CH 60V 0.2A S-MINI 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類(lèi)型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:200mA（Ta） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:2歐姆 @ 50mA，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:- 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:85pF @ 10V 功率 - 最大值:200mW 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商器件封裝:SC-59 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 2SJ162-E 功能描述:MOSFET P-CH 160V 7A TO-3P 制造商:renesas electronics america 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):過(guò)期 FET 類(lèi)型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:160V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:7A（Ta） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:- 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:- 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:900pF @ 10V 功率 - 最大值:100W 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:TO-3P-3，SC-65-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-3P 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 2SJ0674G0L 功能描述:MOSFET P-CH 30V .1A SSSMINI-3 制造商:panasonic electronic components 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):過(guò)期 FET 類(lèi)型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:100mA（Ta） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:18 歐姆 @ 10mA，4V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:1.5V @ 1μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:- 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:12pF @ 3V 功率 - 最大值:100mW 工作溫度:125°C（TJ） 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:SOT-723 供應(yīng)商器件封裝:SSS迷你型3-F2 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 2SJ067400L 功能描述:MOSFET P-CH 30V 100MA SSSMINI-3 制造商:panasonic electronic components 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):過(guò)期 FET 類(lèi)型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:100mA（Ta） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:18 歐姆 @ 10mA，4V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:1.5V @ 1μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:- 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:12pF @ 3V 功率 - 最大值:100mW 工作溫度:125°C（TJ） 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:SOT-723 供應(yīng)商器件封裝:SSS迷你型3-F1 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 2SJ058200L 功能描述:MOSFET P-CH 200V 2A U-G2 制造商:panasonic electronic components 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):過(guò)期 FET 類(lèi)型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:200V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:2A（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:2 歐姆 @ 1A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:- 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:400pF @ 20V 功率 - 最大值:10W 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-252-3，DPak（2 引線(xiàn)+接片），SC-63 供應(yīng)商器件封裝:U-G2 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 2SJ438(CANO,Q,M) 2SJ438,MDKQ(J 2SJ438,MDKQ(M 2SJ438,Q(J 2SJ438,Q(M 2SJ610(TE16L1,NQ) 2SJ649-AZ 2SJ650 2SJ651 2SJ652 2SJ652-1E 2SJ652-RA11 2SJ655 2SJ656 2SJ661-1E 2SJ661-DL-1E 2SJ661-DL-E 2SJ665-DL-E
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