91福利视频导航,亚洲久热无码中文字幕2022 ,91亚洲国产亚洲国产

2N6768JANTXV
北京元坤偉業(yè)科技有限公司
北京元坤偉業(yè)科技有限公司
聯(lián)系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀區(qū)中關村大街32號和盛嘉業(yè)大廈10層1008室
資質：營業(yè)執(zhí)照
3000
IR
全新原裝
13+
-
全新原裝100%正品保證質量

2N6768JANTXV
北京元坤偉業(yè)科技有限公司
北京元坤偉業(yè)科技有限公司
聯(lián)系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀區(qū)中關村大街32號和盛嘉業(yè)大廈10層1008室
資質：營業(yè)執(zhí)照
3000
IR
全新原裝
13+
-

2N6768JANTXV
深圳市藍山航業(yè)電子科技有限公司
深圳市藍山航業(yè)電子科技有限公司
聯(lián)系人：陳偉
電話：0755-83979745
地址：新亞洲二期N2A090
500000
ir
22+
-
行業(yè)低價，代理渠道

2N6768JANTXV
深圳市悅興晨電子科技有限公司
深圳市悅興晨電子科技有限公司
聯(lián)系人：朱先生
電話：０７５５-８２８１２００４82811605
地址：深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)405棟607室柜臺號新亞洲二期N2B227
15600
ir
原廠原封裝
2023+
-
全新原裝部分發(fā)貨3-5天

2N6768JANTXV
深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
聯(lián)系人：何芝
電話：19129491934(手機優(yōu)先微信同號)0755-82865099
地址：深圳市福田區(qū)華強北街道華強北路1016號寶華大廈A座2028室
資質：營業(yè)執(zhí)照
2350
ir
ROHS
201315+
-
原裝正品，現(xiàn)貨庫存！400-800-03...

1/1頁 40條/頁共7條
1

您是不是要找： 2N6768T1 2N6770 2N6770T1 2N6782 2N6782U 2N6784 2N6784U 2N6788 2N6788U

2N6768JANTXV PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準

2N6768JANTXV 技術參數(shù)

2N6768 功能描述:MOSFET N-CH 400V TO-204AE TO-3 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:400V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:14A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:400 毫歐 @ 14A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:110nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:- 功率 - 最大值:4W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-204AE 供應商器件封裝:TO-3 標準包裝:1 2N6766T1 功能描述:MOSFET N-CH 200V TO-254AA 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:200V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:30A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:90 毫歐 @ 30A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:115nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:- 功率 - 最大值:4W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-254-3，TO-254AA（直引線）供應商器件封裝:TO-254AA 標準包裝:1 2N6766 功能描述:MOSFET N-CH 200V TO-204AE TO-3 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:200V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:30A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:90 毫歐 @ 30A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:115nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:- 功率 - 最大值:4W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-204AE 供應商器件封裝:TO-3 標準包裝:1 2N6764T1 功能描述:MOSFET N-CH 100V 38A TO-204AE 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:100V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:38A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:65 毫歐 @ 38A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:125nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:- 功率 - 最大值:4W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-204AE 供應商器件封裝:TO-3 標準包裝:1 2N6764 功能描述:MOSFET N-CH 100V TO-204AE TO-3 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:100V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:38A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:65 毫歐 @ 38A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:125nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:- 功率 - 最大值:4W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-204AE 供應商器件封裝:TO-3 標準包裝:1 2N6790 2N6790U 2N6796 2N6796U 2N6798 2N6798U 2N6800 2N6800U 2N6802 2N6802U 2N6804 2N6849 2N6849U 2N6901 2N696 2N696S 2N697 2N697A