2SA1965-TL

配單專家企業(yè)名單

型號
供應(yīng)商
數(shù)量
廠商
封裝
批號
價格
說明
操作

2SA1965-TL
深圳市奧偉斯科技有限公司
深圳市奧偉斯科技有限公司
聯(lián)系人：江小姐 ADS觸摸芯片一級代理
電話：0755-83254770
地址：深南中路3006號佳和華強(qiáng)大廈A座7樓整層
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
6870
SANYO
SOT-423
18+
-
原裝現(xiàn)貨,優(yōu)勢庫存

2SA1965-TL
深圳市大源實(shí)業(yè)科技有限公司
深圳市大源實(shí)業(yè)科技有限公司
聯(lián)系人：李女士
電話：1530261991513762584085
地址：深圳市龍崗區(qū)五和大道山海商業(yè)廣場C座707室
50500
SANYO
SOT-23
24+
-
原裝，公司部分現(xiàn)貨，有單來談QQ:161...

1/1頁 40條/頁共17條
1

您是不是要找： 2SA1972,F(J 2SA1972,T6WNLF(J 2SA1977-A 2SA1977-T1B-A 2SA1978-A 2SA1978-T1B-A 2SA2007E 2SA20090SL 2SA201000L

2SA1965-TL PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實(shí)際PDF為準(zhǔn)

2SA1965-TL 技術(shù)參數(shù)

2SA1962RTU 功能描述:TRANS PNP 250V 17A TO-3P 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):有效晶體管類型:PNP 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:17A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:250V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:3V @ 800mA，8A 電流 - 集電極截止（最大值）:5μA（ICBO）不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:55 @ 1A，5V 功率 - 最大值:130W 頻率 - 躍遷:30MHz 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-3P-3，SC-65-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-3P 標(biāo)準(zhǔn)包裝:30 2SA1962OTU 功能描述:TRANS PNP 250V 17A TO-3P 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:管件零件狀態(tài):有效晶體管類型:PNP 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:17A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:250V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:3V @ 800mA，8A 電流 - 集電極截止（最大值）:5μA（ICBO）不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:80 @ 1A，5V 功率 - 最大值:130W 頻率 - 躍遷:30MHz 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-3P-3，SC-65-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-3P 標(biāo)準(zhǔn)包裝:30 2SA1962-O(Q) 功能描述:TRANS PNP 230V 15A TO-3PN 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:管件零件狀態(tài):有效晶體管類型:PNP 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:15A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:230V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:3V @ 800mA，8A 電流 - 集電極截止（最大值）:5μA（ICBO）不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:80 @ 1A，5V 功率 - 最大值:130W 頻率 - 躍遷:30MHz 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-3P-3，SC-65-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-3P（N）標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 2SA1955FVBTPL3Z 功能描述:TRANS PNP 12V 0.4A VESM 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):過期晶體管類型:PNP 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:400mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:12V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:250mV @ 10mA，200mA 電流 - 集電極截止（最大值）:100nA（ICBO）不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:300 @ 10mA，2V 功率 - 最大值:100mW 頻率 - 躍遷:130MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SOT-723 供應(yīng)商器件封裝:VESM 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 2SA1955FVATPL3Z 功能描述:TRANS PNP 12V 0.4A VESM 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):過期晶體管類型:PNP 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:400mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:12V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:250mV @ 10mA，200mA 電流 - 集電極截止（最大值）:100nA（ICBO）不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:300 @ 10mA，2V 功率 - 最大值:100mW 頻率 - 躍遷:130MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SC-101，SOT-883 供應(yīng)商器件封裝:CST3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 2SA2012-TD-E 2SA2013-TD-E 2SA2016-TD-E 2SA2018TL 2SA202800L 2SA2028G0L 2SA2029M3T5G 2SA2029T2LQ 2SA2029T2LR 2SA2030T2L 2SA2039-E 2SA2039-H 2SA2039-TL-E 2SA2039-TL-H 2SA2040-E 2SA2040-TL-E 2SA204600L 2SA2048KT146Q