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2SJ208-T1-AZ

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  • 2SJ208-T1-AZ
    2SJ208-T1-AZ

    2SJ208-T1-AZ

  • 深圳市晶美隆科技有限公司
    深圳市晶美隆科技有限公司

    聯(lián)系人：李林

    電話：0755-8251939113714584659李先生（可開(kāi)13%增票，3

    地址：深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北電子科技大夏A座36樓C09

    資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照

  • 11631

  • RENESAS/瑞薩

  • SOT-89

  • 23+

  • -

  • 全新原裝正品現(xiàn)貨熱賣

  • 2SJ208-T1-AZ
    2SJ208-T1-AZ

    2SJ208-T1-AZ

  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

    聯(lián)系人：唐先生

    電話：0755-8322569219129381337（微信同號(hào)）

    地址：廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。

  • 865000

  • RENESAS

  • 原廠封裝

  • 最新批號(hào)

  • -

  • 代理此型號(hào)，原裝正品現(xiàn)貨！！

  • 2SJ208-T1-AZ
    2SJ208-T1-AZ

    2SJ208-T1-AZ

  • 深圳市百潤(rùn)電子有限公司
    深圳市百潤(rùn)電子有限公司

    聯(lián)系人：梁

    電話：17876146278

    地址：沙頭街道下沙社區(qū)濱河路9289號(hào)下沙村京基濱河時(shí)代廣場(chǎng)D1棟26A

  • 776

  • RENESAS

  • SOT-89

  • 11+

  • -

  • 全新原裝正品*海量現(xiàn)貨庫(kù)存*全網(wǎng)最低

  • 1/1頁(yè) 40條/頁(yè) 共6條 
  • 1
2SJ208-T1-AZ PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實(shí)際PDF為準(zhǔn)
  • 制造商
  • Renesas Electronics
  • 功能描述
  • Cut Tape
  • 制造商
  • Renesas Electronics Corporation
  • 功能描述
  • SEMICONDUCTOR, DESCRETE, MOS, FET, P CHA
  • 制造商
  • Renesas
  • 功能描述
  • Trans MOSFET P-CH 16V 2A 4-Pin(3+Tab) SC-62 T/R
2SJ208-T1-AZ 技術(shù)參數(shù)
  • 2SJ168TE85LF 功能描述:MOSFET P-CH 60V 0.2A S-MINI 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:200mA（Ta） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:2歐姆 @ 50mA，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:- 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:85pF @ 10V 功率 - 最大值:200mW 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商器件封裝:SC-59 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 2SJ162-E 功能描述:MOSFET P-CH 160V 7A TO-3P 制造商:renesas electronics america 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):過(guò)期 FET 類型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:160V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:7A（Ta） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:- 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:- 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:900pF @ 10V 功率 - 最大值:100W 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-3P-3，SC-65-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-3P 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 2SJ0674G0L 功能描述:MOSFET P-CH 30V .1A SSSMINI-3 制造商:panasonic electronic components 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):過(guò)期 FET 類型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:100mA（Ta） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:18 歐姆 @ 10mA，4V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:1.5V @ 1μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:- 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:12pF @ 3V 功率 - 最大值:100mW 工作溫度:125°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SOT-723 供應(yīng)商器件封裝:SSS迷你型3-F2 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 2SJ067400L 功能描述:MOSFET P-CH 30V 100MA SSSMINI-3 制造商:panasonic electronic components 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):過(guò)期 FET 類型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:100mA（Ta） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:18 歐姆 @ 10mA，4V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:1.5V @ 1μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:- 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:12pF @ 3V 功率 - 最大值:100mW 工作溫度:125°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SOT-723 供應(yīng)商器件封裝:SSS迷你型3-F1 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 2SJ058200L 功能描述:MOSFET P-CH 200V 2A U-G2 制造商:panasonic electronic components 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):過(guò)期 FET 類型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:200V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:2A（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:2 歐姆 @ 1A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:- 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:400pF @ 20V 功率 - 最大值:10W 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 供應(yīng)商器件封裝:U-G2 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 2SJ438(CANO,Q,M) 2SJ438,MDKQ(J 2SJ438,MDKQ(M 2SJ438,Q(J 2SJ438,Q(M 2SJ610(TE16L1,NQ) 2SJ649-AZ 2SJ650 2SJ651 2SJ652 2SJ652-1E 2SJ652-RA11 2SJ655 2SJ656 2SJ661-1E 2SJ661-DL-1E 2SJ661-DL-E 2SJ665-DL-E
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