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2N7002BKMB

2N7002BKMB,315
深圳市銘昌源科技有限公司
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資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
59571
Nexperia
SMD
22+
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優(yōu)勢代理，公司現(xiàn)貨可開票

2N7002BKMB
深圳市華芯盛世科技有限公司
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865000
Nexperia
原廠封裝
最新批號
-
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2N7002BKMB,315
深圳市眾芯微電子有限公司
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資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
90000
NXP Semiconductors
3-DFN1006B（0.6x1）
18+
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MOSFET N-CH 60V 450M...

2N7002BKMB
深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
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資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
315
50000
1521+
NXP SEMIC
-

2N7002BKMB,315
深圳市芯馳科技有限公司
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資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
10000
PHA
SOT883
15+
-
原裝正品，價(jià)格優(yōu)勢！

2N7002BKMB
深圳市信通吉電子有限公司
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38000
Nexpe原裝正品
SOT883B
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2N7002BKMB
深圳市華雄半導(dǎo)體（集團(tuán)）有限公司
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資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
4330
NEXPERIA
SOT883
2220+
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十年專營，供應(yīng)原裝正品！熱賣現(xiàn)貨！

2N7002BKMB
深圳市澤芯微科技有限公司
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600
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原裝現(xiàn)貨

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制造商
NXP Semiconductors
功能描述
MOSFET, N-CH, 60V, 450MA, SOT883B
制造商
NXP Semiconductors
功能描述
MOSFET, N-CH, 60V, 450MA, SOT883B; Transistor Polarity

2N7002BKMB 技術(shù)參數(shù)

2N7002BKM,315 功能描述:MOSFET N-CH 60V 450MA SOT883 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽車級，AEC-Q101，TrenchMOS? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道技術(shù):MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:450mA（Ta）驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2.1V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）:0.6nC @ 4.5V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）:50pF @ 10V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:360mW（Ta）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:1.6 歐姆 @ 500mA，10V 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應(yīng)商器件封裝:DFN1006-3 封裝/外殼:SC-101，SOT-883 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 2N7002BK,215 功能描述:MOSFET N-CH 60V 350MA SOT23 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽車級，AEC-Q101，TrenchMOS? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道技術(shù):MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:350mA（Ta）驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2.1V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）:0.6nC @ 4.5V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）:50pF @ 10V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:370mW（Ta）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:1.6 歐姆 @ 500mA，10V 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應(yīng)商器件封裝:TO-236AB（SOT23）封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 2N7002AQ-7 功能描述:MOSFET NCH 60V 180MA SOT23 制造商:diodes incorporated 系列:汽車級，AEC-Q101 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道技術(shù):MOSFET (Metal Oxide) 漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:180mA（Ta）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:5 歐姆 @ 115mA，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:- 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:23pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:* 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商器件封裝:SOT-23 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 2N7002AQ-13 功能描述:MOSFET NCH 60V 180MA SOT23 制造商:diodes incorporated 系列:汽車級，AEC-Q101 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道技術(shù):MOSFET (Metal Oxide) 漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:180mA（Ta）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:5 歐姆 @ 115mA，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:- 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:23pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:* 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商器件封裝:SOT-23 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10,000 2N7002A-7 功能描述:MOSFET N-CH 60V 0.18A SOT23 制造商:diodes incorporated 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:180mA（Ta）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:6 歐姆 @ 115mA，5V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:- 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:23pF @ 25V 功率 - 最大值:370mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商器件封裝:SOT-23 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 2N7002-D87Z 2N7002DW 2N7002DW L6327 2N7002DW-7 2N7002DW-7-F 2N7002DWA-7 2N7002DWH6327XTSA1 2N7002DWQ-7-F 2N7002DW-TP 2N7002E 2N7002E,215 2N7002-E3 2N7002E-7-F 2N7002E-T1-E3 2N7002ET1G 2N7002E-T1-GE3 2N7002ET3G 2N7002F,215