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2SD1623U-TD

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2SD1623U-TD 技術參數(shù)

2SD1623T-TD-E 功能描述:TRANS NPN 50V 2A SOT89-3 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:2A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:50V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:400mV @ 50mA，1A 電流 - 集電極截止（最大值）:100nA（ICBO）不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:100 @ 100mA，2V 功率 - 最大值:500mW 頻率 - 躍遷:150MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-243AA 供應商器件封裝:PCP 標準包裝:1 2SD1623S-TD-E 功能描述:TRANS NPN 50V 2A SOT89-3 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:2A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:50V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:400mV @ 50mA，1A 電流 - 集電極截止（最大值）:100nA（ICBO）不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:100 @ 100mA，2V 功率 - 最大值:500mW 頻率 - 躍遷:150MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-243AA 供應商器件封裝:PCP 標準包裝:1 2SD1620-TD-E 功能描述:TRANS NPN 10V 3A SOT89-3 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:3A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:10V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:400mV @ 60mA，3A 電流 - 集電極截止（最大值）:100nA（ICBO）不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:140 @ 3A，2V 功率 - 最大值:500mW 頻率 - 躍遷:200MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-243AA 供應商器件封裝:PCP 標準包裝:1 2SD1618T-TD-E 功能描述:TRANS NPN 15V 0.7A SOT89-3 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):有效晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:700mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:15V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:80mV @ 10mA，100mA 電流 - 集電極截止（最大值）:100nA（ICBO）不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:200 @ 50mA，2V 功率 - 最大值:500mW 頻率 - 躍遷:250MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-243AA 供應商器件封裝:PCP 標準包裝:1,000 2SD1618S-TD-E 功能描述:TRANS NPN 15V 0.7A SOT89-3 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):有效晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:700mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:15V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:80mV @ 10mA，100mA 電流 - 集電極截止（最大值）:100nA（ICBO）不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:140 @ 50mA，2V 功率 - 最大值:500mW 頻率 - 躍遷:250MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-243AA 供應商器件封裝:PCP 標準包裝:1,000 2SD16400Q 2SD16400R 2SD16450R 2SD1664T100P 2SD1664T100Q 2SD1664T100R 2SD1683S 2SD1683T 2SD1685F 2SD1685G 2SD17050P 2SD17070P 2SD1733TLP 2SD1733TLQ 2SD1733TLR 2SD1757KT146Q 2SD1757KT146R 2SD1757KT146S